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日新电机株式会社专利技术
日新电机株式会社共有235项专利
离子束辐射装置以及用于该装置的触发等离子体的方法制造方法及图纸
当等离子体在等离子体发生器中触发时,使离子束在等离子体发生器中运行,并且在这种状态下,将相对于地的正电压从DC电源施加到等离子体发生室上。当离子束与从等离子体发生室流出而进入离子束路径的等离子体发生气体相碰撞时产生次级电子。次级电子被正...
在靶上注入离子的装置及其方法制造方法及图纸
本发明提供了一种在靶上注入离子的装置及其方法。离子注入装置包括:在引出电压下从其中引出离子的离子源;在加速电压V↓[A]下加速如此引出的离子的加速管;以及从自加速管引出的离子中选取具有特定动量的离子的动量分离磁体,使所需要的离子入射到靶...
吸持基体的方法和设备技术
吸持基体的方法和设备。一种基体吸持设备,包括有对基体进行静电吸持的静电吸盘,和向该静电吸盘施加直流吸持电压的直流电源。在对所述基体的吸持操作开始之后,所述吸持电压Vc的幅值相对于吸持时间按指数规律下降。这种对吸持电压变化的控制由一个控制...
夹持基片的方法和装置制造方法及图纸
一种夹持基片的装置,它包括:用于以静电方法夹紧和夹持基片的一个静电卡盘;用于将直流夹紧电压加在所述静电卡盘上的夹紧电源;机械驱动所述静电卡盘的卡盘驱动装置;和通过将指令信息加在所述卡盘驱动装置上,控制所述卡盘驱动装置的运动和驱动控制部件...
离子注入的方法和设备技术
一种离子注入方法同时采用在X方向往复扫描离子束和在与其正交的Y方向用机械的办法往复地驱动基片。注入离子的步骤包括在基片的表面上用不同的剂量分别对两个注入区域注入离子,并在改变基片驱动速度的情况下在基片的中心处执行多次。使基片按预定角度绕...
离子注入设备及离子注入方法技术
一种离子注入设备,包括: 一离子源,用于离子化原料气体以产生等离子体,并从该等离子体中引出离子束; 气体供给装置,用于向离子源供给原料气体; 一等离子体发生电源,用于向离子源提供产生等离子体所需的功率; 一能量分...
硅膜形成装置制造方法及图纸
本发明揭示一种硅膜形成装置,包含:成膜室(10);设置在该室内的硅溅射靶(2);往该室内供给氢气的氢气供给回路(102或102’);以及对供给到成膜室(10)内的氢气施加高频功率以产生电感耦合等离子体的高频功率施加装置(天线(1、1’)...
硅粒形成方法和硅粒形成装置制造方法及图纸
一种硅粒形成方法,在导入氢气(或者还导入硅烷类气体)的真空室(1)内产生波长288纳米的硅原子发光强度与波长484纳米的氢原子发光强度的比小于等于10.0的等离子体,利用基于该等离子体的化学溅射,在基体上形成粒径小于等于20纳米的硅粒。
电压变动抑制装置制造方法及图纸
本发明是关于调整母线电压的电压变动抑制装置,通过传输上述母线电压信号的低通滤波器和由长周期电压变动某规定的、具有上限电压设定值和下限电压设定值的上限及下限限幅器回路得到与母线电压信号进行比较的参考电压信号并将上述母线电压信号和参考电压信...
离子源制造技术
一种离子源,它设置有将惰性气体和有机金属气体引入等离子体制造容器内的气体引入机构。
离子注入方法和离子注入设备技术
离子注入设备包括一个注入控制装置26a,它具有由扫掠磁体12扫掠离子束的功能和由扫描机构扫描目标的功能。注入控制装置26a具有以下功能:根据离子束的种类和能量中的至少一个参数,改变要由所述扫掠磁体扫掠的离子束的扫掠频率;根据扫掠频率的改...
离子源及其操作方法技术
本发明涉及一种离子源,满足关系:L<(3.37B↑[-1]***这里,施加在所述等离子体产生容器与所述灯丝之间的电弧电压为V↓[A][V],所述等离子体产生容器内的磁场的磁通量密度为B[T],从几乎位于所述灯丝尖部中心的最高频率的电子发...
产生铟离子束的装置与方法制造方法及图纸
本发明涉及一种离子源2,它包含使固体物质6退火产生蒸汽8的加热炉4,以及使蒸汽8电离产生等离子体24的等离子体发生器16。该离子源2用于产生离子束。三氟化铟用作所述的固体物质,它曾在温度600℃至低于1170℃下加热,从而能够产生稳定量...
离子源蒸发器制造技术
一种离子源蒸发器,包括:一个中空蒸发器主体,一个加热器和一个喷嘴。中空蒸发器主体具有一个开口部。加热器安装在所述中空蒸发器主体的外侧,它使中空蒸发器主体中的固体样品蒸发。喷嘴将中空蒸发器主体中产生的蒸汽送到一个弧腔中。该离子源蒸发器还包...
法拉第装置制造方法及图纸
现有技术的法拉第装置中,仍有部分等离子体能够到达法拉第杯,因而影响了离子束电流的测量精度。本发明提供了一种法拉第装置,其中设置了一对磁体,用于在所述孔径附近产生一个具有横跨所述障板孔径的方向的磁场,于是射束等离子体和障板表面附近产生的等...
离子源制造技术
一种离子源包括: 一个等离子体产生窒,所述等离子体产生窒包括把气体引入到等离子体产生窒的气体引入部分、和用于从其抽出离子束的离子抽出口; 用于向等离子体产生窒提供电子以通过电子碰撞来离子化气体产生等离子体的电子产生源; ...
操作离子源的方法以及离子源系统技术方案
一种离子源包括: 等离子体产生室,用于产生等离子体; 蒸气发生室,用于蒸发置于其中的固体原料,从而产生蒸气;和 支承体,用于以离子源凸缘为基础支承等离子体产生室,该支承体具有冷却介质通道,用于使流过冷却介质通道的冷却介...
不易燃的和火灾预防型电容器制造技术
在不易燃的和火灾预防型电容器中,增加了电容器容器的密封性能,多个电容器元件集中并容纳在该容器中,且它的内部通过真空脱气,装满通过脱气装置脱气的全氟化碳液体,然后形成在全氟化碳液体中保持残余空气量不大于5%的电容器。欲装入该容器中的氟化物...
金属蒸镀薄膜电容器制造技术
一种总是稳定的寿命长的金属蒸镀薄膜电容器。该金属蒸镀薄膜电容器利用热收缩性管对卷绕金属化薄膜而成的电容器元件进行封装,其中,设定热收缩性管(8),使得电容器元件(4)的外径De与收缩后的热收缩性管(8)的内径Dt之比De/Dt≥1.5,...
多相开闭器制造技术
要解决的技术问题是,在气体VT具有的断路装置中,由于通过绝缘棒连接、断开高压电路和电压变换元件,因而支承电压变换元件的具有足够强度的绝缘棒直径变大,导致气体VT大型化。而且,操作装置需要位于气体VT底部,需要大的设置空间。本发明的气体V...
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