本发明提供一种气体处理装置，具有电晕电极（１０）和与该电晕电极（１０）对置的集尘电极（２０），在所述电晕电极（１０）与所述集尘电极（２０）之间施加高电压，在通过所述电晕电极（１０）与所述集尘电极（２０）之间的气体（Ｇ）中形成电晕放电，以...

一种颗粒物质除去装置，其中过滤器由绝热陶瓷纤维制成，其中由于在过滤排放气体后捕获的颗粒物质，气流被堵塞，导致过滤器压力损失增加，使用加热部件加热过滤器的表面，由此燃烧和除去颗粒物质。过滤器具有绝热特性，由此将绝热材料布置在过滤器的颗粒物...

本发明是在α－ＳｉＣ单晶基体材料（１）的表面上通过ＰＶＤ法或热ＣＶＤ法层叠厚度为１０μｍ以上的β－ＳｉＣ多晶片（２）构成复合体（Ｍ），然后对所形成的复合体（Ｍ）在１６５０～２４００℃的温度范围内热处理，使β－ＳｉＣ多晶片（２）的多晶体相...

本发明是在α－ＳｉＣ单晶基体材料（１）的表面上通过研磨面以紧密接触的状态重叠、或利用热ＣＶＤ法层状成膜的方式层叠β－ＳｉＣ多晶片（２）形成复合体（Ｍ），然后对所形成的复合体（Ｍ）在１８５０～２４００℃的温度范围内进行热处理，使β－ＳｉＣ...

在紧密层叠的多个板状的α－ＳｉＣ单晶片（２）的统一为同一方向的结晶面（２ａ）上层叠用热ＣＶＤ法成膜的β－ＳｉＣ多晶板（４）而形成复合体（Ｍ），在１８５０－２４００℃的温度下对该复合体（Ｍ）进行热处理，使得从各α－ＳｉＣ单晶片（２）的结晶...

本发明涉及一种电弧型蒸发源，该蒸发源拥有基本上呈柱状的阴极，其轴向长度大于其直径；阴极供料装置，用于沿该阴极的轴向向该阴极供料；阴极冷却装置，用于以冷却剂冷却该阴极的至少一侧表面；和磁线圈，用于产生基本垂直延伸到该阴极前端的蒸发表面或从...

一种电弧型离子镀装置具有用于夹持基底的夹持器。该夹持器安装在真空室中。传输弯管的一端连接于该真空室上以面对夹持器上的基底。该传输管具有方形或者椭圆形截面。多个电弧蒸发源沿纵向Ｙ布置在传输管的另一端。各个电弧蒸发源通过真空电弧放电熔化阴极...

本发明涉及包含氟和氢的碳膜，该碳膜的ＦＴ－ＩＲ（傅里叶变换红外线）分光分析法的光谱中，来源于Ｃ－Ｆ键的１０００ｃｍ＃＋［－１］～１３００ｃｍ＃＋［－１］的峰面积（ＩＲ.Ｃ－Ｆ）和来源于Ｃ－Ｈ键的２８００ｃｍ＃＋［－１］～３１００ｃｍ＃＋...

真空电弧蒸发源３０通过真空电弧放电来蒸发阴极以便由此产生含有阴极材料的等离子体３６和３８。真空电弧蒸发源３０具有含有互不相同的种类的材料并且互相电绝缘的两个阴极３２和３４。阴极３２和３４通过绝缘材料４０互相同轴地配置。可交换地使用这两个...

本发明涉及一种含有碳作为主要成分，形成在软基体材料４上的碳膜Ｃ，其特征在于碳膜Ｃ被Ａ分裂并且分成许多区域Ｂ，被裂缝Ａ围起来的各区域（块）的平均面积为０．１５×１０＃＋［－３］ｍｍ＃＋［２］～２０×１０＃＋［－３］ｍｍ＃＋［２］。

一种真空电弧蒸镀方法，包括下述步骤： 通过电弧放电从蒸发源中蒸发阴极材料，阴极材料位于一个曲线管或弯管的一端上； 通过沿着和围绕着该管在其多个位置处设置多个磁铁而形成磁过滤器，该多个磁铁包括端磁铁，该端磁铁最靠近等离子体喷射...

一种覆碳膜部件，它包括基底；在该基底至少一部分上形成的混合层，它包含构成基底的元素和钨；在该混合层上形成的钨膜；在该钨膜上形成的碳膜。

一种真空电弧沉积设备，其包括：　　　　一真空腔；　　　　一电弧蒸发源，其利用真空电弧放电从阴极蒸发出阴极材料，所述电弧蒸发源包括：　　　　一用导体制成的阴极保持器，用于对所述阴极进行保持；　　　　多个阴极，它们附连到所述阴极保持器上；　...

偏转磁场型真空电弧蒸镀装置具有蒸镀单元（ＵＮ１、ＵＮ２），这些单元包含蒸发源（３、３’）和附设磁场形成线圈（４００、４２、４２’）的弯曲过滤槽（４、４’）。槽（４、４’）形成朝向被成膜件托架（２）的公共槽端部（４０），在各槽的相反侧端部...

一种用于制造碳纳米线圈的催化剂颗粒及其制备方法，以及碳纳米颗粒的制造方法，其中催化剂颗粒在使用气相合成法时，也可以使碳纳米线圈的产率提高，且在短时间内生成碳纳米线圈，可以更简单地制造碳纳米线圈。作为要通过化学气相生成法制造的外径为１００...