本发明提供一种等离子体控制系统，可使用长条状的天线来应对基板的大型化，并沿着天线的长边方向产生均匀的等离子体。本发明包括：高频电源4；天线组3x，具有连接于高频电源4的多个天线3；多个电抗可变元件VC，连接于多个天线3的供电侧以及接地侧...

本发明提供一种加工方法，在结晶性不同的两种氧化物半导体层叠而成的氧化物半导体层的加工中容易获得所需的形状。所述加工方法将包含氧化物半导体的第一半导体层、与包含较构成所述第一半导体层的氧化物半导体而言结晶性高的氧化物半导体的第二半导体层自...

一种等离子体处理装置，使用等离子体对配置于处理室中的被处理物进行真空处理，所述等离子体处理装置包括：容器主体，在形成所述处理室的壁具有开口；金属板，以堵塞所述开口的方式设置，并形成有在厚度方向上贯通的狭缝；电介质板，与所述金属板接触而受...

绝缘气体用吸附剂在包含二氧化碳和有机氟化合物的绝缘气体气氛下使用。绝缘气体用吸附剂含有沸石。沸石包含A型沸石、且包含X型沸石和ZSM

电源装置(1)包括：能量储存装置(10)、将DC输出转换为AC输出的转换器(20)、控制部(60)。控制部(60)在输出电流超过第一极限值时，通过使输出电压低于通常时的值，来控制转换器(20)以使输出电流的值成为大于第一极限值的规定值。...

本发明在成膜室内使对靶供给的气体的压力变得均匀，提升形成于基板的薄膜的均匀性。在溅射装置(1)中，在多个靶(30)之中邻接的两块靶(30)的任一者中，均相对于形成于两块靶(30)之间的第一空间(S1)，以规定的第一位置关系配置天线(20...

一种等离子体处理装置，使用等离子体对配置于处理室中的被处理物进行真空处理，所述等离子体处理装置包括：容器主体，在形成所述处理室的壁具有开口；金属板，以堵塞所述开口的方式设置，并形成有在厚度方向上贯通的狭缝；电介质板，自所述处理室的外部侧...

电压变换器包括：接地线，其一端接地；电容器，形成于接地线的另一端与输电线之间；检测部，在通过输电线供给交流电力时，使用线圈绝缘地检测在接地线流动的电流；以及积分部，对由检测部检测出的信号进行积分，积分部的积分结果用于生成输电线的电压的测...

一种薄膜晶体管，在基板上依序配置有栅极电极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极及漏极电极，所述薄膜晶体管的特征在于，所述氧化物半导体层自所述基板侧起依序具备第一半导体层与第二半导体层，所述第一半导体层与所述第二半导体层包括含有相互相同...

本发明是一方面满足FRT必要条件，一方面在系统异常时也稳定地进行对于负载的电力供给的电源系统，其包括：分散型电源2，连接于用以自商用电力系统10对重要负载30供电的电力线L1；开闭开关3，设置在电力线L1上的较分散型电源2更靠商用电力系...

本发明实现一种等离子体处理装置，其可使形成于基板的膜的成膜速率及膜厚度均匀。等离子体处理装置(1)包括多个设置于真空容器(10)内的等离子体生成用的天线(20)；设置有多个气体喷出口(30)的多个组群，所述多个气体喷出口(30)相对于多...

本发明即便在变更了成为处理对象的基板的大小或材质等的情况下，也可对照变更后的基板调节支撑所述基板的位置。本发明包括：框体，载置由搬送装置所搬送的基板；以及基板交接机构，将由所述搬送装置搬送至所述框体的上方的所述基板交接至所述框体，且所述...

本发明提供一种尘埃堆积探测装置，其不论尘埃的种类如何，均可探测尘埃的堆积。所述尘埃堆积探测装置包括：反射构件(120)，具有两个反射面，剖面为L字型；发光部(102)，朝反射构件照射光；光探测部(106)，探测由反射构件所反射的光；以及...

本发明提供一种不断电电源装置，也可应对包括瞬时电压下降在内的电压下降及频率变动以外的各种系统异常。一种不断电电源装置100，设置于商用电力系统10与重要负载30之间，对重要负载30供给交流电力，所述不断电电源装置100包括：电源部2，包...

本发明可使用长尺寸状的天线来应对基板的大型化，并沿着天线的长边方向产生均匀的等离子体。本发明包括：高频电源；第一天线，一端部与高频电源连接；第二天线，一端部与第一天线的另一端部连接；第一电抗可变元件，设置于第一天线与第二天线之间；第一电...

本发明降低顶板与加热器的热膨胀的偏差以防止加热器的破损，包括：顶板2，载置基板W；加热器3，被设在顶板2的下表面；板温度检测部4，检测顶板2的温度；加热器温度检测部5，检测加热器3的温度；以及加热器控制部6，基于加热器3的检测温度与顶板...

在使用液体物质来作为电介质的电容元件中，防止静电电容变化。电容元件包括：收纳容器，具有将作为电介质的液体导入的导入端口及将所述液体导出的导出端口，且由所述液体来装满；以及至少一对电极，设置于所述收纳容器内且彼此相向，并且在所述收纳容器的...

本发明是使天线导体冷却而稳定地产生等离子体，并且一面使与天线导体连接的可变电容器冷却，一面抑制其静电电容的意外的变动。一种等离子体处理装置，在真空容器内产生等离子体，利用所述等离子体对基板进行处理，所述等离子体处理装置包括：天线导体，被...

本发明是一方面满足FRT必要条件，一方面使用共同的分散型电源来同时实现无停电电源功能及负荷平准化功能的电源系统，其包括：分散型电源2，连接于用以自商用电力系统10对重要负荷30供电的电力线L1；切换开关3，设置在电力线L1上较分散型电源...

一种薄膜晶体管的制造方法，制造在基板上具有栅极电极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极及漏极电极的薄膜晶体管，且所述薄膜晶体管的制造方法包括通过使用等离子体来溅射靶材而在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层的步骤，所述形成氧化物半导体层...