等离子体控制系统及等离子体控制程序技术方案

本发明专利技术提供一种等离子体控制系统，可使用长条状的天线来应对基板的大型化，并沿着天线的长边方向产生均匀的等离子体。本发明专利技术包括：高频电源4；天线组3x，具有连接于高频电源4的多个天线3；多个电抗可变元件VC，连接于多个天线3的供电侧以及接地侧；电流检测机构Sx，检测在多个天线3的供电侧及接地侧流动的电流；均匀性算出部X1，基于由电流检测机构Sx检测出的电流值，算出在多个天线3中流过的电流的均匀性指标值；以及电抗变更部X2，依次变更多个电抗可变元件VC的电抗，以使由均匀性算出部X1算出的均匀性指标值接近规定的设定值。出的均匀性指标值接近规定的设定值。出的均匀性指标值接近规定的设定值。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体控制系统及等离子体控制程序


[0001]本专利技术涉及一种对使高频电流流入天线而产生的感应耦合型的等离子体进行控制的等离子体控制系统以及在所述等离子体控制系统中使用的程序。

技术介绍

[0002]作为产生感应耦合型的等离子体(略称为ICP(Inductively Coupled Plasma))者，如专利文献1所示，已知以如下方式构成的等离子体处理装置：将多根天线配置于真空容器内的基板的四角上，使高频电流流入这些天线中。
[0003]若更详细地进行说明，则所述等离子体处理装置包括：与多个天线分别连接的可变阻抗元件、及设置于多个天线各自的供电侧的拾波线圈(Pickup coil)或电容器。而且，根据来自拾波线圈或电容器的输出值来对可变阻抗元件的阻抗进行反馈控制，由此将在各个天线的周围产生的等离子体的密度控制于规定范围内，而谋求在真空容器内产生的等离子体密度的空间的均匀化。
[0004]然而，若基板变成大型的基板，则无法通过将如专利文献1的等离子体处理装置中所使用的尺寸比较短的天线配置于基板的四角上来应对，在此情况下，可使用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种等离子体控制系统，包括：高频电源；天线组，具有连接于所述高频电源的多个天线；多个电抗可变元件，连接于所述多个天线的供电侧以及接地侧；电流检测机构，检测在所述多个天线的供电侧及接地侧流动的电流；均匀性算出部，基于由所述电流检测机构检测出的电流值，算出在所述多个天线中流过的电流的均匀性指标值；以及电抗变更部，依次变更所述多个电抗可变元件的电抗，以使由所述均匀性算出部算出的均匀性指标值接近规定的设定值。2.根据权利要求1所述的等离子体控制系统，其中所述天线组包括：至少两个第一天线及第二天线，连接于所述高频电源且彼此串联连接；以及至少两个第三天线及第四天线，连接于所述高频电源，并且彼此串联连接且并联连接于所述第一天线及所述第二天线；所述电抗可变元件分别设置于所述第一天线的供电侧、所述第一天线与所述第二天线之间、所述第二天线的接地侧、所述第三天线的供电侧、所述第三天线与所述第四天线之间、所述第四天线的接地侧，所述电流检测机构检测分别在所述第一天线的供电侧、所述第一天线与所述第二天线之间、所述第二天线的接地侧、所述第三天线的供电侧、所述第三天线与所述第四天线之间、所述第四天线的接地侧流动的电流。3.根据权利要求1或2所述的等离子体控制系统，其中所述均匀性算出部将由所述电流检测机构检测出的电流值的最大值及最小值作为参数来算出所述均匀性指标值。4.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体控制系统，其中所述电抗变更部变更所述电抗可变元件的电抗，由此在所述均匀性指标值远...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩苔翼，岸田茂明，
申请(专利权)人：日新电机株式会社，
类型：发明
国别省市：