【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体处理装置
本专利技术涉及一种在真空容器内产生等离子体，利用所述等离子体对基板进行处理的等离子体处理装置。
技术介绍
自以往以来已提出一种等离子体处理装置，使高频电流流入至天线，通过由此产生的感应电场而产生感应耦合型等离子体(inductivelycoupledplasma)(简称ICP)，利用所述感应耦合型的等离子体对基板W实施处理。作为此种等离子体处理装置，如专利文献1所示，可考虑在等离子体生成腔室内配置多个内部直线天线，在所述内部直线天线与接地之间或多个内部直线天线等的各自之间连接杂散电容器或中间电容器。在所述等离子体处理装置中，将杂散电容器或中间电容器设为可变电容。而且，设为通过改变这些电容，来改变内部直线天线等上的高频电压分布，对所述内部直线天线等与等离子体的静电的耦合进行控制。但是，杂散电容器或中间电容器会通过等离子体生成时所产生的热，而使这些电容器的相对介电系数发生变化。其结果为，存在杂散电容器或中间电容器的静电电容发生意外变动的问题。又，内部直线天线会通过等离子体生成时所...
【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，在真空容器内产生等离子体，利用所述等离子体对基板进行处理，所述等离子体处理装置包括：/n天线导体，被流入高频电流，用以产生等离子体；以及/n可变电容器，与所述天线导体电连接，且/n所述天线导体在内部具有冷却液所流动的流路，/n所述可变电容器的介电质包括在所述天线导体内流动的冷却液。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171201 JP 2017-2313741.一种等离子体处理装置，在真空容器内产生等离子体，利用所述等离子体对基板进行处理，所述等离子体处理装置包括：
天线导体，被流入高频电流，用以产生等离子体；以及
可变电容器，与所述天线导体电连接，且
所述天线导体在内部具有冷却液所流动的流路，
所述可变电容器的介电质包括在所述天线导体内流动的冷却液。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中
所述可变电容器包括：
第一固定电极，与所述天线导体电连接；
第二固定电极，和与所述天线导体不同的天线导体电连接，或接地；以及
活动电极，与所述第一固定电极之间形成第一电容器，并且与所述第二固定电极之间形成第二电容器。
3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其中
所述活动电极围绕着规定的旋转轴旋转，
所述第一固定电极及所述第二固定电极围绕着所述旋转轴，设置在互不相同的位置。
4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其中
所述第一固定电极及所述第二固定电极设置在关于所述旋转轴而对称的位置上，并且形成彼此相同形状，
所述活动电极包括与所述第一固定电极相向的第一活动金属板、以及与所述第二固定电极相向的第二活动金属板，
所述第一活动金属板及所述第二活动金属板设置在关于所述旋转轴而对称的位置上，并且形成彼此相同形状。
5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其中
所述第一固定电极及所述第二固定电极分别具有以彼此相向的方式而设置的多个固定金属板，
所述第一活动金属板对应于构成所述第一固定电极的多个固定金属板而设置有多个，
所述第二活动金属板对应于构成所述第二固定...
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