等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术是使天线导体冷却而稳定地产生等离子体，并且一面使与天线导体连接的可变电容器冷却，一面抑制其静电电容的意外的变动。一种等离子体处理装置，在真空容器内产生等离子体，利用所述等离子体对基板进行处理，所述等离子体处理装置包括：天线导体，被流入高频电流，用以产生等离子体；以及可变电容器，与所述天线导体电连接，且所述天线导体在内部具有冷却液所流动的流路，所述可变电容器的介电质包括在所述天线导体内流动的冷却液。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体处理装置
本专利技术涉及一种在真空容器内产生等离子体，利用所述等离子体对基板进行处理的等离子体处理装置。
技术介绍
自以往以来已提出一种等离子体处理装置，使高频电流流入至天线，通过由此产生的感应电场而产生感应耦合型等离子体(inductivelycoupledplasma)(简称ICP)，利用所述感应耦合型的等离子体对基板W实施处理。作为此种等离子体处理装置，如专利文献1所示，可考虑在等离子体生成腔室内配置多个内部直线天线，在所述内部直线天线与接地之间或多个内部直线天线等的各自之间连接杂散电容器或中间电容器。在所述等离子体处理装置中，将杂散电容器或中间电容器设为可变电容。而且，设为通过改变这些电容，来改变内部直线天线等上的高频电压分布，对所述内部直线天线等与等离子体的静电的耦合进行控制。但是，杂散电容器或中间电容器会通过等离子体生成时所产生的热，而使这些电容器的相对介电系数发生变化。其结果为，存在杂散电容器或中间电容器的静电电容发生意外变动的问题。又，内部直线天线会通过等离子体生成时所产生的热而变为高温，从而因天线自身的破损或其周边结构的破损等而难以稳定地产生等离子体。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开11-317299号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题因此，本专利技术是为了解决所述问题而完成，其主要问题在于使天线导体冷却而稳定地产生等离子体，并且一面使与天线导体连接的可变电容器冷却，一面抑制其静电电容的意外的变动。解决问题的技术手段即，本专利技术的等离子体处理装置是在真空容器内产生等离子体，利用所述等离子体对基板进行处理的等离子体处理装置，其特征在于包括：天线导体，被流入高频电流，用以产生等离子体；以及可变电容器，与所述天线导体电连接，且所述天线导体在内部具有冷却液流动的流路，所述可变电容器的介电质包括在所述天线导体内流动的冷却液。若为此种等离子体处理装置，则可通过冷却液而使天线导体冷却，故可稳定地产生等离子体。又，由于利用在天线导体内流动的冷却液构成可变电容器的介电质，故可一面使可变电容器冷却，一面抑制其静电电容的意外的变动。通常，冷却液通过温度调节机构而调整至固定温度，通过使用所述冷却液作为介电质，而可抑制温度变化所引起的相对介电系数的变化，并抑制伴随于此而产生的静电电容的变化。此外，当使用水作为冷却液时，水的相对介电系数为约80(20℃)，从而可构成能够耐受高电压的可变电容器。理想的是，所述可变电容器包括：第一固定电极，与所述天线导体电连接；第二固定电极，和与所述天线导体不同的天线导体电连接，或接地；以及活动电极，与所述第一固定电极之间形成第一电容器，并且与所述第二固定电极之间形成第二电容器。若为所述构成，则无需在活动电极上连接外部的电路元件(例如天线导体或接地)。其结果为，可不需要使活动电极与外部的电路元件接触的使用滑块(电刷(brush))的连接器(connector)，从而可降低因使用滑块的连接器而产生的连接不良。理想的是，所述活动电极是围绕着规定的旋转轴旋转的电极，所述第一固定电极及所述第二固定电极围绕着所述旋转轴设置在互不相同的位置上。若为所述构成，则第一固定电极及第二固定电极围绕着旋转轴而配置，可使旋转轴的轴方向上的尺寸变得紧凑。理想的是，所述第一固定电极及所述第二固定电极设置在关于所述旋转轴而对称的位置上，并且形成彼此相同形状，所述活动电极包括与所述第一固定电极相向的第一活动金属板、以及与所述第二固定电极相向的第二活动金属板，所述第一活动金属板及所述第二活动金属板设置在关于所述旋转轴而对称的位置上，并且形成彼此相同形状。若为所述构成，则可使活动电极旋转时的第一电容器的静电电容的变化量与第二电容器的静电电容的变化量相同。其结果为，可使静电电容的调整变得容易。又，构成各固定电极的金属板为相同形状，活动电极的各活动金属板为相同形状，故也可削减零件个数。理想的是，所述第一固定电极及所述第二固定电极分别具有以彼此相向的方式而设置的多个固定金属板，所述第一活动金属板对应于构成所述第一固定电极的多个固定金属板而设置有多个，所述第二活动金属板对应于构成所述第二固定电极的多个固定金属板而设置有多个。若为所述构成，则可不增大固定金属板及活动金属板的面积，而增大电极间的相向面积的最大值。理想的是，所述第一活动金属板及所述第二活动金属板在俯视时，形成随着自所述旋转轴向径向外侧行进而展开的扇形形状，所述固定金属板在俯视时，形成随着朝向所述旋转轴而宽度缩小的形状，所述金属板的缩小的端边是沿所述旋转轴的径向而形成，所述旋转轴侧的前端边呈圆弧状。若为所述构成，则可与活动电极的旋转角度成比例地调整静电电容。理想的是，所述可变电容器包括收容所述第一固定电极、所述第二固定电极及所述活动电极的具有绝缘性的收容容器，所述收容容器包括导入所述冷却液的导入端口、及导出所述冷却液的导出端口，所述导入端口及所述导出端口设置在相互相向的位置上。若为所述构成，则冷却液容易在收容容器的内部流动。其结果为，收容容器内的冷却液的替换变得容易，可高效率地进行可变电容器的冷却。理想的是，以如下的方式而构成：所述第一固定电极及所述第二固定电极与所述活动电极的相向方向和所述导入端口及所述导出端口的相向方向正交。若为所述构成，则冷却液容易在各固定电极及活动电极之间流动。其结果为，各固定电极及活动电极之间的冷却液的替换变得容易，成为介电质的冷却液的温度变化得到抑制。由此，容易使可变电容器的静电电容维持固定。为了容易将各固定电极安装至收容容器，理想的是，所述第一固定电极自所述导入端口或所述导出端口中的其中一者插入至收容容器的内部而设置，所述第二固定电极自所述导入端口或所述导出端口中的另一者插入至收容容器的内部而设置。当在等离子体处理装置中贯通所述真空容器而设置有所述天线导体时，理想的是，所述可变电容器与所述天线导体中的延伸至所述真空容器的外部的端部电连接。为了在所述等离子体处理装置中对大面积的基板实施处理，可考虑包括多个所述天线导体。因此，多个所述天线导体贯通所述真空容器而设置。此时，理想的是，所述可变电容器是将相互邻接的所述天线导体中的延伸至所述真空容器的外部的端部彼此加以电连接的构件，且使相互邻接的所述天线导体的流路连通。专利技术的效果根据如上所述而构成的本专利技术，可稳定地产生等离子体，并且一面使可变电容器冷却，一面抑制其静电电容的意外的变动。附图说明图1是示意性地表示本实施方式的等离子体处理装置的构成的纵剖面图。图2是示意性地表示所述实施方式的等离子体处理装置的构成的横剖面图。图3是示意性地表示所述实施方式的连接导体的横剖面图。图4是示意性地表示所述实施方式的连接导体的纵剖面图。图5是自导入端口侧观察所述实施方式的可变电容器的侧视图。图6是表示所述实施方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，在真空容器内产生等离子体，利用所述等离子体对基板进行处理，所述等离子体处理装置包括：/n天线导体，被流入高频电流，用以产生等离子体；以及/n可变电容器，与所述天线导体电连接，且/n所述天线导体在内部具有冷却液所流动的流路，/n所述可变电容器的介电质包括在所述天线导体内流动的冷却液。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171201 JP 2017-2313741.一种等离子体处理装置，在真空容器内产生等离子体，利用所述等离子体对基板进行处理，所述等离子体处理装置包括：
天线导体，被流入高频电流，用以产生等离子体；以及
可变电容器，与所述天线导体电连接，且
所述天线导体在内部具有冷却液所流动的流路，
所述可变电容器的介电质包括在所述天线导体内流动的冷却液。


2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中
所述可变电容器包括：
第一固定电极，与所述天线导体电连接；
第二固定电极，和与所述天线导体不同的天线导体电连接，或接地；以及
活动电极，与所述第一固定电极之间形成第一电容器，并且与所述第二固定电极之间形成第二电容器。


3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其中
所述活动电极围绕着规定的旋转轴旋转，
所述第一固定电极及所述第二固定电极围绕着所述旋转轴，设置在互不相同的位置。


4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其中
所述第一固定电极及所述第二固定电极设置在关于所述旋转轴而对称的位置上，并且形成彼此相同形状，
所述活动电极包括与所述第一固定电极相向的第一活动金属板、以及与所述第二固定电极相向的第二活动金属板，
所述第一活动金属板及所述第二活动金属板设置在关于所述旋转轴而对称的位置上，并且形成彼此相同形状。


5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其中
所述第一固定电极及所述第二固定电极分别具有以彼此相向的方式而设置的多个固定金属板，
所述第一活动金属板对应于构成所述第一固定电极的多个固定金属板而设置有多个，
所述第二活动金属板对应于构成所述第二固定...

【专利技术属性】
技术研发人员：安东靖典，
申请(专利权)人：日新电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP