氧化物半导体的加工方法及薄膜晶体管的制造方法技术

本发明专利技术提供一种加工方法，在结晶性不同的两种氧化物半导体层叠而成的氧化物半导体层的加工中容易获得所需的形状。所述加工方法将包含氧化物半导体的第一半导体层、与包含较构成所述第一半导体层的氧化物半导体而言结晶性高的氧化物半导体的第二半导体层自基板侧依序层叠而成的半导体层叠体，利用离子研磨法进行加工而成形。进行加工而成形。进行加工而成形。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氧化物半导体的加工方法及薄膜晶体管的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种氧化物半导体的加工方法及薄膜晶体管的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，正在积极开发将In
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Ga
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Zn
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O系(氧化铟镓锌(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO))等氧化物半导体层用于通道层的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)。作为将氧化物半导体层用于通道层的薄膜晶体管的制造方法，例如专利文献1公开有如下方法：通过溅射而在栅极绝缘层上形成氧化物半导体层后，在氧化物半导体层上形成金属膜，且通过对此金属膜进行蚀刻而形成源极电极以及漏极电极。此专利文献1中记载有如下内容：由于以大的成膜速度来形成膜质优异的氧化物半导体层，故而当进行溅射时，通过仅供给氩作为溅射气体而首先形成结晶性低的第一氧化物半导体层，在其上，通过供给氩与氧的混合气体作为溅射气体而形成结晶性高的第二氧化物半导体层。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种加工方法，将包含氧化物半导体的第一半导体层、与包含较构成所述第一半导体层的氧化物半导体而言结晶性高的氧化物半导体的第二半导体层自基板侧依序层叠而成的半导体层叠体，利用离子研磨法进行加工而成形。2.根据权利要求1所述的加工方法，其中所述第一半导体层包含非晶质的氧化物半导体，且所述第二半导体层包含结晶质的氧化物半导体。3.根据权利要求1或2所述的加工方法，其中构成所述第一半导体层的氧化物半导体的组成、与构成所述第二半导体层的氧化物半导体的组成相同。4.根据权利要求1或3所述的加工方法，其中构成所述第一半导体层及所述第二半导体层的氧化物半导体为氧化铟镓锌。5.根据权利要求1或4所述的加工方法，其中在对于所述第二半导体层的通过使用Cu
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Kα射线的θ<...

【专利技术属性】
技术研发人员：松尾大辅，安东靖典，
申请(专利权)人：日新电机株式会社，
类型：发明
国别省市：