薄膜晶体管的制造方法技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管的制造方法，能够高效率地形成与其他层的界面处的氧缺失等缺陷少的氧化物半导体层。本发明专利技术的薄膜晶体管的制造方法是制造在基板上层叠有栅极电极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极及漏极电极的薄膜晶体管的方法，其包括通过使用等离子体来溅射靶材而形成所述氧化物半导体层的半导体层形成步骤，且所述半导体层形成步骤包括：高速成膜步骤，对所述靶材施加规定值的偏压来进行溅射；以及低速成膜步骤，对所述靶材施加绝对值较所述规定值小的偏压来进行溅射。施加绝对值较所述规定值小的偏压来进行溅射。施加绝对值较所述规定值小的偏压来进行溅射。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】薄膜晶体管的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种薄膜晶体管的制造方法。且特别涉及一种使用等离子体来溅射靶材而形成氧化物半导体层的薄膜晶体管的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，正在积极进行将In
‑
Ga
‑
Zn
‑
O系(IGZO)的氧化物半导体用于通道层的薄膜晶体管的开发。在具有此种氧化物半导体层的薄膜晶体管的制造步骤中，若在氧化物半导体层中、特别是与其他层的界面处存在大量氧缺失等缺陷，则其导电率发生变化，并有使薄膜晶体管的电特性劣化之虞。因此，为了减少氧化物半导体层中的氧缺失等缺陷，自之前以来进行了各种尝试。
[0003]例如，专利文献1中公开有如下方法：将氧流量相对于溅射气体的总流量的比例设为90％以上、100％以下来溅射作为靶材的金属氧化物，由此形成氧过剩的状态的氧化物半导体层，并设为利用致密的金属氧化物覆盖所述氧化物半导体层的结构，由此获得具有氧过剩的氧化物半导体层的薄膜晶体管。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献r/>[0006]专本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种薄膜晶体管的制造方法，制造在基板上层叠有栅极电极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极及漏极电极的薄膜晶体管，且所述薄膜晶体管的制造方法包括通过使用等离子体来溅射靶材而形成所述氧化物半导体层的半导体层形成步骤，所述半导体层形成步骤包括：高速成膜步骤，对所述靶材施加规定值的偏压来进行溅射；以及低速成膜步骤，对所述靶材施加绝对值较所述规定值小的偏压来进行溅射。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其中在所述半导体层形成步骤中，在进行所述低速成膜步骤之后进行所述高速成膜步骤，其后进而进行所述低速成膜步骤。3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管的制造方法，其中所述低速成膜步骤中的溅射时间较所述高速成膜步骤中的溅射时间短。4.根据权利要求1至3中任一项所述的薄膜晶体管的制造方法，其中在所述高速成膜步骤及所述低速成膜步骤中，使用相同组成的靶材进行溅射。5.根据权利要求1至4中任一项所述的薄膜晶体管的制造方法，其中在所述高速成膜步骤及所述低速成膜步骤中，供给相同组成的溅射气体进行溅射。6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：松尾大辅，安东靖典，瀬戸口佳孝，
申请(专利权)人：日新电机株式会社，
类型：发明
国别省市：