薄膜晶体管、阵列基板与显示面板制造技术

本公开提供了一种薄膜晶体管、阵列基板和显示面板，薄膜晶体管包括：有源层、栅绝缘层和栅极，有源层包括沟道区和位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区；栅绝缘层位于所述有源层的一侧；栅极位于所述栅绝缘层背离所述有源层的一侧，所述栅极包括靠近所述漏极区的第一区域、靠近所述源极区的第二区域和位于所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域；其中，所述栅极在相同电平信号下，所述第三区域作用于所述沟道区上的电场强度，大于所述第一区域作用于所述沟道区上的电场强度。本公开提供的薄膜晶体管，能够减少薄膜晶体管的漏电。能够减少薄膜晶体管的漏电。能够减少薄膜晶体管的漏电。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、阵列基板与显示面板


[0001]本公开涉及显示
，具体而言，涉及一种薄膜晶体管、阵列基板与显示面板。

技术介绍

[0002]薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)和有机发光二极管(Organic Light
‑
Emitting Diode，OLED)等显示装置有源驱动的关键部件，发挥着重要的作用。
[0003]根据形成有源层(Active)结构的材料不同，薄膜晶体管包括非晶硅薄膜晶体管(a
‑
Si TFT)、氧化物薄膜晶体管(Oxide TFT)和低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)，低温多晶硅薄膜晶体管相比于非晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管，具有迁移率高等优点，适合高PPI和多系统的集成(如GOA)的中小显示技术。
[0004]但是，由于晶界等缺陷的存在，低温多晶硅薄膜晶体管的漏电远高于非晶硅和氧化物半导体。
[0005]需要说明的是，在上述
技术介绍
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：有源层，包括沟道区和位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区；栅绝缘层，位于所述有源层的一侧；栅极，位于所述栅绝缘层背离所述有源层的一侧，所述栅极包括靠近所述漏极区的第一区域、靠近所述源极区的第二区域和位于所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域；其中，所述栅极在相同电平信号下，所述第三区域作用于所述沟道区上的电场强度，大于所述第一区域作用于所述沟道区上的电场强度。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极在相同电平信号下，所述第三区域作用于所述沟道区上的电场强度，大于所述第二区域作用于所述沟道区上的电场强度。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅绝缘层位于所述栅极的所述第一区域与所述有源层之间的厚度，大于位于所述栅极的所述第三区域与所述有源层之间的厚度。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅绝缘层位于所述栅极的所述第二区域与所述有源层之间的厚度，大于位于所述栅极的所述第三区域与所述有源层之间的厚度。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：缓冲层，位于所述有源层背离所述栅绝缘层的一侧；所述缓冲层与所述第三区域对应的厚度，大于与所述第一区域对应的厚度，以使所述栅绝缘层位于所述栅极的所述第一区域与所述有源层之间的厚度大于位于所述栅极的所述第三区域与所述有源层之间的厚度。6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述缓冲层与所述第三区域对应的厚度，大于与所述第二区域对应的厚度，以使所述栅绝缘层位于所述栅极的所述第二区域与所述有源层之间的厚度大于位于所述栅极的所述第三区域与所述有源层之间的厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋尊庆，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：