一种减小平面尺寸的TFT器件结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种减小平面尺寸的TFT器件结构，包括玻璃基板以及设置在玻璃基板顶部的金属源极数据走线，所述金属源极的顶部设置有有机绝缘层，且有机绝缘层的中心处开设有第一通孔，所述第一通孔的内壁上设置有半导体有源层，所述半导体有源层上沉积有栅极绝缘层，且栅极绝缘层上相对于有机绝缘层的顶部开设有第二通孔，所述栅极绝缘层的表面设置有金属栅极和金属漏极，且漏极设置在第二通孔处；本实用新型专利技术利用有机绝缘层曝光形成第一通孔，在第一通孔的侧壁将半导体有源层与栅极折叠，使其在平面的投影面积降低，减小TFT器件的平面尺寸，实现液晶显示技术的高开口率、高透过率及高像素密度。率及高像素密度。率及高像素密度。

【技术实现步骤摘要】
一种减小平面尺寸的TFT器件结构


[0001]本技术属于TFT器件
，具体涉及一种减小平面尺寸的TFT器件结构。

技术介绍

[0002]TFT器件又叫金属氧化物平面场效应晶体管，是有源层使用金属氧化物作为半导体层的器件，其广泛应用于平板显示开关器件，传感器开关器件等领域，其工作原理是栅极施加正向电压，载流子聚集在有源层一侧，形成导电沟道，此时源极施加电压，源漏极即可导通。
[0003]TFT器件尺寸对于显示性能影响较大，在液晶显示技术中，TFT器件尺寸会影响像素的开口率，TFT器件尺寸越小，像素的开口率就越大，对应的液晶显示面板的透过率就会提高，显示效果就越好，另一方面，TFT器件尺寸越小，其越容易实现高像素密度，达到更加细腻的显示效果；在OLED，Micro
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LED等自发光显示技术中，通常需要在像素内设计由多个TFT器件组成的内补电路，对输出电流进行补偿，TFT器件越小，越容易实现更优的内补电路，使自发光显示技术可以实现更优秀的显示效果，为此本技术提出一种减小平面尺寸的TFT器件结构。r/>
技术实现思路
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种减小平面尺寸的TFT器件结构，其特征在于：包括玻璃基板（1）以及设置在玻璃基板（1）顶部的金属源极（2），所述金属源极（2）的顶部设置有有机绝缘层（3），且有机绝缘层（3）的中心处开设有第一通孔（10），所述第一通孔（10）的内壁上设置有半导体有源层（4），所述半导体有源层（4）上沉积有栅极绝缘层（5...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩正宇，宋安鑫，李元行，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：新型
国别省市：