半导体装置以及晶体管制造方法及图纸

在包括氧化物半导体膜的半导体装置中，提供一种包括电特性优良的晶体管的半导体装置。本发明专利技术是一种包括晶体管的半导体装置。晶体管包括栅电极、第一绝缘膜、氧化物半导体膜、源电极、漏电极以及第二绝缘膜。氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜以及在第一氧化物半导体膜上并与其接触的第二氧化物半导体膜。源电极和漏电极都包括第一导电膜以及在第一导电膜上并与其接触的第二导电膜。第一导电膜包含钛，第二导电膜包含铜，第二导电膜的端部包括具有包含铜的化合物的区域。具有包含铜的化合物的区域。具有包含铜的化合物的区域。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置以及晶体管
本申请是国际申请号为PCT/IB2017/050230，国际申请日为2017年1月17日的PCT国际申请进入中国阶段后国家申请号为201780006127.6的标题为“半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置”的中国专利申请的分案申请。


[0001]本专利技术的一个方式涉及一种包括氧化物半导体膜的半导体装置及包括该半导体装置的显示装置。
[0002]注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个方式的
涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。由此，更具体而言，作为本说明书所公开的本专利技术的一个方式的
的一个例子可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、照明装置、蓄电装置、存储装置、成像装置、这些装置的驱动方法或者这些装置的制造方法。
[0003]注意，本说明书等中的半导体装置是指通过利用半导体特性而本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：晶体管，其中，所述晶体管包括：栅电极；所述栅电极上的第一绝缘膜；包括夹着所述第一绝缘膜与所述栅电极重叠的区域的氧化物半导体膜；与所述氧化物半导体膜电连接的源电极；与所述氧化物半导体膜电连接的漏电极；以及所述氧化物半导体膜上、所述源电极上及所述漏电极上的第二绝缘膜，其中所述氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜以及在所述第一氧化物半导体膜上并与其接触的第二氧化物半导体膜，其中所述第二氧化物半导体膜的厚度大于所述第一氧化物半导体膜的厚度，其中所述源电极和所述漏电极都包括第一导电膜以及在所述第一导电膜上并与其接触的第二导电膜，其中所述第一导电膜的端部具有位于比所述第二导电膜的端部更外侧的区域，其中所述第一导电膜包含钛，其中所述第二导电膜包含铜，并且，所述第二导电膜的所述端部包括具有包含铜的化合物的区域。2.一种半导体装置，包括：晶体管，其中，所述晶体管包括：栅电极；所述栅电极上的第一绝缘膜；所述栅电极上的第二绝缘膜；包括夹着所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜与所述栅电极重叠的区域的氧化物半导体膜；与所述氧化物半导体膜电连接的源电极；与所述氧化物半导体膜电连接的漏电极；以及所述氧化物半导体膜上、所述源电极上及所述漏电极上的第三绝缘膜，其中所述氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜以及在所述第一氧化物半导体膜上并与其接触的第二氧化物半导体膜，其中所述第二氧化物半导体膜的厚度大于所述第一氧化物半导体膜的厚度，其中所述源电极和所述漏电极都包括第一导电膜以及在所述第一导电膜上并与其接触的第二导电膜，其中所述第一导电膜的端部具有位于比所述第二导电膜的端部更外侧的区域，其中所述第一导电膜包含钛，其中所述第二导电膜包含铜，并且，所述第二导电膜的所述端部包括具有包含铜的化合物的区域。3.一种半导体装置，包括：
晶体管，其中，所述晶体管包括：栅电极；所述栅电极上的第一绝缘膜；包括夹着所述第一绝缘膜与所述栅电极重叠的区域的氧化物半导体膜；与所述氧化物半导体膜电连接的源电极；与所述氧化物半导体膜电连接的漏电极；以及所述氧化物半导体膜上、所述源电极上及所述漏电极上的第二绝缘膜，其中所述氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜以及在所述第一氧化物半导体膜上并与其接触的第二氧化物半导体膜，其中所述第二氧化物半导体膜的厚度大于所述第一氧化物半导体膜的厚度，其中所述源电极和所述漏电极都包括第一导电膜以及在所述第一导电膜上并与其接触的第二导电膜，其中所述第一导电膜的端部具有位于比所述第二导电膜的端部更外侧的区域，其中所述第一导电膜包含第一元素，其中所述第二导电膜包含第二元素，其中所述第一元素和所述第二元素互不相同，并且，所述第二导电膜的所述端部包括具有包含铜的化合物的区域。4.一种半导体装置，包括：晶体管，其中，所述晶体管包括：栅电极；所述栅电极上的第一绝缘膜；包括夹着所述第一绝缘膜与所述栅电极重叠的区域的氧化物半导体膜；与所述氧化物半导体膜电连接的源电极；与所述氧化物半导体膜电连接的漏电极；以及所述氧化物半导体膜上、所述源电极上及所述漏电极上的第二绝缘膜，其中所述氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜以及与所述第一氧化物半导体膜接触的第二氧化物半导体膜，其中所述第二氧化物半导体膜的厚度大于所述第一氧化物半导体膜的厚度，其中所述源电极和所述漏电极都包括第一导电膜以及与所述第一导电膜接触的第二导电膜，其中所述第一导电膜的端部具有位于比所述第二导电膜的端部更外侧的区域，其中所述第一导电膜包含钛，其中所述第二导电膜包含铜，并且，所述第二导电膜的所述端部包括具有包含铜的化合物的区域。5.一种半导体装置，包括：晶体管，其中，所述晶体管包括：
栅电极；所述栅电...

【专利技术属性】
技术研发人员：中泽安孝，肥塚纯一，羽持贵士，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：