半导体装置制造方法及图纸

实施方式的半导体装置(1)具备氧化物半导体层(5)。氧化物半导体层(5)具备金属氧化物，该金属氧化物包含选自由铟及锡所组成的群中的至少1个第1金属元素、及选自由锌、镓、铝、钨、及硅所组成的群中的至少1个第2金属元素。氧化物半导体层(5)具备第1区域，该第1区域在相对于金属氧化物为1原子％以上且小于8原子％的范围内含有选自由氟及氯所组成的群中的至少1个阴离子元素。个阴离子元素。个阴离子元素。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]相关申请案的引用
[0002]本申请案基于2020年08月26日提出申请的在先日本专利申请案第2020
‑
142583号的优先权而主张优先权利益，通过引用将其全部内容并入本文中。


[0003]本专利技术的实施方式涉及一种半导体装置。

技术介绍

[0004]通道区域使用氧化物半导体的氧化物半导体晶体管具有通道泄漏电流较小的特性。这样的氧化物半导体晶体管例如使用包含铟(In)、锡(Sn)、锌(Zn)、镓(Ga)等金属元素的1种或2种以上的金属氧化物。这样的例如具有非晶结构的金属氧化物存在如下情况：具有带隙较大、迁移率较高的特征，相反，作为半导体的特性受损。

技术实现思路

[0005]一实施方式提供一种可提高氧化物半导体的特性的半导体装置。
[0006]实施方式的半导体装置是具备氧化物半导体层的半导体装置，所述氧化物半导体层具备金属氧化物，该金属氧化物包含选自由铟及锡所组成的群中的至少1个第1金属元素、及选自由锌、镓、铝、钨、及硅所组成的群中的至少1个第2金属元素，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，是具备氧化物半导体层的半导体装置，且所述氧化物半导体层具备金属氧化物，该金属氧化物包含选自由铟及锡所组成的群中的至少1个第1金属元素、及选自由锌、镓、铝、钨、及硅所组成的群中的至少1个第2金属元素，所述氧化物半导体层具备第1区域，该第1区域在相对于所述金属氧化物为1原子％以上且小于8原子％的范围内含有选自由氟及氯所组成的群中的至少1个阴离子元素。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层具有非晶结构。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层具备所述阴离子元素的含量相对于所述金属氧化物小于1原子％的第2区域。4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中在利用组成式：M
2i
M
3j
M
4k
M
6l
(O,F,Cl)
n
(式中，M2表示Zn，M3表示In、Ga、及Al，M4表示Sn及Si，M6表示W，i表示M2的原子比，j表示M3的原子比，k表示M4的原子比，l表示M6的原子比，n表示O、F、及Cl的合计原子比)表示所述第1区域的组成时，所述第1区域具有满足(2i+3j+4k+6l)/2
×
0.95＜n＜(2i+3j+4k+6l)/2
×
1....

【专利技术属性】
技术研发人员：河合宏树，片冈淳司，池田圭司，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：