一种金属氧化物薄膜晶体管及制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种金属氧化物薄膜晶体管及制备方法、显示装置，解决了如何改善薄膜晶体管有源层与电极间的接触电阻的问题。薄膜晶体管包括基板；栅极层设置在基板的一侧；栅极绝缘层设置在栅极层远离基板的一侧；金属氧化物半导体层设置在栅极绝缘层远离栅极层的一侧；电极层设置在金属氧化物半导体层远离栅极绝缘层的一侧；电极层部分设置在金属氧化物半导体层的表面，部分设置在栅极绝缘层的表面；电极层包括源极和漏极，源极和漏极在金属氧化物半导体层的两侧相对设置；非晶金属氧化物层设置在电极层和金属氧化物半导体层之间；第一绝缘层设置在电极层远离非晶金属氧化物层的一侧。化物层的一侧。化物层的一侧。

【技术实现步骤摘要】
一种金属氧化物薄膜晶体管及制备方法、显示装置


[0001]本专利技术涉及显示
，具体涉及一种金属氧化物薄膜晶体管及制备方法、显示装置。

技术介绍

[0002]薄膜晶体管作为开关控制元件或周边驱动电路的集成元件，是平板显示技术中的核心器件。近年来，透明氧化物半导体薄膜晶体管备受关注，尤其是铟镓锌氧化物(IGZO)半导体材料，具备迁移率高，均匀性好，工艺温度低，在可见光区透光率高，并且适用于柔性显示等优势。结晶氧化物材料在具备上述优势的同时，由于其缺陷态相较于非晶氧化物更少，相应的TFT器件的迁移率更高，开态电流更大，更有望成为应用在显示领域的新一代氧化物半导体材料。
[0003]电极与半导体有源层的接触电阻对薄膜晶体管的电学性能有很重要的影响，接触电阻过大会增加额外的信号延迟，另外其产生的焦耳热也会造成电能浪费与电路发热，不利于大尺寸和高分辨率显示的驱动。金属电极与非晶氧化物有源层接触，容易形成金属氧化物，可减小接触电阻，同时，非晶有源层在失去部分氧后，形成阻值较低的少氧区，进一步减小接触电阻。但对于结晶氧化物有源层，由于其金属与氧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板；栅极层，设置在所述基板的一侧；栅极绝缘层，设置在所述栅极层远离所述基板的一侧；金属氧化物半导体层，设置在所述栅极绝缘层远离所述栅极层的一侧；电极层，设置在所述金属氧化物半导体层远离所述栅极绝缘层的一侧；其中所述电极层部分设置在所述金属氧化物半导体层的表面，部分设置在所述栅极绝缘层的表面；所述电极层包括源极和漏极，所述源极和所述漏极在所述金属氧化物半导体层的两侧相对设置；非晶金属氧化物层，设置在所述电极层和所述金属氧化物半导体层之间；第一绝缘层，设置在所述电极层远离所述非晶金属氧化物层的一侧。2.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述非晶金属氧化物层在所述基板上的投影与所述电极层在所述基板上的投影重合。3.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述非晶金属氧化物层的厚度为30nm～150nm。4.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括阻挡层，设置在所述金属氧化物半导体层靠近所述非晶金属氧化物的一侧。5.根据权利要求4所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述电极层和所述非晶金属氧化物层贯...

【专利技术属性】
技术研发人员：商慧荣，李燕龙，黄洪涛，曹焜，高威，邵贤杰，王志军，
申请(专利权)人：南京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：