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文档序号:32506710
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实施方式的半导体装置(1)具备氧化物半导体层(5)。氧化物半导体层(5)具备金属氧化物,该金属氧化物包含选自由铟及锡所组成的群中的至少1个第1金属元素、及选自由锌、镓、铝、钨、及硅所组成的群中的至少1个第2金属元素。氧化物半导体层(5)具备...
该专利属于铠侠股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过铠侠股份有限公司授权不得商用。
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