天线机构及等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术能够通过简单的结构来调整为了生成等离子体而流通高频电流的天线本体的阻抗，其为用来生成等离子体P的天线机构3，包括：天线本体31，流通高频电流；以及一条或多条调整电路32，与天线本体31邻接设置，调整电路32具有构成闭路的金属导体321、及构成闭路的电容器322。器322。器322。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】天线机构及等离子体处理装置


[0001]本专利技术涉及一种天线机构及等离子体处理装置。

技术介绍

[0002]以往提出一种等离子体处理装置，所述等离子体处理装置是在天线中流通高频电流，通过由此产生的感应电场产生电感耦合型等离子体(简称ICP(inductively coupled plasma))，并使用所述电感耦合型等离子体对基板W实施处理。
[0003]在这种等离子体处理装置中，若为了应对大型基板等而延长天线，则所述天线的阻抗增大，由此导致在天线的两端间产生大的电位差。其结果存在如下问题：受到所述大的电位差的影响，等离子体的密度分布、电位分布、电子温度分布等的等离子体的均匀性变差，甚至基板处理的均匀性变差。另外，若天线的阻抗增大，则也存在天线中不易流通高频电流的问题。
[0004]为了解决这种问题等，如专利文献1所示，考虑对于多根金属管，在相邻的金属管间介置中空绝缘体而连接，并且在中空绝缘体的内部配置作为电容元件的电容器。所述电容器以电性方式串联连接于中空绝缘体的两侧的金属管，具有电性连接于中空绝缘体的一侧的金属管的第一电极、及电性连接于中空绝缘体的另一侧的金属管且与第一电极隔开空间配置于同轴上的第二电极，通过利用冷却液等液体充满第一电极与第二电极之间的空间而构成。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本专利第6341329号公报

技术实现思路

[0008]专利技术所要解决的问题
[0009]但是，在所述结构的天线中，需要在相邻的金属管间介置中空绝缘体而连接，另外，需要在中空绝缘体的内部设置电容器，因此天线的构造变得复杂。另外，由于使用在内部流动的冷却水构成电容器，故而需要利用密封构件将各金属管与中空绝缘体进行密封的构造，由此也导致天线的构造变得复杂。
[0010]因此，本申请专利技术是为了解决所述问题而完成，其主要课题在于能够通过简单的结构来调整为了生成等离子体而流通高频电流的天线的阻抗。
[0011]解决问题的技术手段
[0012]即，本专利技术的天线机构是一种用来生成等离子体的天线机构，其特征在于包括：天线本体，流通高频电流；以及一条或多条调整电路，通过在所述天线本体中流通高频电流来流通二次电流，所述调整电路具有：金属导体，构成闭路；以及电容元件，构成所述闭路。
[0013]根据以所述方式构成的天线机构，通过在天线本体与调整电路之间产生的互感(mutual inductance)，能够使天线本体有效地表现静电电容(电容)。由此，不在天线本体
设置电容器，而可通过简单的结构来调整天线本体的阻抗。另外，仅通过调整天线本体与调整电路的距离，就能够调整天线本体的阻抗，而能够使阻抗的调整变得容易。进而，由于不在天线本体设置电容器，故而能够仅由金属管等管构成天线本体，外径并无限制，而能够使天线本体较细而进行小型化。并且，通过仅由金属管等管来构成天线本体，而在天线本体的中途不存在连接部，因此于在天线本体中流通冷却水的情形时，也无需担心冷却水泄漏。
[0014]为了防止因天线本体及调整电路暴露于等离子体中所引起的污染或劣化，并且使阻抗的调整变得更容易，理想的是所述天线本体及所述调整电路设置于被真空排气的真空容器的外部。
[0015]由于在构成闭路的金属导体中流通电流，故而会产生焦耳热。为了将金属导体冷却，理想的是所述金属导体具有内部流路，所述内部流路在内部流通冷却水。
[0016]为了提高所生成的等离子体的均匀性，理想的是所述多条调整电路在所述天线本体的长度方向上互相等间隔地设置。
[0017]同样地，为了提高所生成的等离子体的均匀性，理想的是所述多条调整电路的结构互相相同。
[0018]具体而言，理想的是所述金属导体具有并行部，所述并行部与所述天线本体相向，并且与所述天线本体平行地延伸，所述多条调整电路的所述并行部的长度互相相同。
[0019]另外，本专利技术的等离子体处理装置的特征在于包括：真空容器，被真空排气，且被导入气体；上述天线机构；以及高频电源，在所述天线本体中流通高频电流，以使用由所述天线机构产生的等离子体对被处理物实施处理的方式构成。
[0020]若为这种等离子体处理装置，则能够通过天线机构来调整天线本体的阻抗，因此能够使等离子体密度变得均匀，而能够均匀地进行针对被处理物的处理。
[0021]在所述等离子体处理装置中，为了简单地进行利用天线机构的阻抗调整，理想的是所述天线机构设置于所述真空容器的外部，在所述真空容器中与所述天线本体相向的位置设置有介电窗。另外，由于将天线机构设置于真空容器的外部(大气侧)，故而天线机构不易被污染而不易劣化，能够长期使用，从而可降低保养维护的频度。
[0022]专利技术的效果
[0023]根据以所述方式构成的本专利技术，能够通过简单的结构来调整为了生成等离子体而流通高频电流的天线本体的阻抗。
附图说明
[0024]图1是示意性地表示本专利技术的一实施方式的等离子体处理装置的结构的横截面图。
[0025]图2是表示同一实施方式的天线机构的详细的图。
[0026]图3是表示同一实施方式的天线机构的等效电路的图。
[0027]图4是表示调整电路及天线本体的距离d与天线本体的阻抗(总电抗X0)的关系的实验结果。
[0028]图5是表示变形实施方式的天线机构的详细的图。
[0029][符号的说明][0030]100：等离子体处理装置
[0031]W：基板(被处理物)
[0032]P：等离子体
[0033]2：真空容器
[0034]21a：介电窗
[0035]3：天线机构
[0036]31：天线本体
[0037]32：调整电路
[0038]321：金属导体
[0039]321a：并行部
[0040]32：电容器
[0041]4：高频电源
具体实施方式
[0042]以下，参照附图对本专利技术的等离子体处理装置的一实施方式进行说明。
[0043]＜装置结构＞
[0044]本实施方式的等离子体处理装置100使用电感耦合型等离子体P对被处理物W实施处理。此处，被处理物W例如为液晶显示器或有机电致发光(Electroluminescence，EL)显示器等平板显示器(Flat Panel Display，FPD)用的基板、柔性显示器用的柔性基板等。另外，对被处理物W实施的处理例如为利用等离子体化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)法进行的膜形成、蚀刻、灰化、溅射等。
[0045]此外，所述等离子体处理装置100在通过等离子体CVD法进行膜形成的情形时也被称为等离子体CVD装置，在进行蚀刻的情形时也被称为等离子体蚀刻装置，在进行灰化的情形时也被称为等离子体灰化装置，在进行溅射的情形时也被称为等离子体溅射装置。
[0046]具体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种天线机构，为用来生成等离子体的天线机构，且包括：天线本体，流通高频电流；以及一条或多条调整电路，通过在所述天线本体中流通高频电流来流通二次电流，所述调整电路具有：金属导体，构成闭路；以及电容元件，构成所述闭路。2.根据权利要求1所述的天线机构，其中所述天线本体及所述调整电路设置于被真空排气的真空容器的外部。3.根据权利要求1或2所述的天线机构，其中所述金属导体具有内部流路，所述内部流路在内部流通冷却水。4.根据权利要求1至3中任一项所述的天线机构，其中所述多条调整电路在所述天线本体的长度方向上互相等间隔地设置。5.根据权利要求1至4中任一项所述的天线机构，其中所...

【专利技术属性】
技术研发人员：安东靖典，松尾大辅，
申请(专利权)人：日新电机株式会社，
类型：发明
国别省市：