本发明涉及研磨液及使用该研磨液的研磨方法。所述研磨液含有氧化剂、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂、及水，ｐＨ为２～５，其中，氧化金属溶解剂包括除乳酸、苯二甲酸、富马酸、马来酸及氨基乙酸五种以外的可以第一个解离的酸基的解离常数（ｐｋａ）为小于３...

一种研磨液，含有金属的氧化剂，金属防蚀剂、氧化金属溶解剂，以及水。该氧化金属溶解剂选自第一可解离酸基的解离常数（ＰＫａ）大于等于３．５的酸，这些酸的铵盐及这些酸的有机酸酯中１种或１种以上。该研磨液的ｐＨ值在３～４间，且该金属氧化剂的浓度...

一种ＣＭＰ研磨剂以及使用该研磨剂研磨基板的被研磨面的基板的研磨方法，该研磨剂含有氧化铈颗粒、具有炔键（碳－碳三键）的有机化合物及水。本发明在使半导体装置制造过程中的层间绝缘膜及浅沟隔离用绝缘膜等平坦化的ＣＭＰ（化学机械抛光）技术中，可进...

本发明实现一种提高了凸点电极和基板电极的连接可靠性的半导体器件。将用于电连接金属凸点（２）和布线图形（４）、密封ＬＳＩ芯片（１）的ＬＳＩ电路面的粘接材料（３）的热固化后的弹性系数设为Ｅａ，将承载基板（８）表层的绝缘材料（５）的热固化后的...

本发明提供金属用研磨液及研磨方法，该金属用研磨液含有（１）金属的氧化剂，（２）氧化金属溶解剂，（３）通过在金属膜表面形成物理吸附和／或化学结合而形成称为氨基酸或唑类的保护膜的第１保护膜形成剂、（４）辅助第１保护膜形成剂形成称为聚丙烯酸、...

一种粘接剂组合物，其特征在于，含有自由基聚合性化合物、自由基聚合引发剂和具有氮－硅键的化合物。

本发明提供了兼具低温粘合性和引线接合性的粘合薄膜。该粘合薄膜是为了在被粘合体上粘合半导体元件而使用的粘合薄膜，上述粘合薄膜在耐热薄膜的一面或者两面形成粘合剂层，上述粘合剂层含有树脂Ａ和树脂Ｂ，上述树脂Ａ的玻璃化转变温度比上述树脂Ｂ的玻璃...

本发明的胶粘剂组合物，含有热塑性树脂、自由基聚合性化合物、１分钟半衰期温度是９０～１４５℃的第一自由基聚合引发剂、１分钟半衰期温度是１５０～１７５℃的第二自由基聚合引发剂。根据本发明，可以提供能够以低温十分迅速地进行固化处理、且进行固化...

本发明的半导体粘着薄膜，是在将半导体用粘着薄膜粘贴于金属板的一面后，加工金属板成配线电路，搭载半导体元件，封装后剥离的方法中使用的半导体用粘着薄膜。在支持薄膜的一面或双面形成有树脂层Ａ，并且将粘贴有半导体用粘着薄膜的金属板加工成配线电路...

使用混炼装置的半导体封装用环氧树脂组合物的制造方法，上述混炼装置，是在来自混炼区域的上述环氧树脂组合物的移送方向的下游处设置有吸引孔、在上述环氧树脂组合物移送方向的上方及下方分别设置有供给口及排出口的混炼装置，上述混炼装置内的挥发气体，...

一种粘接剂组合物及其制造方法，该组合物由环氧树脂（ａ）、固化剂（ｂ）、以及与环氧树脂为非相溶的高分子化合物（ｃ）所组成，必要时还包括填充剂（ｄ）或／和固化促进剂（ｅ）；其制造方法为：先混合环氧树脂（ａ）以及固化剂（ｂ）与填充剂（ｄ），再...

本发明提供了一种ＣＭＰ研磨剂以及研磨方法，其中ＣＭＰ研磨剂含有氧化铈粒子、分散剂、水溶性高分子以及水，所述水溶性高分子为具有下述族群中的任一种化合物的Ｎ－单取代化合物骨架和Ｎ，Ｎ－二取代化合物骨架中的任一种的化合物：丙烯酰胺、甲基丙烯酰...

本发明涉及半导体制造工序等中适于基片表面平坦化用ＣＭＰ技术的抛光剂和抛光方法。抛光剂是含有粒子和将上述粒子至少部分分散的介质的抛光剂，上述粒子是下列之一：（１）从氧化铈、卤化铈和硫化铈中选择的，密度为３～６克／立方厘米而且次级粒子平均粒...

一种粘接剂组合物及其制造方法，该组合物由环氧树脂（ａ）、固化剂（ｂ）、以及与环氧树脂为非相溶的高分子化合物（ｃ）所组成，必要时还包括填充剂（ｄ）或／和固化促进剂（ｅ）；其制造方法为：先混合环氧树脂（ａ）以及固化剂（ｂ）与填充剂（ｄ），再...

本发明的研磨垫为，由含有有机纤维的纤维和保持该纤维的基体树脂构成，并且至少在修整处理后的被研磨物侧表面露出有机纤维。由此，可以抑制被研磨物产生细小的研磨损伤，能够在低荷重条件下进行平坦的研磨。另外，也可以采用以光学方法检测被研磨物的研磨...

本发明提供一种二氧化硅涂膜形成用组合物，含有作为（ａ）组分的烷氧基硅烷等硅氧烷树脂，作为（ｂ）组分的可以溶解该硅氧烷树脂的醇等溶剂，作为（ｃ）组分的铵盐等以及作为（ｄ）组分的受热分解挥发性化合物，具有如下固化性能，在１５０℃／３分的加热...

本发明提供了一种金属用研磨液，其含有氧化剂、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂以及水，所述金属防蚀剂是具有氨基三唑骨架的化合物和具有咪唑骨架的化合物中的至少一种。通过使用该研磨液，在半导体器件的配线形成工序中，能够在保持低的蚀刻速度的同时，充分...

本发明涉及一种研磨剂，其包含在介质中分散有４价金属氢氧化物粒子的研浆和添加剂，所述添加剂为含有从由通式（Ⅰ）以及通式（Ⅱ）所表示的单体中选出的至少一种单体成分的聚合物。通式（Ⅰ）中Ｒ↓［１］表示氢、甲基、苯基、苯甲基、氯基、二氟甲基、三...

本发明提供一种粘合片，使其能在１００℃或以下的低温下粘贴到晶片上、具有能在室温下进行处理的柔韧度、而且能在通常的切断条件下与晶片同时切断；本发明还提供所述粘合片与切割胶带层压形成的与切割胶带一体化的粘合片，以及使用这些粘合片的半导体装置...

本发明的目的在于提供一种膜状粘接剂、贴合该膜状粘接剂和切割胶带而形成的粘接片以及半导体装置，所述膜状粘接剂能够以较极薄晶片的保护胶带或者贴合的切割胶带的软化温度低的温度在晶片背面层积，并且可以降低晶片翘曲等的热应力，可以简化半导体装置的...