（１）将半导体芯片粘结在引线框架上，用密封材料至少将半导体芯片、半导体芯片与引线框架的粘结部分密封起来制造半导体部件时用的粘接部件中使用的耐热粘结剂，其溢出长度是２ｍｍ以下，吸水率是３％（重量）以下、玻璃转变温度为２００℃以上的耐热粘结...

本发明提供一种能适应半导体高度集成化的半导体组件基片。在电解铜箔上镀镍层，形成配线，在铜箔上装配ＬＳＩ芯片，由引线连接ＬＳＩ端子与配线，并采用环氧树脂密封半导体。用碱腐蚀方法溶解只除去铜箔，露出镍层，在对铜溶解性小的镍剥离液中除去镍层，...

提供了一种用来制作二氧化硅基涂覆的隔离膜的材料，这种材料用来制作ＶＬＳＩ中多层互连的层间隔离膜。一种用来制作二氧化硅基涂覆的隔离膜的材料由下列成分得到：（ａ）烷氧基硅烷和／或其部分水解的产物，（ｂ）含氟的烷氧基硅烷和／或（ｅ）烷基烷氧基...

一种半导体器件，包括：与布线基板电连接的半导体芯片，所述芯片厚为０．３ｍｍ或更薄，其周边部分上有多个电极；具有多个电极的布线基板，这些电极与半导体芯片的电极相对应；及半导体芯片和布线基板之间的粘结层；半导体芯片和布线基板中至少一个的所述...

一种半导体封装用芯片支持基片，该基片具有： （Ａ）在绝缘性支持基片的一个表面上，有２个以上的具有半导体芯片装载部分的布线， 在把半导体芯片装载到该布线的半导体芯片装载部分上去时，配置并形成为使得上述半导体芯片的下表面部分和上...

一种氧化铈研磨剂，含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料，该氧化铈颗粒的一次颗粒粒径中央值为３０～２５０纳米，颗粒粒径中央值为１５０～６００纳米。

一种电子元件装置，该电子元件装置具有装配基板和装载到该装配基板上的至少一个电子元件， 上述电子元件在与上述装配基板接连的一侧具有连接电极， 上述装配基板在其表面上具有与应当装载的电子元件的连接电极对应的连接用电极端子， ...

一种通过粘合构件把半导体芯片装载到有机系支持基板上的半导体装置，其特征是： 在上述有机系支持基板的半导体芯片装载侧和与装载半导体芯片一侧的相反侧中的至少任意一侧，形成规定的布线， 在上述有机系支持基板的与半导体芯片装载侧的相...

公开一种可靠性高、可以小型化、可以降低造价的具有具备用来装配半导体元件的凹部的基板的半导体器件。通过把由将成为布线构件的铜布线（１２）、镍合金等的缓冲层（１１）和将成为载体层的铜箱（１０）构成的可进行拉伸加工的布线体粘接到树脂基板（１４...

在本发明中，为了进行高速研磨又不伤及ＳｉＯ↓［２］绝缘膜等的被研磨面，提供含有把具有由２个以上的晶粒构成的晶界的氧化铈粒子、或者是体积密度为６．５ｇ／ｃｍ↑［３］以下的氧化铈粒子、或者是具有气孔的磨粒中的至少一种分散到介质中去的浆液的研...

本发明涉及以（Ａ）热塑性树脂、（Ｂ）环氧树脂、（Ｃ）偶合剂、（Ｄ）粉末状无机填充材料、（Ｅ）具有橡胶弹性的粉末及（Ｆ）有机溶剂为必要组分的糊状组合物，涂布并干燥后可形成空隙率在３体积％以上，４０℃、９０％ＲＨ时的透湿度在５００ｇ／ｍ↑［...

本发明提供一种，把半导体芯片和基板粘结固定，同时，使两电极彼此产生电连接而采用的电路构件连接用的粘结剂，该粘结剂为含有粘结树脂组合物和无机填料，对粘结树脂组合物１００份（重量）含无机填料１０～２００份（重量）的粘结层，和用该粘结剂把电路...

本发明提供金属用研磨液及研磨方法，该金属用研磨液含有（１）金属的氧化剂，（２）氧化金属溶解剂，（３）通过在金属膜表面形成物理吸附和／或化学结合而形成称为氨基酸或唑类的保护膜的第１保护膜形成剂、（４）辅助第１保护膜形成剂形成称为聚丙烯酸、...

本发明可以提供一种含有氧化剂、氧化金属溶解剂、保护膜形成剂、该保护膜形成剂助剂和水的金属研磨液，其制造方法及使用其的研磨方法。而且作为这种金属研磨液的制备材料，本发明还可以提供一种含有氧化金属溶解剂、保护膜形成剂和该保护膜形成剂助剂的金...

本发明中提供了一种含有氧化剂、氧化金属溶解剂、保护膜形成剂、水溶性聚合物和水的ＣＭＰ用研磨剂，及用它的研磨方法。水溶性聚合物的重量平均分子量在５００以上，研磨剂的动摩擦系数在０．２５以上，研磨剂的厄布洛德粘度在０．９５ｃＰ以上，１．５ｃ...

本发明提供的化学机械研磨用研磨剂，含有导体氧化剂、金属表面的保护膜形成剂、酸和水，ｐＨ低于３，氧化剂浓度为０．０１－３重量％，或含有平均粒径在５０ｎｍ以下、粒径分布的标准偏差值大于５ｎｍ的磨料。

本发明可以提供一种含有氧化剂、氧化金属溶解剂、保护膜形成剂、该保护膜形成剂助剂和水的金属研磨液，其制造方法及使用其的研磨方法。而且作为这种金属研磨液的制备材料，本发明还可以提供一种含有氧化金属溶解剂、保护膜形成剂和该保护膜形成剂助剂的金...

本发明涉及半导体用粘接膜、带有半导体用粘接膜的导线框及由该带有半导体用粘接膜的导线框和半导体元件粘接而成的半导体装置。所述粘接膜具备在支撑膜的两面设有粘接剂层的三层结构，其中的粘接剂层含有（Ａ）玻璃化温度为１３０～３００℃、吸水率在３重...

一种粘接剂组合物及其制造方法，该组合物由环氧树脂（ａ）、固化剂（ｂ）、以及与环氧树脂为非相溶的高分子化合物（ｃ）所组成，必要时还包括填充剂（ｄ）或／和固化促进剂（ｅ）；其制造方法为：先混合环氧树脂（ａ）以及固化剂（ｂ）与填充剂（ｄ），再...

本发明揭示了一种半导体用粘合薄膜，是由支持膜和在上述支持膜的两面形成的粘合剂层构成的半导体用粘合薄膜，上述粘合剂层由玻璃转变温度为２００℃以下、线膨胀系数为７０ｐｐｍ以下、储存弹性系数为３ＧＰａ以下的粘合剂构成，而且粘合薄膜的总厚度为４...