半导体晶片运输到对齐工作台上之前，对齐工作台的清洁机构的第一刷鬃毛压在对齐工作台的晶片抽吸台上，在此状态下，晶片抽吸台转动，以此，去除附着在晶片抽吸台上的灰尘。此外，晶片卡盘台的清洁机构的第二刷鬃毛在晶片卡盘台的面向下表面上并沿该表面移...

一种再剥离型粘合片材，是在基材薄膜上设有粘合剂层的再剥离型粘合片材，其特征在于，在基材薄膜与粘合剂层之间至少有一层中间层，中间层在２３℃下的储藏弹性模数（Ｇ’）为３．０×１０↑［４］～１．０×１０↑［８］Ｐａ，而且在２００℃下的储藏弹性...

在一种用于从吸引和夹持具有粘胶带的工件的夹持件上解开具有粘胶带的工件的方法中，具有粘胶带的工件在供给减少夹持件在夹持件和具有粘胶带的工件之间的夹持力的气体同时从夹持件上被解开。

关于通过经由具有加热可分离性的双面粘和片将半导体晶片和支持构件互相接合而得到的工件，该支持构件的表面被吸附保持在吸附台上并且被加热，从而使粘合层的粘和强度几乎消失。移动柏努利卡盘接近该半导体晶片的背面以用非接触的方式分离该半导体晶片，并...

一种工件由来自支承件的表面侧的上部吸附台吸附保持，被向上移动到预定高度，并被加热到双面粘合片的厚度方向不被限制的状态，且切割带被冷却。在预定的加热时间流逝之后，工件与粘合强度被削弱的双面粘合片分离，并落到下部吸附台上。

本发明涉及一种芯片切割.粘接薄膜，其具有支撑基材、设置在所述支撑基材上的粘合剂层、和设置在所述粘合剂层上的芯片粘接用粘接剂层，还具有用于识别所述芯片粘接用粘接剂层位置的标记。本发明还提供在贴合半导体晶圆与芯片切割.粘接薄膜时，可以对芯片...

本发明涉及一种用于分离贴附在半导体晶片上的保护带的设备。在利用刃状件将分离带压抵在保护带上的同时将分离带贴附到保护带上之前，所述保护带贴附在由环形框架通过切分带从背侧保持住的半导体晶片的表面上，先从活塞喷嘴将纯水滴到位于分离带的贴附开始...

一种热粘附体剥离方法，其中将粘附到具有含发泡剂的可热膨胀层的可热剥离压敏粘结剂片材的粘附体的一部分通过部分加热该可热剥离压敏粘结剂片材选择性地自压敏粘结剂片材剥离，其中该方法包括在可热剥离压敏粘结剂片材的可热膨胀层不膨胀的温度下预先加热...

对应于结合到半导体晶片表面的保护带类型的预定波长光强由控制器来调节，并且用于支撑半导体晶片的支撑台被旋转扫描。同时，在形成在半导体晶片中的用于定位的Ｖ型切口中，光穿透遮盖表面的保护片，由光传感器接收。基于光传感器的光接收量中的变化，检测...

本发明提供一种保护胶带切断方法及采用该方法的装置。用第１温度控制机构操作切刀冷却装置，调节吹到切刀上的冷却空气的温度和流量，以及调节电加热器对切刀加热，从而一边将切刀保持在常温或常温以下，一边切断保护胶带。

提供一种半导体装置的制造方法、该方法中使用的粘合片以及根据该方法得到的半导体装置，上述半导体装置的制造方法可以防止由焊垫的污染引起无法进行引线接合，并且可以防止在基板、引线框或半导体元件等被粘物上产生翘曲，从而提高成品率且简化制造工序。...

一种半导体装置制造方法，其使用衬垫用胶粘片，其特征在于，具有：　准备至少在一面上具有包含胶粘剂层的衬垫层的胶粘片作为所述衬垫用胶粘片，　以所述胶粘剂层为贴合面将所述衬垫用胶粘片与切割片贴合在一起的工序，　对所述衬垫用胶粘片进行切割，形成...

本发明涉及一种切片用粘合片和切片方法。所述切片用粘合片包括基材层和在所述基材层上设置的活性能量射线固化型粘合剂层，其中所述活性能量射线固化型粘合剂层在使用活性能量射线照射前，具有５０％以上的凝胶分数。另外，本发明还提供一种切片被粘物的方...

本发明提供保护带剥离方法及保护带剥离装置。对粘贴于载置保持在剥离台上的晶圆的保护带的表面高度进行检测，基于该检测信息算出使粘贴构件接近保护带、直到使缠挂于粘贴构件的剥离带接触到保护带为止的动作量，以算出的动作量来控制粘贴构件接近保护带的...

本发明涉及清洁片、具有清洁功能的承载元件和基片处理设备的清洁方法。包括清洁层和层压于该清洁层上的可剥离的保护膜的清洁片，其中当保护膜被从清洁层剥离时，根据飞行时间二次离子质谱法，在阳离子的情况下相对于Ｃ↓［２］Ｈ↓［３］↑［＋］或在阴离...

本发明提供保护带剥离方法及使用该保护带剥离方法的装置。对粘贴在载置保持于剥离台的晶圆上的保护带的表面高度进行检测，基于该检测结果算出针的下降动作距离，并且，算出使粘贴构件接近保护带直到使缠挂于粘贴构件的剥离带与保护带接触为止的下降动作量...

本发明提供一种紫外线照射方法及使用了该方法的装置，利用紫外线发生装置对保护带表面照射紫外线。另外，利用照射枪使紫外线强度高于紫外线发生装置的紫外线的强度形成点径状而照射到晶圆边缘。此时，由控制装置控制紫外线强度和保持台的旋转速度，使得晶...

本发明涉及包含聚酰亚胺的光学半导体元件封装用树脂，该聚酰亚胺通过使５－降冰片烯－２，３－二酸酐或马来酸酐、脂肪族四羧酸二酐和脂肪族二胺化合物进行缩聚反应获得的聚酰亚胺前体酰亚胺化而制备。本发明的树脂具有优良的耐热性和优良的光传输性能。另...

本发明涉及一种光学半导体元件封装用树脂以及用该树脂获得的光学半导体器件，该树脂通过使硅化合物与硼化合物或铝化合物反应而获得，其中所述硅化合物由式（Ⅰ）表示，其中Ｒ↑［１］和Ｒ↑［２］各自独立地代表烷基、环烷基、烯基、炔基或芳基，其中Ｒ↑...

本发明涉及一种含聚铝硅氧烷的光学半导体元件封装用树脂以及用该树脂获得的光学半导体器件，该树脂包含通过使硅化合物与铝化合物反应而获得的聚铝硅氧烷。所述树脂具有良好的光传输性能和低的吸湿性，并且在高温下使用时不发生变色。