本发明专利技术涉及清洁片、具有清洁功能的承载元件和基片处理设备的清洁方法。包括清洁层和层压于该清洁层上的可剥离的保护膜的清洁片，其中当保护膜被从清洁层剥离时，根据飞行时间二次离子质谱法，在阳离子的情况下相对于Ｃ↓［２］Ｈ↓［３］↑［＋］或在阴离子的情况下相对于Ｏ↑［－］，在清洁层中碎片离子ＣＨ↓［３］Ｓｉ↑［＋］，Ｃ↓［３］Ｈ↓［９］Ｓｉ↑［＋］，Ｃ↓［５］Ｈ↓［１５］Ｓｉ↓［２］Ｏ↑［＋］，Ｃ↓［５］Ｈ↓［１５］Ｓｉ↓［３］Ｏ↓［３］↑［＋］，Ｃ↓［７］Ｈ↓［２１］Ｓｉ↓［３］Ｏ↓［２］↑［＋］，ＣＨ↓［３］ＳｉＯ↑［－］，ＣＨ↓［３］ＳｉＯ↓［２］↑［－］和Ｓｉ↑［＋］的相对强度为０．１或更少。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于清洁各种易受杂质影响的基片处理设备，例如半导 体、平面显示器、印刷电路板等的制造或测试设备的清洁片，及使用此清洁 片清洁基片处理设备的方法，和用此清洁方法清洁的基片处理设备。
技术介绍
在各种基片处理设备中，各种传输系统和基片是在相互物理接触的情况 下输送的。在此过程中，当基片或传输系统有粘附其上的杂质时，后续的基 片会依次被污染。这样，必需定时地中止衬底处理设备的操作，以进行清洁， 从而导致了工作效率的下降或需要大量劳动力。为了解决这些问题，已提出 一种包括向基片处理设备中输送含有固定在 其上的粘性物质的基片，从而将杂质从基片处理设备内部除去的方法(专利文 献l)和一种包括传输平板状元件以除去基片背面上的杂质的方法(专利文献 2)。这些方法省去了必须中止基片处理设备的操作以进行清洁，从而导致工 作效率不下降或不需要大量劳动力。在上面提及的方法中，特别是前一方法，其在除去杂质能力方面是优异 的，即，包括使用粘性物质的方法，为防止清洁层的污染或有较好的操纵性 能，通常层压可剥离的保护膜于清洁层的表面。已有各种这样的保护膜。由 于此保护膜具有优异的可剥离性，其被广泛应用，例如，由基于硅氧烷的隔 离剂处理的聚酯膜。可是，包括这种保护膜的清洁元件的缺点在于，作为隔离剂的硅氧烷化 合物被转移并且被传输到清洁层。当清洁元件随后被传输入基片处理设备中时，保护膜同时被剥离以便将杂质从设备内部除去，清洁层上的隔离剂就粘 到了接触部分和设备的其他区域，从而导致了设备的污染。结果，产品晶片 被污染，引起设备性能的下降，这导致次品的频繁出现。前述方法还有缺点当传输设备内部被加热到100。C或在高真空(10一托) 下时，此粘性物质会产生大量的污染设备内部或导致真空度降低的挥发气体， 偶尔导致不可能简单地将杂质除去。具体地说，基片处理设备主要在内部保持高真空下操作，例如等离子体 蚀刻设备，賊涂设备，干蚀刻设备，活性离子蚀刻设备，CVD设备，等。因 此，当这些设备用前述方法清洁时，其内部的真空度会降低。(专利文献1)JP-A-10-154686(第2到4页) (专利文献2)JP-A-ll-87458(第2到3页)
技术实现思路
本专利技术的一个目的是提供一种清洁元件，当传送入基片处理设备以使杂 质从设备内部除去时，由于将硅氧烷移动和转移到清洁层，此清洁元件对基 片处理设备几乎不产生污染。在这些情况下，本专利技术的另一个目的是提供一种具有清洁功能的承载元 件，由于此承载元件而几乎不导致基片处理设备真空度降低，且当传输入此 基片处理设备以使杂质从设备内部除去时，此承载元件能够筒单且安全地除 去杂质。为达到前述目的本申请人以前研究过当保护膜从清洁层上剥离时粘附于 清洁层上的硅氧烷的量。本申请人已经知道，当使用粘附的与聚二曱基硅氧 烷相当的硅氧烷量为0.005g/r^或更少的清洁元件时，就可能消除由硅氧烷引 起的对设备的污染。这一认识被作为专利技术提出申请(日本专利申请 2001-386708)。可是，专利技术人随后的研究表明，即使当使用前述的清洁元件时，偶尔地 由于硅氧烷移动和转移到清洁层而导致的设备的污染，也不能完全地避免。 专利技术人对解释导致这种现象的原因作了进一步的研究。结果，得知有许多种 可以被移动和转移到清洁层上的硅氧烷，并且当粘附的与聚二曱基硅氧烷相当的硅氧烷量仅仅由通常的分析法限定时，偶尔地由硅氧烷引起的设备的污 染不能完全被避免。专利技术人在这一认识的基础上作了更广泛的实验研究。结果得知，当被移 动和转移到清洁层的硅氧烷的种类，用飞行时间二次离子质谱法作了分析， 从而确定从硅氧烷衍生出的具体碎片离子的相对强度，并且此相对强度被限 定到一个具体值或更少时，由于硅氧烷引起的设备的污染能被完全避免，这 就使得可能进一步避免由于产品晶片的污染而导致的设备性能的下降。由此， 完成了本专利技术。本申请人较早前知道，如前面提到的高真空基片处理设备中真空度的降 低，是由承载元件的清洁层中含有的脂肪族或芳香族组分、作为杂质的溶剂 组分和增塑剂组分例如富马酸酯引起的。具有限于特定值或更少的气体蒸发的清洁元件已被提出专利技术申请(日本专利申请2000-349972)。可是，专利技术人随后的研究表明，即使当用上述的清洁元件时，为了将杂 质从其中除去而在传输清洁元件到高真空基片处理设备的过程中，由于清洁 元件导致的高真空基片处理设备中真空度的仍会发生降低，致使偶尔不能使 用基片处理设备。对导致高真空基片处理设备中真空度降低的原因作了进一步的研究。结 果得知，导致高真空基片处理设备中真空度的降低的原因不仅限于上述的脂 肪族或芳香族组分、溶剂组分和增塑剂组分，而且高真空基片处理设备中真 空度的降低还由于高真空中水分的蒸发。基于这一认识，专利技术人通过加热清洁层等尽可能地减少高真空中水分的 蒸发以减少其中常态水分吸收速率，或通过减少清洁层厚度等以减少水分绝 对含量。结果发现，这些方法使得当清洁元件被输送到高真空中时，可以防 止高真空基片处理设备中真空度的降低。也发现，当清洁元件被置于其中时， 通过在预定的温度下，限定直到已被暂时降低的真空室内的真空度恢复到几 乎为原值所需的时间，而使这种抑制效应可以被的确起作用，这就使得可能 在实际高真空基片处理设备中抑制真空度的降低并且因此简单而确实地将杂质从基片处理设备中除去。由此完成了本专利技术。 换句话说，本专利技术由以下各项构成。(l)一种清洁片，包括清洁层和层压于清洁层上的可剥离的保护膜，当保 护膜从清洁层剥离时，根据飞行时间二次离子质谱法，在阳离子的情况下相对于C2H3+或在阴离子的情况下相对于O-，在清洁层中的碎片离子CH3Si+, C3H9Si+, C5H15Si20+， C5H15Si303+, C7H21Si302+,CH3SiCT，CH3Si021p Si +的相对 强度均为0.1或更少。(2) 根据上述(1)的清洁片，其中清洁层基本上无粘合强度。(3) 根据上述(1)或(2)的清洁片，还包括支撑物，其中清洁层置于支撑物上。(4) 根据上述(3)的清洁片，还包括在粘合层的对面设置的粘合层，其中清 洁层设置于支撑物的一面。(5) 根据上述(1), (2)和(4)中任一项的清洁片，其中此清洁片含有耐热聚合 物树脂。(6) 具有清洁功能的承载元件，包括承载元件和通过粘合层而层压于承载 元件上的由上述(4)定义的清洁片。(7) 根据上述(6)的承载元件，其中清洁层含有耐热聚合物树脂。(8) —种具有清洁功能的承载元件，包括承载元件及设置于承载元件的至 少一面的清洁层，其中根据飞行时间二次离子质谱法，在阳离子的情况下相 对于C2H/,或在阴离子的情况下相对于O-,在清洁层中的碎片离子CH3Si+， C3H9Si+, C5H15Si20+， C5H15Si303+, C7H21Si302+， CH3SiCT, CH3Si02A Si+的相对 强度均为0.1或更小。(9) 根据上述(8)的承载元件，其中此清洁层基本上无粘合强度。(10) 根据上述(8)或(9)的承载元件，其中此清洁层含有耐热聚合物树脂。(11 )具有清洁功能的承载元件，包括承载元件和设置于承载元件至少 一面 上的清洁层，其中当在50。C的温度下将承载元件置于本文档来自技高网...
【技术保护点】
具有清洁功能的承载元件，包括承载元件和设置于承载元件至少一面上的清洁层，其中当在５０℃的温度下将承载元件置于真空室中时，真空室的真空度被从３×１０↑［－１０］托暂时降低，在将承载元件置于真空室后真空室的真空度回升到１×１０↑［－９］托所需的时间为１００分钟或更少。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：寺田好夫，并河亮，宇圆田大介，船津麻美，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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