本发明公开一种碳化硅金属氧化物半导体场效晶体管及形成碳化硅金属氧化物半导体场效晶体管的制造方法。碳化硅金属氧化物半导体场效晶体管包括主动区域及环绕主动区域的周边区域，碳化硅金属氧化物半导体场效晶体管包括半导体基板、外延层、场氧化层、多晶...

一种可检测静电冲击风险的封装方法及封装件，该封装方法至少包含一黏晶步骤，该黏晶步骤是于一载体的表面分布设置多个晶粒以及多个静电敏感元件，各该静电敏感元件的静电电压容忍值低于该多个晶粒的静电电压容忍值；在封装过程的其他步骤中，可借由监测该...

一种用于半导体封装的预成型适配器包含至少一导线架以及与导线架接合的至少一封装外壳。导线架与封装外壳各自具有依据半导体装置的默认封装外观提供的预成型外型。

本发明为一种晶粒吸取辅助装置，供应用于已切割为多个晶粒的一晶圆，在该晶圆的底面贴附一胶膜，其中，该晶粒吸取辅助装置包含一平台，在该平台中设有多个支撑部，于相邻支撑部之间形成有气流通道；当晶圆气密式地设置在该平台后，该支撑部可支撑该晶圆，...

本发明提供了一种多通道多电极异质结构场效应晶体管，其包括导热基板、成核层、缓冲层、超晶格堆叠体、场效应晶体管和覆盖层。该导热基板为内嵌有多个通孔的半导体晶圆，该多个通孔填充有导热材料，该成核层设置在该导热基板上，该缓冲层设置在该成核层，...

本发明提供了一种多通道多电极异质结构场效晶体管，多通道多电极异质结构场效晶体管包括基板、成核层、缓冲层、超晶格堆叠、帽盖层、第一晶体管区域及第二晶体管区域。第一超晶格堆叠层形成二维电子气的载子传输以产生第一电流通道组及第二超晶格堆叠层形...

本发明是一种晶圆级晶片尺寸封装件及方法，该封装件包含有：一晶粒、一介电层及一底部金属层；其中，该晶粒具有一基底及一主动面，在该主动面上设置多个焊垫，于各焊垫的表面具有一焊接层；该介电层覆盖于该晶粒的四个侧周面的上部，但未覆盖各个侧周面的...

本发明为一种金氧半导体元件

一种薄型化半导体封装件及其封装方法，该薄型化半导体封装件包含一半导体晶粒

一种防止焊料溢流的封装元件及封装方法，是在分配焊料时提供能限制焊料位置的空间或结构，该封装元件包含一晶粒

本申请属于半导体技术领域，提供一种半导体装置的制造方法及半导体装置，半导体装置的制造方法包括以下步骤：沉积

本申请属于半导体技术领域，提供一种半导体装置的制造方法及半导体装置，其中，半导体装置的制造方法包括：提供半导体基板，半导体基板具有前侧及背侧；在背侧内形成收集层；对背侧执行第一氢离子植入制程以形成N型区，且以第一退火温度烘烤N型区以形成...

一种可提高侧面可焊性的半导体封装元件，包含一晶片、一包覆该晶片的塑封层以及形成在该塑封层的部的一导电层，该导电层的分布位置依据该晶片的接脚脚位而设计，其中，制作完成的该导电层电性连接该晶片的信号接点并且构成半导体封装元件的接脚，各个接脚...

本发明公开了一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，制造方法包括以下步骤：提供半导体基板，通过P型井掩膜对半导体基板进行离子植入以形成P型井区，在P型井掩膜的侧壁设置间隔层并通过间隔层对P型井区进行离子植入以形成P型重掺杂层及...

本发明公开了一种形成功率半导体装置的方法，该方法包含步骤为：提供半导体基板，半导体基板具有主动区及环绕主动区的截止区。将外延层设置于半导体基板上，在外延层进行刻蚀程序以形成第一沟槽及第二沟槽，第一沟槽设置在主动区，第二沟槽设置在截止区。...

一种表面黏着式功率半导体封装元件包含一晶片、一塑封层、一导电镀层；其中，晶片的正面及背面分别设有信号接点，该塑封层包覆该晶片，且在该塑封层中形成有第一开孔及第二开孔，该第一开孔位在晶片侧边，该第二开孔对应延伸至该晶片其正面的信号接点，在...

本发明是一种具复合式针脚结构的封装元件及其制法，是在一基板上规划出一本体区及一针脚区，并在该基板的本体区上设置一晶片并将该晶片电性连接至基板相对表面的导电层；该针脚区预定义有多个并列的针脚位置，当在本体区完成晶片的电性连接作业后，可利用...

一种晶片尺寸封装结构，包括基座、半导体元件及电气绝缘体。该基座包括第一平面、相反于第一平面的第二平面及自第一平面朝第二平面凹陷并定义出填置空间的凹面，且第一平面、凹面与第二平面彼此电性导通。半导体元件设置于填置空间中以受基座的凹面所围绕...

一种元件通电测试方法，由一通电测试系统执行，以同时检测一个双端元件及一个三端元件，所述通电测试系统包含一电源供应装置，及一示波装置，所述电源供应装置分别提供一正向电流、一正向电压到所述双端元件的阳极、阴极，及一脉波信号到所述三端元件，所...

一种沟渠式肖特基二极管，包含：一基板、一n型的磊晶层、一金属层、数个氧化层、一连接该基板的第一电极，以及一连接该磊晶层的第二电极。该磊晶层位于该基板上，并包括数个沟槽。该金属层包括数个分别位于所述沟槽的金属填槽部，该金属层的材料功函数大...