半导体装置的制造方法及半导体装置制造方法及图纸

本申请属于半导体技术领域，提供一种半导体装置的制造方法及半导体装置，其中，半导体装置的制造方法包括：提供半导体基板，半导体基板具有前侧及背侧；在背侧内形成收集层；对背侧执行第一氢离子植入制程以形成N型区，且以第一退火温度烘烤N型区以形成场截止缓冲层；对背侧执行第二氢离子植入制程以形成寿命控制区域，且以第二退火温度烘烤寿命控制区域以形成缺陷层，其中，第二退火温度低于第一退火温度；以及在背侧形成金属层。该方案不仅可以增加半导体装置切换性能的可控性，还可以使半导体装置具有更快的切换速度，并且可以降低半导体装置的制造成本及制程的变异性。半导体装置的制造成本及制程的变异性。半导体装置的制造成本及制程的变异性。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法及半导体装置


[0001]本申请属于半导体
，尤其涉及一种半导体装置的制造方法及半导体装置。

技术介绍

[0002]绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor，IGBT)是一种用于电源转换的半导体功率装置，IGBT可以包括穿透(punch
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through，PT)型IGBT(即PT
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IGBT)、非穿透型IGBT(即NPT
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IGBT)或场截止(field
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stop，FS)型IGBT(即FS
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IGBT)等。对于FS
‑
IGBT，其中的场截止层用于截止空乏层，进而降低导通电压。
[0003]采用用于控制IGBT切换特性的技术可以实现IGBT功能的多样性，从而使IGBT可以应用于多种场景。在制造IGBT时，现有技术广泛采用的制程包括电子照射及铂(Pt)扩散的寿命限制制程。然而，寿命限制制程的成本高且制程复杂，从而增加了IGBT的制造成本。r/>
技术实现思路
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体基板，所述半导体基板包括N型低掺杂飘移层，所述N型低掺杂飘移层包括前侧及背侧；由P型离子植入制程在所述背侧内形成收集层，且对所述收集层执行退火制程；对所述背侧执行第一氢离子植入制程以形成N型区，且以第一退火温度烘烤所述N型区以形成场截止缓冲层；对所述背侧执行第二氢离子植入制程以形成寿命控制区域，且以第二退火温度烘烤所述寿命控制区域以形成缺陷层，所述第二退火温度低于所述第一退火温度；由背侧金属化制程在所述背侧形成金属层。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一退火温度高于300℃，且所述第二退火温度为100～250℃。3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述缺陷层形成于所述场截止缓冲层内。4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述缺陷层形成于所述场截止缓冲层与所述N型低掺杂飘移层之间。5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一氢离子植入制程植入氢离子三次以形成第一N型区、第二N型区及第三N型区。6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述缺陷层形成于所述第一N型区与所述第二N型区之间。7.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述缺陷层形成于所述第一N型区与所述N型低掺杂飘移层之间。8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：蚀刻所述前侧以形成沟槽；在所述前侧上形成闸极氧化层，且所述闸极氧化层覆盖所述沟槽的表面；在沟槽空间内执行多晶硅沉积并回蚀以形成多晶硅层；对所述前侧植入离子以在两个沟槽之间形成P型井区；对所述P型井区植入离子以在所述P型井区内形成N型重掺杂层；沉积层间介电层以覆盖所述N型重掺杂层及所述多晶硅层；蚀刻所述层间介电层以形成开口，所述开口穿透所述N型重掺杂层以露出所述P型井区；通过所述开口对所述P型井区植入离子以形成P型重掺杂层；形成金属接触层以覆盖所述开口及所述层...

【专利技术属性】
技术研发人员：李承哲，唐树澍，庄智强，
申请(专利权)人：强茂股份有限公司，
类型：发明
国别省市：