一种硅抛光片的漏源极漏电改善工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种硅抛光片的漏源极漏电改善工艺，包括以下步骤：步骤一：第一步高温处理，将硅抛光片放入高温炉内，将温度升高到1100～1250℃的进行热处理，热处理时间为140～160分钟，并确保高温炉内充满氮气和氧气，形成氮气和氧气的混合环境；步骤二：第二步高温处理，将高温炉内温度降低到650～720℃，并保证热处理时间为100～130分钟，停止输送氧气，确保内部为氮气环境；步骤三：第三步高温处理，将高温炉内温度升高至到720～850℃，并保证热处理时间为145～155分钟，确保内部始终为氮气环境；步骤四：保持氮气环境，并等待硅抛光片冷却，之后进行清洗。本发明专利技术降低抛光片单晶氧含量，改善使用该抛光片进行芯片制造过程中器件漏源极漏电的问题。漏源极漏电的问题。漏源极漏电的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种硅抛光片的漏源极漏电改善工艺


[0001]本专利技术涉及半导体抛光片
，特别是涉及一种硅抛光片的漏源极漏电改善工艺。

技术介绍

[0002]集成电路是以硅片为基板，在其上面进行器件制造，硅片体内会含有一定的氧，高温处理之后形成氧沉淀，该氧沉淀作为体内缺陷，可以吸附一些金属元素，如Fe、Cu、Ag等，即所谓的内吸杂工艺。然而，如果氧沉淀渗透到集成电路的有源器件区域，它会降低结特性。另外，当氧沉淀浓度较高时，金属元素会被大面积吸附，在经过热处理后，氧沉淀的区域容易出现位错等缺陷，从而导致硅片的出现弯曲变形异常。
[0003]为了解决上述缺陷，需要对硅抛光片进行新的工艺处理。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题是提供一种硅抛光片的漏源极漏电改善工艺，降低抛光片单晶氧含量，改善使用该抛光片进行芯片制造过程中器件漏源极漏电的问题。
[0005]本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种硅抛光片的漏源极漏电改善工艺，包括以下步骤：步骤一：第一步高温处理，将硅抛光片放入高温炉内，将温度升本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅抛光片的漏源极漏电改善工艺，其特征在于：包括以下步骤：步骤一：第一步高温处理，将硅抛光片放入高温炉内，将温度升高到1100～1250℃的进行热处理，热处理时间为140～160分钟，并确保高温炉内充满氮气和氧气，形成氮气和氧气的混合环境；步骤二：第二步高温处理，将高温炉内温度降低到650～720℃，并保证热处理时间为100～130分钟，停止输送氧气，确保内部为氮气环境；步骤三：第三步高温处理，将高温炉内温度升高至到720～850℃，并保证热处理时间为145～155分钟，确保内部始终为氮气环境；步骤四：保持氮气环境，并等待硅抛光片冷却，之后进行清洗。2.根据权利要求1所述的一种硅抛光片的漏源极漏电改善工艺，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：张帅，梁兴勃，卢飞红，许峰，卢锋，刘建刚，
申请(专利权)人：金瑞泓微电子嘉兴有限公司，
类型：发明
国别省市：