温度控制方法、半导体器件的制造方法、程序及衬底处理装置制造方法及图纸

提供在以使根据预先保持的预测模型算出的预测温度列接近将来的目标温度列的方式对现在的加热器供给电力进行控制的技术中，根据现在温度、最终目标温度和温度收敛用斜坡率，对前述将来的目标温度列进行更新的技术。对前述将来的目标温度列进行更新的技术。对前述将来的目标温度列进行更新的技术。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】温度控制方法、半导体器件的制造方法、程序及衬底处理装置


[0001]本公开文本涉及温度控制方法、半导体器件的制造方法、程序及衬底处理装置。

技术介绍

[0002]在半导体制造装置中，例如为了在处理衬底上形成薄膜而将衬底收容于炉内，并对炉内进行加热。并且，为了将炉内维持在适当的温度、或者使炉内追随所指定的温度变化，控制装置基于预先设定的温度而进行温度控制。
[0003]对于通常使用的温度控制而言，通过基于比例
·
积分
·
微分(以下，记为PID)运算的反馈控制，以接近所期望的温度的方式，对加热炉内的加热器的电力量进行控制。在基于该PID运算的反馈控制中，需要预先确定适当的比例参数、积分参数、微分参数(以下，记为PID参数)。就该PID参数而言，优选根据加热器的温度特性来确定最优值。
[0004]例如，专利文献1公开了具有切换器的半导体制造装置，所述切换器将由图案产生部所输出的操作量、和由通过加法器而输入有目标值及控制检测值的调节部所输出的操作量进行切换并输出。另外，专利文献2公开了下述半导体制造装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.温度控制方法，其是以使根据预先保持的预测模型算出的预测温度列接近将来的目标温度列的方式对现在的加热器供给电力进行控制的温度控制方法，在所述温度控制方法中，根据现在温度、最终目标温度和温度收敛用斜坡率，对所述将来的目标温度列进行更新。2.温度控制方法，其是以使根据预先保持的预测模型算出的预测温度列接近将来的目标温度列的方式对现在的加热器供给电力进行控制的温度控制方法，在所述温度控制方法中，根据现在温度、最终目标温度和温度收敛指定时间，对所述将来的目标温度列进行更新。3.如权利要求1或2所述的温度控制方法，其中，在对所述将来的目标温度列进行更新时的现在温度被替换为所指定的参照指定区域的现在温度而应用。4.如权利要求1或2所述的温度控制方法，其中，算出：个别输入响应特性矩阵，其表示在以向量形式表示所述预测温度列的预测温度向量中，受此次算出的电力供给值影响而变化的量；和个别零响应特性向量，其表示在所述预测温度向量中，受过去的炉内温度和过去的电力供给值影响而变化的量。5.如权利要求4所述的温度控制方法，其还包括：使用所述个别输入响应特性矩阵和所述个别零响应特性向量、及以向量形式表示所述将来的目标温度列的目标温度列向量，制作综合特性方程式的工序；和分别输入由制作所述综合特性方程式的工序算出的综合输入响应特性矩阵及综合零响应特性向量、综合目标温度向量、和各区域的上下限值，针对所述综合特性方程式利用有效制约法计算此次的电力供给值的工序。6.如权利要求1或2所述的温度控制方法，其中，所述预测模型包含涉及对加热器温度及炉内温度中的至少一者的温度进行预测的预测模型的系数、系数误差相关矩阵、基准温度、及稳定功率值。7.如权利要求6所述的温度控制方法，其中，选自由所述预测模型所涉及的系数、系数误差相关矩阵、基准温度及稳定功率值组成的组中的至少一者是按各区域的加热器温度、及各区域的炉内温度而被分别定义的。8.如权利要求6所述的温度控制方法，其中，对于与全部区域的加热器温度、及全部区域的炉内温度有关的预测模型而言，将上述全部作为1组，与各温度带对应。9.如权利要求6所述的温度控制方法，其中，所述预测模型由计算所述炉内温度的预测温度的以下的式1表示，[数学式1]Δy(t)＝a1·
y(t
‑
1)+a2·
y(t
‑
2)+ma1·
p
a
(t
‑
1)+ma2·
p
a
(t
‑
2)+
…
+ma
n
·
p
a
(t
‑
n)+mb1·
p
b
(t
‑
1)+mb2·
p
b
(t
‑
2)+
…
+mb
n
·
p
b
(t
‑
n)+mc1·
p
c
(t
‑
1)+mc2·
p
c
(t
‑
2)+
…
+mc
n
·
p
c
(t
‑
n)+md1·
p
d
(t
‑
1)+md2·
p
d
(t
‑
2)+
…
+md
n
·
p
d
(t
‑
n)+me1·
p
e
(t
‑
1)+me2·
p
e
(t
‑
2)+
…
+me
n
·
p
e
(t
‑
n)+bi
…
(式1)此处，Δy(t)为时刻t的预测温度与基准温度的偏离，y(t
‑
1)、y(t
‑
2)为1次前、2次前的温度与基准温度的偏离，p
a
(t
‑
1)、p
a
(t
‑
2)、
···
、p
a
(t
‑
n)为1次前、2次前、
···
、n次前
的区域a的电力供给值与稳定功率值的偏离，p
b
(t
‑
1)、p
b
(t
‑
2)、
…
、p
b
(t
‑
n)为1次前、2次前、
···
、n次前的区域b的电力供给值与稳定功率值的偏离，p
c
(t
‑
1)、p
c
(t
‑
2)、
···
、p
c
(t
‑
n)为1次前、2次前、
···
、n次前的区域c的电力供给值与稳定功率值的偏离，p
d
(t
‑
1)、p
d
(t
‑
2)、
…
、p
d
(t
‑
n)为1次前、2次前、
…
、n次前的区域d的电力供给值与稳定功率值的偏离，p

【专利技术属性】
技术研发人员：山口英人，上野正昭，重松圣也，杉下雅士，前田修平，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：