提高洁净区和氧沉淀密度的硅片快速热处理方法技术

本发明专利技术涉及一种提高洁净区和氧沉淀密度的硅片快速热处理方法，所属半导体加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：在惰性气体和H2的混合气氛中，将硅片加热到1230℃～1270℃，且惰性气体与H2的浓度比例为3～1:1。第二步：将硅片在1270℃条件下保温30秒及以上。第三步：降温时，高温阶段的降温速率保持稳定的数值进行降温650度～700度，接着再持续降温至常温。通过控制洁净区厚度，提高吸杂区域的氧沉淀密度,同时降低表面的COP密度。淀密度,同时降低表面的COP密度。

【技术实现步骤摘要】
提高洁净区和氧沉淀密度的硅片快速热处理方法


[0001]本专利技术涉及半导体加工
，具体涉及一种提高洁净区和氧沉淀密度的硅片快速热处理方法。

技术介绍

[0002]硅片是制备超大规模集成电路的主要材料，一般通过直拉法获得单晶硅，再通过切片、磨片、腐蚀、抛光等工艺过程做成集成电路用的半导体硅片。硅的熔点为1420℃，拉晶过程中，在高温作用下部分石英坩埚物会进入硅熔体，使得熔体硅受到沾污物质的污染，这些物质主要是氧，从而使硅单晶中存在一定浓度的氧杂质。氧原子作为杂质中心，导致了COP、氧化诱生层错OISF等不同类型缺陷的产生，这些缺陷为后续硅片的使用带来了各种影响。
[0003]器件制造过程中进行的热处理工艺会使硅片中的氧聚集，生成氧沉淀，氧沉淀有着双重作用：处于器件工作区的氧沉淀会使器件失效；处于非工作区的氧沉淀会作为吸杂中心，俘获器件制造过程中引入的有害过渡金属杂质。因此集成电路制造要求降低工艺过程中引入的金属沾污。
[0004]内吸杂技术是一种能有效地从器件区移走过渡金属的技术。它利用氧沉淀的双重作用和金属扩散速度快这一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高洁净区和氧沉淀密度的硅片快速热处理方法，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：在惰性气体和H2的混合气氛中，将硅片加热到1230℃～1270℃，且惰性气体与H2的浓度比例为3～1:1；第二步：将硅片在1270℃条件下保温30秒及以上；第三步：降温时，高温阶段的降温速率保持稳定的数值进行降温650度～700度，接着再持续降温至常温。2.根据权利要求1所述的提高洁净区和氧沉淀密度的硅片快速热处理方法，其特征在于：惰性气体为Ar或N2。3.根据权利要求1所述的提高洁净区和氧沉...

【专利技术属性】
技术研发人员：邝梦杰，叶绍凤，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：