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本发明涉及一种提高洁净区和氧沉淀密度的硅片快速热处理方法，所属半导体加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：在惰性气体和H2的混合气氛中，将硅片加热到1230℃～1270℃，且惰性气体与H2的浓度比例为3～1:1。第二步：将硅片在1270℃...
该专利属于杭州中欣晶圆半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州中欣晶圆半导体股份有限公司授权不得商用。

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