【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氧化硅热反射板
[0001]本专利技术例如涉及一种氧化硅热反射板,该氧化硅热反射板在半导体电子零件领域中,能够用作在高温下对晶圆、衬底等进行热处理的各种热处理装置的热反射板,由于具有高反射率,所以能够实现热处理装置的节能化,且能够抑制污染。
技术介绍
[0002]在半导体晶圆的制造或处理步骤中,为了对半导体晶圆赋予各种性质而进行热处理作业。例如将半导体晶圆收纳在高纯度石英制的炉芯管中,控制炉芯管内的气体氛围而进行热处理作业。在该热处理步骤所使用的热处理装置中,为了维持炉内的高温及防止向炉床部的散热,在炉内与炉床之间以堵住炉开口部的方式设有保温体(盖体)。
[0003]作为这种保温体,存在具有石英板的保温体,该石英板将热处理室的开口部封堵并相互分离地积层,且露出到热处理室,这种保温体具有如下特征:石英板表面平滑且无气泡,在石英板内部形成着金薄膜,金薄膜是通过金蒸镀而形成的(例如参照专利文献1)。
[0004]另外,公开了如下技术:在具有供石英管贯穿中心的孔及供石英棒贯穿的孔的石英板之上,通过丝网印刷来涂布将有机物添加到铂(Pt)与氧化物(SiO或PbO等)的混合物中并制成糊状所得的糊状物,将该糊状物烘烤硬化,由此形成包含电阻发热体的例如厚度5~10微米的反射面(例如参照专利文献2)。
[0005]也公开了如下技术,立式热处理炉的隔热构造体包含多根支柱、及沿上下方向以指定间隔设置在这些支柱的多片具有反射性的隔热板(例如参照专利文献3)。根据专利文献3,隔热板由反射膜、及被覆该反射膜的表面的透明石英 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种氧化硅热反射板,其特征在于具有:氧化硅板;及反射体,配置在该氧化硅板的内部,外周围由该氧化硅板完全覆盖,且将入射到该氧化硅板的一表面的红外线反射;且所述反射体为薄膜、板或箔,所述反射体的至少包含反射面的表面层含有Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf或Mo,或包含含有选自Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf及Mo中的至少任一种的合金。2.根据权利要求1所述的氧化硅热反射板,其中所述氧化硅板具有层合板构造,即,第1氧化硅板与第2氧化硅板对向配置,且周缘部彼此沿着周缘呈环状连续地接合。3.根据权利要求2所述的氧化硅热反射板,其中所述层合板构造具有空腔,该空腔设置在所述第1氧化硅板与所述第2氧化硅板的相向的面之间,且在所述第1氧化硅板侧及所述第2氧化硅板侧的至少一侧通过所述周缘部彼此的接合部而密闭;且在该空腔内配置着所述反射体。4.根据权利要求3所述的氧化硅热反射板,其中至少在所述第1氧化硅板侧具有所述空腔,在所述第1氧化硅板的所述空腔内的表面上具有作为所述反射体而形成的薄膜,该薄膜为积层膜,该积层膜从所述第1氧化硅板的所述空腔内的表面侧起依序具有基底膜、及作为包含所述反射面的表面层的反射膜,所述基底膜含有Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co或Ni,或包含含有选自Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co及Ni中的至少任一种的合金,所述反射膜含有Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf或Mo,或包含含有选自Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf及Mo中的至少任一种的合金,所述基底膜与所述反射膜具有不同的组成。5.根据权利要求3所述的氧化硅热反射板,其中所述第1氧化硅板为平板,在所述第2氧化硅板侧具有所述空腔,在所述第1氧化硅板的表面上具有作为所述反射体而形成的薄膜,该薄膜为积层膜,该积层膜从所述第1氧化硅板的表面侧起依序具有基底膜、及作为包含所述反射面的表面层的反射膜,所述基底膜含有Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co或Ni,或包含含有选自Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co及Ni中的至少任一种的合金,所述反射膜含有Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf或Mo,或包含含有选自Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf及Mo中的至少任一种的合金,所述基底膜与所述反射膜具有不同的组成。6.根据权利要求3所述的氧化硅热反射板,其中所述反射体为板或箔,且含有Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf或Mo,或包含含有选自Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf及Mo中的至少任一种的合金。7.根据权利要求3至6中任一项所述的氧化硅热反射板,其中所述空腔内的压力减小为小于大气压。8.根据权利要求3至7中任一项所述的氧化硅热反射板,其中(1)所述第1氧化硅板具有设置在所述周缘部的堤部、及由该堤部包围而构成所述空腔的凹部,所述第2氧化硅板为平
板状,或,(2)所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:丸子智弘,石黒好裕,松村尊信,大川裕也,
申请(专利权)人:株式会社古屋金属,
类型:发明
国别省市:
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