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本发明涉及一种硅抛光片的漏源极漏电改善工艺，包括以下步骤：步骤一：第一步高温处理，将硅抛光片放入高温炉内，将温度升高到1100～1250℃的进行热处理，热处理时间为140～160分钟，并确保高温炉内充满氮气和氧气，形成氮气和氧气的混合环境；...
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