本技术涉及一种防划伤硅片架，包括硅片架本体、硅片架支脚和下部漏空，所述的硅片架本体下部中间位置设置有下部漏空，所述的硅片架本体下部被下部漏空分隔，形成两个对称布置的硅片架支脚，所述的硅片架本体上端中部设置有中部漏空的硅片放置槽，所述的硅...

本发明公开了一种硅单晶缺陷的表征方法，包括以下步骤：准备两块等效的第一硅单晶片和第二硅单晶片，将硝酸铜溶液喷洒在第一硅单晶片的表面，再干燥并进行热处理

本实用新型涉及一种硅片包装用工作台，包括仓室本体、顶部风机和主机，所述的仓室本体上部设置有顶部风机，所述的顶部风机的进风口在仓室本体，所述的顶部风机的位于仓室本体内部，所述的仓室本体内部间隔并排安装有两个工作台，每个工作台的右侧安装有包...

本实用新型涉及一种实时配液装置，包括储备槽

本实用新型涉及一种片盒清洗用定位篮，包括底座、盒芯定位支架、盒盖定位支架和盒底定位支架，所述的底座上端面中部安装有盒芯定位支架，所述的盒芯定位支架左右两侧对称安装有盒盖定位支架和盒底定位支架，所述的盒盖定位支架和盒底定位支架结构相同，均...

本发明涉及一种硅抛光片的漏源极漏电改善工艺，包括以下步骤：步骤一：第一步高温处理，将硅抛光片放入高温炉内，将温度升高到1100～1250℃的进行热处理，热处理时间为140～160分钟，并确保高温炉内充满氮气和氧气，形成氮气和氧气的混合环...