【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅晶体生长半导体，特别是涉及一种使硅晶圆从完美间隙型转变为完美空位型的加工方法。
技术介绍
1、空位和自间隙是直拉法单晶硅中存在的点缺陷，通过精确控制晶体生长速度并选择特定的热场设计，可以实现无缺陷状态(硅片中仅含有非常小的缺陷并且其密度非常低)。
2、富含空位的无缺陷硅材料通常被称为空位型完美硅单晶(pv)，富含自间隙硅原子的无缺陷硅材料称为间隙型完美硅单晶(pi)。用于微电子的现代硅衬底必须只含有低浓度的点缺陷，并且器件制造商倾向于避免在其生产过程中使用pi硅片。
3、因为在间隙较多的硅片中，杂质吸除效果较差且此类硅片含有较小的团聚间隙不适合在灵敏器件中使用，但是在单晶生产过程中不可避免地会生成pi单晶硅，导致生产成品率降低，影响生产效益，为了解决上述技术问题，需要对工艺进行改进。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是提供一种使硅晶圆从完美间隙型转变为完美空位型的加工方法，使用高温快速热处理后，能够使硅晶圆的主体及靠近表面处呈现典型的p...
【技术保护点】
1.一种使硅晶圆从完美间隙型转变为完美空位型的加工方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种使硅晶圆从完美间隙型转变为完美空位型的加工方法，其特征在于：步骤三中，升温速率为20℃/s。
【技术特征摘要】
1.一种使硅晶圆从完美间隙型转变为完美空位型的加工方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁兴勃，阿曼多詹纳塔西奥，郑铁波，张孟奇，赵静，
申请(专利权)人：金瑞泓微电子嘉兴有限公司，
类型：发明
国别省市：
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