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本发明涉及一种使硅晶圆从完美间隙型转变为完美空位型的加工方法，包括以下步骤：步骤一：将晶圆放入到快速热处理设备内，之后启动设备进行加热，首先快速热处理设备从室温开始升温，晶圆的温度迅速升高到550℃～620℃；步骤二：保持温度20秒～26秒...
该专利属于金瑞泓微电子（嘉兴）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过金瑞泓微电子（嘉兴）有限公司授权不得商用。

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