【技术实现步骤摘要】
本专利技术在整体上涉及一种半导体装置及其制造方法，特别涉及一种多通道功率高电子迁移率晶体管(hemt)。
技术介绍
1、最近，例如gan和sic等宽能隙半导体因其材料特性优于硅而被广泛使用，功率半导体装置(power semiconductor device)包括高电子迁移率晶体管(high electronmobility transistor，hemt)装置、绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolartransistor，igbt)装置和金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductorfield effect transistor，mosfet)装置。与小讯号装置相比，功率装置必须承受更大的电压和电流幅度，才能提供高输出功率。
2、虽然在功率半导体装置中使用宽能隙半导体材料提高了输出功率并提升了耐热性，但随着对功率半导体装置性能的要求越来越高，目前的功率半导体装置被认为已经达到了极限。目前功率半导体装置所产生的载流子电流仍然远低于宽能隙半导体材料应有的前景。此外，现有的...
【技术保护点】
1.一种多通道多电极异质结构场效应晶体管，其特征在于，其包括：
2.如权利要求1所述的多通道多电极异质结构场效应晶体管，其特征在于，填充在所述导热基板中内嵌的所述多个通孔中的金属材料为AuTi合金、AuSn合金或AuNi合金。
3.如权利要求1所述的多通道多电极异质结构场效应晶体管，其特征在于，所述导热基板的所述半导体晶圆为SiC、Si、GaN或Al2O3。
4.如权利要求1所述的多通道多电极异质结构场效应晶体管，其特征在于，所述超晶格堆叠体进一步包括氮化铝间隔层。
5.如权利要求1所述的多通道多电极异质结构场效应晶体管...
【技术特征摘要】
1.一种多通道多电极异质结构场效应晶体管，其特征在于，其包括：
2.如权利要求1所述的多通道多电极异质结构场效应晶体管，其特征在于，填充在所述导热基板中内嵌的所述多个通孔中的金属材料为auti合金、ausn合金或auni合金。
3.如权利要求1所述的多通道多电极异质结构场效应晶体管，其特征在于，所述导热基板的所述半导体晶圆为sic、si、gan或al2o3。
4.如权利要求1所述的多通道多电极异质结构场效应晶体管，其特征在于，所述超晶格堆叠体进一步包括氮化铝间隔层。
5.如权利要求1所述的多通道多电极异质结构场效应晶体管，其特征在于，所述第一超晶格堆叠层包括多个alxiga(1-xi)n/gan超晶格层对组，其中i为表示第i层的整数，xi为0.3≤xi<1的摩尔分数。
6.如权利要求5所述的多通道多电极异质结构场效应晶体管，其特征在于，所述第二超晶格堆叠层包括多个inzkga(1-zk)n/gan超晶格层对组，其中k为表示第k层的整数，zk为0.3≤zk<1的摩尔分数。
7.如权利要求6所述的多通道多电极异质结构场效应晶体管，其特征在于，所述超晶格堆叠体进一步包括设置在所述第一超晶格堆叠层和所述第二超晶格堆叠层之间的第三超晶格堆叠层。
8.如权利要求7所述的多通道多电极异质结构场效应晶体管，其特征在于，所述第三超晶格堆叠层包括多个alyjga(1-yj)n/gan超晶格层对组，其中j为表示第j层的整数，yj为0.3≤yj<1的摩尔分数。
9.如权利要求8所述的多通道多电极异质结构场效应晶体管，其特征在于，xi大于yj。
10.如权利要求9所述的多通道多电极异质结构场效应晶体管，其特征在于，所述场效应晶体管包括源极、漏极和栅极，其中所述源极、所述漏极和所述栅极穿过所述超晶格堆叠体的至少一部分，使得所述栅极的深度为大于或等于所述第二超晶格堆叠层的厚度，且小于或等于所述第一超晶格堆叠层、所述第二超晶格堆叠层及所述第三超晶格堆叠层的厚度之和。
11.一种多通道多电极异质结...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。