薄型化半导体封装件及其封装方法技术

一种薄型化半导体封装件及其封装方法，该薄型化半导体封装件包含一半导体晶粒

【技术实现步骤摘要】
薄型化半导体封装件及其封装方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体封装件及其封装方法，特别是指薄型化半导体封装件及其封装方法
。

技术介绍

[0002]习知半导体封装件的封装方法包含：
[0003]请参考图
13
，准备一导线架
50
，该导线架
50
包含多个第一接脚
51
与多个第二接脚
52
，其中一个第一接脚
51
对向间隔于一个第二接脚
52
，以印刷方式
(Printing)
在该多个第一接脚
51
的顶面与该多个第二接脚
52
的顶面分别设有锡膏层
53。
[0004]请参考图
14
，将多个半导体晶粒
54
分别设置在该多个第一接脚
51
的锡膏层
53
，其中，该多个半导体晶粒
54
是以其底电极
(
图中未示
)
设置在该多个第一接脚
51
的锡膏层
53
，该多个半导体晶粒
54
的顶电极
540
表面朝上
。
举例来说，该多个半导体晶粒
54
可为二极管晶粒，其顶电极
540
与底电极分别为不同极性的电极
。
[0005]请参考图
15
，通过打线接合
(wire bonding)
方式，将一导线
55
连接于每一半导体晶粒
54
的顶电极
540
与对应的第二接脚
52
的锡膏层
53。
[0006]请参考图
16
，进行封胶步骤
(Molding)
，通过灌模方式，于各该半导体晶粒
54、
各该第一接脚
51
与各该第二接脚
52
设置一封胶体
56
，该封胶体
56
包覆该半导体晶粒
54、
该第一接脚
51、
该第二接脚
52
与该导线
55
，且该半导体晶粒
54
与该导线
55
是被该封胶体
56
完全包覆
。
其中，该导线架
50
上还包含有胶渣
571、
毛边
572
与对应于模具流道
(runner)
的骨架
573。
然后，移除该骨架
573、
除胶渣
571
及去毛边
572
，形成图
17
所示的态样
。
[0007]请参考图
18
，在该导线架
50
以电镀方式形成导电层
58
，也就是说，该导线架
50
外露于该多个封胶体
56
的部分
(
包含该多个第一接脚
51
与该多个第二接脚
52)
被该导电层
58
覆盖
。
[0008]然后，切割该导线架
50
以分离该多个封胶体
56
，完成如图
19
所示习知半导体封装件
60。
请参考图
20
，为该习知半导体封装件
60
设置在一电路板
70
的结构，习知半导体封装件
60
的导电层
58
分别连接该电路板
70
的相异的两接点
71。
[0009]然而，习知半导体封装件
60
中的封胶体
56
需具有一定厚度与体积，方能完全包覆及保护该半导体晶粒
54
与该导线
55
，当习知半导体封装件
60
于电路中实际操作时，该半导体晶粒
54
产生的热能无法通过该封胶体
56
有效散热，造成习知半导体封装件
60
的整体散热效果有限
。
另一方面，习知半导体封装件
60
的封装方法在封胶步骤中采用灌模方式，如图
16
所示的导线架
50
上自然会存在骨架
573、
胶渣
571
及毛边
572
，导致后续必须移除该骨架
573、
除胶渣
571
及去毛边
572
，其工序繁杂，不易简化
。

技术实现思路

[0010]有鉴于此，本专利技术的主要目的是提供一种薄型化半导体封装件及其封装方法，以期克服先前技术所述习知半导体封装件的散热效果有限的缺点，以及习知半导体封装件的
封装方法工序繁杂
、
不易简化的缺点
。
[0011]本专利技术薄型化半导体封装件包含：
[0012]一半导体晶粒，具有一顶电极与一底电极；
[0013]一封胶体，包覆该半导体晶粒的侧面并外露该顶电极与该底电极，该封胶体具有两端，其中各端具有至少一第一结合部；
[0014]两接脚块，分别设置在该封胶体的该两端，其中，各该接脚块具有至少一第二结合部，该至少一第二结合部结合于该至少一第一结合部；
[0015]一第一导电桥接层，连接该半导体晶粒的顶电极与其中的一该接脚块；
[0016]一第二导电桥接层，连接该半导体晶粒的底电极与另一该接脚块；以及
[0017]两绝缘保护层，分别覆盖该第一导电桥接层与该第二导电桥接层
。
[0018]本专利技术薄型化半导体封装件的封装方法包含：
[0019]一黏晶步骤，将多个半导体晶粒间隔设置在一导线架中，该导线架与该多个半导体晶粒之间具有一间隔空间，该导线架于该间隔空间中沿着一水平方向包含两侧壁，各该侧壁具有至少一第一结合部；
[0020]一封胶步骤，设置一封胶层，该封胶层覆盖该导线架与该多个半导体晶粒，并填入于该间隔空间以及形成结合于该至少一第一结合部的至少一第二结合部；
[0021]一研磨步骤，磨除该封胶层的表面，直到外露该导线架与该多个半导体晶粒，该封胶层填入于该间隔空间的部分形成一封胶体；
[0022]一线路布置步骤，对各该半导体晶粒设置一第一导电桥接层与一第二导电桥接层，该第一导电桥接层连接各该半导体晶粒的一顶电极与该导线架，该第二导电桥接层连接各该半导体晶粒的一底电极与该导线架；
[0023]一遮罩步骤，将两绝缘保护层分别覆盖该第一导电桥接层与该第二导电桥接层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种薄型化半导体封装件，其特征在于，包含：一半导体晶粒，具有一顶电极与一底电极；一封胶体，包覆该半导体晶粒的侧面并外露该顶电极与该底电极，该封胶体具有两端，其中各端具有至少一第一结合部；两接脚块，分别设置在该封胶体的该两端，其中，各该接脚块具有至少一第二结合部，该至少一第二结合部结合于该至少一第一结合部；一第一导电桥接层，连接该半导体晶粒的顶电极与其中的一该接脚块；一第二导电桥接层，连接该半导体晶粒的底电极与另一该接脚块；以及两绝缘保护层，分别覆盖该第一导电桥接层与该第二导电桥接层
。2.
如权利要求1所述的薄型化半导体封装件，其特征在于，该至少一第一结合部为凹槽，该至少一第二结合部为设置在该至少一第一结合部内的凸部
。3.
如权利要求2所述的薄型化半导体封装件，其特征在于，所述凹槽和所述凸部的宽度朝该半导体晶粒的方向渐缩
。4.
如权利要求1所述的薄型化半导体封装件，其特征在于，该两接脚块的尺寸彼此相异
。5.
如权利要求1至4中任一项所述的薄型化半导体封装件，其特征在于，该两接脚块分别定义为一第一接脚块与一第二接脚块，该两绝缘保护层分别定义为一第一绝缘保护层与一第二绝缘保护层；该第一导电桥接层分布于该半导体晶粒的顶电极
、
该封胶体的顶面与该第一接脚块的顶面；该第二导电桥接层分布于该半导体晶粒的底电极
、
该封胶体的底面与该第二接脚块的底面；该第一绝缘保护层覆盖该第一导电桥接层重叠于该封胶体与该半导体晶粒的顶电极的部分；该第二绝缘保护层覆盖该第二导电桥接层重叠于该封胶体与该半导体晶粒的底电极的部分
。6.
如权利要求1至4中任一项所述的薄型化半导体封装件，其特征在于，进一步包含两外导电层，该两外导电层分别包覆及电性连接该两接脚块，该两外导电层的尺寸彼此相异
。7.
如权利要求5所述的薄型化半导体封装件，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：何中雄，李季学，
申请(专利权)人：强茂股份有限公司，
类型：发明
国别省市：