锂离子电池复合正极材料碳包覆的磷酸铁锂的微波合成方法，将含Ｌｉ盐的原料、含亚铁盐的原料、含磷酸根的原料以及有机碳源按化学计量比Ｌｉ∶Ｆｅ∶Ｐ∶Ｃ＝１∶１∶１∶０．２－２的配比，用乙醇或丙酮作为分散剂球磨３－６小时，混合好的料干燥，压片，...

便携式燃料电池极板，在燃料电池膜电极的两侧，各有一块双极板，用于电流收集、气体分布以及热管理；在双极板上，都刻有散热流道，用于电池散热介质的传输。在双极板的两侧分别刻有气体反应流道和散热流道，并在入口处双极板的两侧，分别设有反应流道的开...

燃料电池气体扩散层的制备方法，将碳黑粉末、蒸馏水、分散剂按照以下比例混合均匀，分散剂的量占碳黑的５－３０ｗｔ％，碳黑粉末的量为整个体系的１－２０ｗｔ％；碳黑的颗粒为３０－１０００ｎｍ；将１０－６０％浓度的ＰＴＦＥ或ＰＶＤＦ乳液均匀加入上...

一种电阻快速可调导电聚合物／聚电解质固体复合膜，它是以导电聚合物固体膜作为正极材料，复合有由聚偏氟乙烯（ＰＶＤＦ）、聚碳酸酯（ＰＣ）和高氯酸锂（ＬｉＣｌＯ↓［４］）组成的聚电解质膜的导电聚合物／聚电解质固体复合膜或者一种固体混合膜。本发...

碳氮纳米管负载铂钌纳米粒子电极催化剂，碳氮纳米管中氮含量为０．０１～１．３４（Ｎ／Ｃ原子比），记为ＣＮ↓［ｘ］，其中ｘ＝０．０１～１．３４；所述铂钌纳米粒子的粒径为０．１～１５ｎｍ，铂或与钌纳米粒子的含量（ｗｔ％）占碳氮纳米管质量的１％...

染料敏化纳晶薄膜太阳能电池的高孔隙柔性碳对电极，所述高孔隙柔性碳对电极包括一个由一层具有三维多孔扩散微结构的碳纤维膜和一层聚四氟乙烯薄膜组成的复合膜；膜上设有二氧化钛半导体多孔薄膜为半导体工作电极。电极的制备方法是，对碳纤维膜石墨化和担...

本发明公开了一种染料敏化太阳能电池工作电极，其特点是在染料敏化太阳能电池的工作电极内部增加导电微通道，以增强电子的捕获和收集效率，避免电子－空穴的复合，从而提高太阳能电池的效率等性能指标。本发明设计新颖，制备可行，是目前提高染料敏化太阳...

本发明涉及锂电池用正极材料，通式为ＬｉＭＮＯ↓［４］，其中Ｍ是Ｍｇ或Ｃａ，Ｎ是Ｔａ、Ｎｂ或Ｖ。其高温固相烧结制备方法，以Ｌｉ↓［２］Ｏ、ＭＯ和Ｎ↓［２］Ｏ↓［５］为原材料，Ｍ是Ｍｇ或Ｃａ，Ｎ是Ｔａ、Ｎｂ或Ｖ，将纯度为９９．９９％的Ｌｉ↓...

本发明涉及锂电池用正极材料，通式为ＬｉＭＮＯ↓［４］，其中Ｍ是Ｂａ或Ｃｄ，Ｎ是Ｔａ、Ｎｂ或Ｖ。高温固相烧结制备方法，以Ｌｉ↓［２］Ｏ、ＭＯ和Ｎ↓［２］Ｏ↓［５］为原材料，Ｍ是Ｂａ或Ｃｄ，Ｎ是Ｔａ、Ｎｂ或Ｖ，将纯度为９９．９９％的Ｌｉ↓［...

本发明涉及具有较高电容量（＞１３０ｍＡｈ／ｇ）的锂电池用正极材料，ＬｉＢｉＳｎＯ↓［４］、ＬｉＢｉＴｉＯ↓［４］、ＬｉＢｉＰｂＯ↓［４］、ＬｉＩｎＳｎＯ↓［４］、ＬｉＩｎＴｉＯ↓［４］或ＬｉＩｎＰｂＯ↓［４］。其高温固相烧结制备方法是：...

本发明涉及具有较高电容量（＞１２７ｍＡｈ／ｇ）的锂电池用正极材料，包括ＬｉＳｂＳｎＯ↓［４］、ＬｉＳｂＴｉＯ↓［４］、ＬｉＳｂＰｂＯ↓［４］、ＬｉＳｂＭｎＯ↓［４］、ＬｉＢｉＭｎＯ↓［４］、ＬｉＩｎＭｎＯ↓［４］、ＬｉＡｌＭｎＯ↓［４］...

碳氮纳米纤维负载铂钌纳米粒子电极催化剂，将碳氮纳米纤维分散在含铂和钌二种金属盐的溶液中，采用还原剂还原，纯化后得到碳氮纳米纤维负载铂钌纳米粒子的电极催化剂；所述碳氮纳米纤维，直径在５～３００ｎｍ，Ｎ／Ｃ原子比为０．０１～０．２５，记为Ｃ...

本发明公开了一种新型的低贵金属载量的硼氢化物直接氧化的电催化剂及其制备方法。采用光沉积方法制备的Ａｕ／ＴｉＯ↓［２］电氧化阳极催化剂，其阳极硼氢化物分解比使用商用的Ｐｔ／Ｃ催化剂减少一个数量级以上，大大提高了电池对于硼氢化钠的利用效率。...

担载型纳米Ｐｔ（Ｐｔ－Ｍ）／载体催化剂制备方法，将载体均匀分散于氯铂酸溶液中得到电解液，注入施加超声的双铂电极电解槽中电沉积，得到均匀担载于载体上的纳米Ｐｔ（Ｐｔ－Ｍ）催化剂悬浮液，分离得到担载型纳米Ｐｔ（Ｐｔ－Ｍ）／载体催化剂。本发明...

可见光铟镓氮基光电化学电池的制备方法，采用ＭＯＣＶＤ在α－Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］衬底上外延生长单晶取向的ＧａＮ支撑层和Ｉｎ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ合金层，利用ＧａＮ层缓解ＩｎＧａＮ层与衬底之间大晶格失配；其中ＧａＮ层生长采用两步法，先...

一种铅酸蓄电池的双层密封工艺，密封式，将待密封处表面打磨清洁干净，先涂刷液体橡胶密封涂料（底胶），固化后，表层浇铸沥青，双层密封工艺能阻止酸液沿着电池壳壁爬伸，防止酸气逸出，从而延长蓄电池的充放电寿命。

基于双层纳米硅结构的半导体非挥发性浮栅存储器，以ｐ型硅（电阻率为１－１０Ω.ｃｍ）作为衬底（２０），源漏极（２２、２８）在衬底的两侧，在衬底上先设有第一层隧穿介质层形成的ＳｉＯ↓［２］层（２３），厚度为１－２ｎｍ或ＳｉＮｘ层，厚度为３－...

本发明涉及一种提高发光效率的稀土掺杂二氧化硅薄膜制备方法，属于光电子器件材料技术领域。该方法的步骤为配制前驱体溶胶溶液、在衬底上形成湿膜、热分解湿膜、在衬底上制备薄膜、高温退火。实验证明，采用本发明的方法可以使稀土离子的发光产生数量级的...

基于平面结构的Ⅲ族氮化物半导体发光二极管，在衬底材料上分别设有氮化物半导体缓冲层、氮化物半导体有源层、氮化物半导体接触层，两连线电极被制备在氮化物半导体有源层同一侧的接触层上；该缓冲层的材质是氮化铝镓铟，单层或者变组分的多层结构；总厚度...

原位制备自支撑氮化镓衬底的方法，采用ＨＶＰＥ生长方式在蓝宝石上生长ＧａＮ缓冲层薄膜，反应源材料为金属镓，高纯ＨＣｌ或三甲基镓或其它有机镓源，载气Ｎ↓［２］及ＮＨ↓［３］；生长温度为５５０－７５０℃，缓冲层厚度在５０ｎｍ－１μｍ；缓冲层生...