改善蓝宝石衬底上ＧａＮ厚膜完整性的方法，采用ＨＶＰＥ工艺，包括下述步骤：１）采用的衬底是蓝宝石或Ｓｉ，２）将上述衬底经过清洗、吹干后，放入ＨＶＰＥ生长系统中，先生长低温ＧａＮ缓冲层，缓冲层生长温度５５０－７５０℃，生长时间３０－３００ｓ...

属于半导体深能级谱的测量仪器，已有的谱仪测得的谱分辨率低．本发明提出了高分辨率组合率窗系列，设计了多种方案的高分辨率组合率窗讯号处理仪，以及用此处理仪而得到的高分辨率深能级瞬态（电容）谱仪等多种高分辨率深能级谱仪．本发明仪器所得实验谱线...

本发明涉及在半导体基质材料上获得原子级晶格材料的方法及专用生长设备。在一透明室内注入气相材料，并维持１０＋［－２］托以下的真空条件，采用灯加热使气相材料反应在基底表面反应淀积，反应淀积温度在气相材料、热解温度或其它临界反应温度之上，重复...

本发明涉及制备光致可见发光的硅量子材料及其应用。本发明用玻璃做衬底材料，由硅烷（ＳｉＨ↓［４］）和氨气（ＮＨ↓［３］）做气体源；利用等离子体化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术，制备出各种厚度的ａ－Ｓｉ：Ｈ／ａ－ＳｉＮ↓［ｘ］：Ｈ多层膜。尔后...

一种掺杂或不掺杂的ＣＶＤ外延生长低表面分凝硅／锗硅异质结构的方法，包括生长量子阱、超晶格和其它由异质结构组成的多层结构，其特征是在生长过程中，采用氢气稀释生长源气，氢气流量为生长源气总流量的２－４０倍。本方法可以得明显低表面分凝的硅／锗...

本发明属新材料和新技术领域，在衬底材料上生长压电材料，选择压电材料（包括ＬｉＮｂＯ↓［３］、ＬｉＴａＯ↓［３］、ＰｂＴｉＯ↓［３］、ＢａＴｉＯ↓［３］、Ｌｉ↓［３］ＢＯ↓［７］、ＳｉＯ↓［２］、ＺｎＯ、ＰＺＴ、ＴｅＯ↓［２］、Ｂｉ↓［１...

高强度导电性聚噻吩、聚噻吩二极管及其在非贵金属基质上的制备方法，属于导电高分子领域。将噻吩溶于重蒸过的三氟化硼乙醚中，加入微量水，Ａｇ／ＡｇＣｌ为参比电极，工作电极和对电极都可为下述金属或合金的一种或两种（不锈钢、铝、锌、铅、镍、铂、金...

一种利用ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构制备硅量子线的方法，其特征是在硅单晶上生长Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质薄膜，光刻和反应离子刻蚀形成沟槽；采用选择化学腐蚀去除ＳｉＧｅ层并形成硅线，通过低温热氧化过程对硅线进行细化和光滑达到最终所希望的尺寸，同时...

高强度巨磁阻导电聚合物复合膜及其制备方法，采用三电极电化学电解池，分别以不锈钢片和铝合金片作工作电极，在工作电极上电化学聚合聚吡咯膜或聚（３－甲基吡咯）膜。再以包裹着上述聚合物膜的电极为工作电极，在硫酸铜、氯化钴、氯化镍的混合电解质溶液...

一种采用低电场诱导控制湿化学法制备的铋系和铅系薄膜取向的方法，通过在湿化学法制备薄膜的后续热处理工艺中，对湿膜热分解转变成无定型态的干膜，在后续的高温退火结晶过程中，引入直流低电场，来实现对薄膜的取向控制。本发明用低电场诱导几种不同的薄...

锗／硅复合纳米晶粒浮栅结构ＭＯＳＦＥＴ存储器，即金属－氧化物－半导体存储器，以锗／硅复合纳米晶粒镶嵌在二氧化硅中浮栅存储器结构，本发明提出了一种采用锗／硅复合纳米晶粒替代硅纳米晶粒作为ＮＯＳＦＥＴ存储器，即电荷存储单元，使其在较快的擦写...

具有巨磁电阻效应的锌铁氧体材料及其制备方法是一种以锌、铁为基本原材料构成的巨磁电阻效应材料的方法，该材料为Ｚｎ↓［ｘ］Ｆｅ↓［３－ｘ］Ｏ↓［４］，其中Ｘ的取值范围是０．０５≤ｘ≤０．９５，其制备方法是采用溶胶－凝胶制备多晶Ｚｎ↓［ｘ］Ｆ...

一种控制氮化镓（ＧａＮ）极性的方法，尤其是在蓝宝石表面生长氮化镓时控制氮化镓（ＧａＮ）极性的生长方法，在蓝宝石衬底上生长氮化镓，生长系统的生长温度：低温区，８５０－９００℃，高温区在１０５０－１１００℃范围内；将ＨＣｌ（源ＨＣｌ）／氮气...

基于Ⅲ族氮化物异质结构极化效应的高响应光导型探测器，在硅衬底或兰宝石衬底材料上生长下述应变异质结构的材料：以ＡｌＮ为缓冲层并外延生长ＧａＮ，然后在ＧａＮ层上生长Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ／ＧａＮ／Ａｌ↓［ｙ］Ｇａ↓［１－ｙ］Ｎ应变异...

高Ｔ↓［Ｃ］铁电薄膜取向控制生长方法及铁电存储器原型器件，利用脉冲激光沉积方法（ＰＬＤ）在衬底上生长高Ｔ↓［Ｃ］铁电薄膜，生长的铁电薄膜主要为Ｂｉ↓［３］ＴｉＮｂＯ↓［９］（ＢＴＮ）和Ｂｉ↓［３］ＴｉＴａＯ↓［９］（ＢＴＴ），在薄膜的生...

获得大面积高质量ＧａＮ自支撑衬底的方法，首先在蓝宝石衬底上横向外延获得低位错密度ＧａＮ薄膜；然后在ＥＬＯ ＧａＮ薄膜上进行氢化物气相外延，获得大面积、低位错密度的ＧａＮ厚膜；采用激光扫描辐照剥离技术，将ＧａＮ厚膜从蓝宝石衬底上剥离下来...

基于Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ／ＧａＮ异质结的铁电体／半导体存贮器结构及其制法，在蓝宝石衬底上首先用ＭＯＣＶＤ技术生长Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ／ＧａＮ调制掺杂异质结构，然后在Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ上用ＰＬＤ技术生长ＰＺ...

离子注入法制备ＡｌＮ基稀释磁性半导体薄膜材料的方法，将磁性离子如Ｍｎ及Ｆｅ、Ｃｏ或Ｎｉ等注入ＡｌＮ半导体薄膜中，即用离子注入的方法以１５０～２５０ｋｅＶ的能量注入磁性离子，然后在８５０－９００℃、ＮＨ↓［３］气氛条件下退火处理。ＤＭＳ离...

激光剥离制备自支撑氮化镓衬底的方法，采用准分子激光器：激光波长所对应的能量小于蓝宝石带隙能，但是大于ＧａＮ的带隙能，激光辐照透过蓝宝石衬底，辐照蓝宝石－氮化镓界面处的ＧａＮ，然后加热或弱酸腐蚀，将ＧａＮ和蓝宝石分离开来，得到ＧａＮ自支撑...

溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）法制备ＺｎＯ基稀释磁性半导体的方法：采用溶胶－凝胶法并结合掺杂铁磁性离子如Ｆｅ、Ｃｏ或Ｍｎ、Ｎｉ等制备ＺｎＯ基稀释磁性半导体薄膜：先制备ＺｎＯ胶体溶液，将一定量分析纯醋酸锌和磁性金属盐，铁和锌的原子浓度比为１...