利用氢化物气相外延法和低温缓冲层技术在Ｓｉ衬底上生长高质量ＧａＮ薄膜，在ＨＶＰＥ生长系统或ＭＯＣＶＤ系统中，先在较低的４００－８００℃温度条件下在Ｓｉ衬底上，以氨气和ＨＣｌ为气源，生长一层ＧａＮ，然后在高温下如１０００－１１００℃持续生...

利用Ｉｎ金属纳米点催化合成生长ＩｎＮ纳米点的方法，利用ＭＯＣＶＤ方法在蓝宝石（０００１）衬底上催化合成生长ＩｎＮ纳米点材料，蓝宝石（０００１）衬底放入生长室，预先用ＭＯＣＶＤ生长技术在衬底表面形成金属纳米点，生长室温度在３３０－４００℃...

提高氮化镓光导型紫外光电探测器响应度方法，在ＧａＮ表面设有ＡｌＮ窗口材料，在顶层ＡｌＮ材料上设有导电电极。在蓝宝石衬底材料上生长下述异质结构材料：以低温ＧａＮ为缓冲层并外延生长ＧａＮ吸收层、ＡｌＮ窗口层，并在顶层ＡｌＮ材料上设有导电电极...

无掩膜横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法，先在蓝宝石衬底上沉积ＳｉＯ↓［２］、Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］、Ｗ等薄膜制成掩膜区，利用离子束，光刻，电子束曝光方法在掩膜区蚀刻出图形窗口，蓝宝石图形表面蚀刻至粗糙或者被蚀刻深度８０ｎｍ－２μｍ，然...

纳米印章技术中纳米级模板的制备方法，先制备多层膜：多层膜为非晶硅（ａ－Ｓｉ）／氮化硅（ＳｉＮ↓［ｘ］）、（ａ－ＳｉＣ）／（ＳｉＮ↓［ｘ］）、（ａ－Ｇｅ）／（ＳｉＮ↓［ｘ］）、Ｇｅ／Ｓｉ等多层膜调制结构，对上述多层膜样品的剖面进行切片、磨...

本发明公开了一种获取均匀宽带隙半导体薄膜的同轴进气方法，该方法是在由一系列同轴的石英管和石英环的反应器中进行的。其方法步骤是：（１）、将衬底６放置在衬底托７上，一并放入反应室，并将反应室抽真空；（２）、反应物Ⅰ由进气管１输入，反应物Ⅱ由...

一种ｍ面ＩｎＧａＮ／ＧａＮ量子阱ＬＥＤ器件结构的生长方法，利用ＭＯＣＶＤ在（１００）铝酸锂衬底上合成生长ＧａＮ薄膜材料以及ＩｎＧａＮ／ＧａＮ量子阱ＬＥＤ器件结构，在ＭＯＣＶＤ系统中对生长的（１００）铝酸锂衬底在５００－１０５０℃温度下进...

一种ａ面和ｍ面ＧａＮ薄膜材料的控制生长方法，在ＭＯＣＶＤ系统中用铝酸锂做衬底生长ａ面或ｍ面的ＧａＮ材料，在ＭＯＣＶＤ系统中对生长的（３０２）和（１００）铝酸锂衬底在５００－１０５０℃温度下进行材料热处理，时间为１０－６０分钟，或然后通入...

平面型复合结构的超声换能器：采用ＰＺＴ压电材料来发射超声波，采用ＰＶＤＦ来接收回波信号，超声换能器采用多层结构，在背衬上先设有第二匹配层材料，在第二匹配层材料上设有ＰＺＴ压电换能器，然后再设有第一匹配层材料，在第一匹配层材料上设有ＰＶＤ...

一种磁电复合材料，它是由磁致伸缩材料矩形片和相同形状、上下表面具有一对平面电极的、沿着厚度方向极化压电材料矩形片层合而成的磁电复合材料。沿着长度方向对上述磁电复合材料矩形片施加一交流磁场和一直流偏置磁场，当施加的交流磁场频率等于上述磁电...

改进的制备自支撑氮化镓衬底的激光剥离的方法，在６５０－８００℃空气气氛中直接用合适波长的紫外激光器透过蓝宝石辐照ＧａＮ／蓝宝石样品，界面处的ＧａＮ被分解后，蓝宝石可以很容易的被去掉，即可得到ＧａＮ自支撑衬底。在高于８００℃时在氨气气氛保...

一种提高复合材料磁电效应的方法，将磁致伸缩材料和压电材料制成层状的复合材料，二者粘合在一起。根据磁致伸缩材料的在直流偏磁场和交流激励磁场作用下的振动模式来设计压电单晶的切型，使新切型的压电单晶在磁致伸缩材料所施加的应变作用下有更大的压电...

太阳能电池，在衬底上设有电极和太阳能电池薄膜，太阳能电池的上表面设有电极，所述薄膜型太阳能电池含有块状或条状拼接的两或三组分薄膜材料，其构成是ＩｎＴａＯ↓［４］／ＩｎＶＯ↓［４］、ＩｎＮｂＯ↓［４］／ＩｎＶＯ↓［４］或ＩｎＮｂＯ↓［４］...

本发明公开了一种高介电系数栅电介质材料铝酸钛薄膜及其制备方法，该薄膜的化学式为（ＴｉＯ↓［２］）↓［ｘ］（Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］）↓［１－ｘ］，其中ｘ的取值范围为０．１≤ｘ≤０．３，其制备方法是启动脉冲激光器（１），使脉冲激光束通过聚焦...

本发明涉及一种基于纳米晶粒的半导体非挥发性浮栅存储器，提出基于纳米异质结构的新型非挥发性浮栅存储器，一种基于纳米异质结构的非挥发性浮栅存储器，其包括：半导体衬底；在半导体衬底中掺杂形成源极和漏极，在源漏极间的沟道层正上方氧化形成隧穿氧化...

本发明涉及一种常温下用硅衬底上的单层ＣｄＴｅ纳米晶体作为掩模版，构筑高密度均匀分布硅纳米点、纳米线的方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该方法包括１）、氧化、刻蚀；２）、铺设单层ＣｄＴｅ纳米晶体模版；３）、反应离子刻蚀；４）...

硅基单电子器件结构的制备方法，以（１００）晶向的表层硅ＳＯＩ为衬底；低压化学气相沉积ＬＰＣＶＤ在表层硅上依次淀积氮化硅、多晶硅、氮化硅，并对作为顶栅材料的多晶硅层进行磷离子注入掺杂；以电子束光刻ＥＢＬ显影，感应耦合等离子体刻蚀将在氮化硅...

高结晶铟镓氮单晶外延膜，在蓝宝石衬底先设有ＧａＮ缓冲层，且为２０－２００ｎｍ的低温ＧａＮ缓冲层；然后生长厚度可达到１－８０μｍ的高结晶的Ｉｎ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］（０≤ｘ≤１）材料。高结晶铟镓氮单晶外延膜的生长方法，在蓝宝石衬底上利用...

本发明公开了一种基于电阻开关效应的非挥发相变记忆元件的结构设计和制备方法，将固体电解质ＲｂＡｇ↓［４］Ｉ↓［５］膜（３）夹在反应电极（４）和非反应电极（１）之间构筑成一个微型三明治结构，这就是一个记忆单元。该记忆单元连同衬底（７）和绝缘...

ＡｌＧａＮ基共振增强单色紫外探测器结构：在蓝宝石衬底上设有厚度在５０－２０００ｎｍ的低温和高温ＧａＮ材料，ＧａＮ材料上分别设有１５－８０ｎｍ和１５－１００ｎｍ的５－５０个周期的ＡｌＮ／ＡｌＧａＮ多层结构的分布布拉格反射镜为底镜；在上述底...