本发明涉及一种基于可控非对称掺杂势垒量子阱结构的纳米硅基发光器件及其制备方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该发光器件在半导体衬底上淀积有硼掺杂的非晶碳化硅薄膜作为空穴势垒层；在空穴势垒层上淀积有非晶硅薄膜退火后生成的纳米硅...

大尺寸非极性面ＧａＮ自支撑衬底制备方法，在ＨＶＰＥ生长系统中将铝酸锂衬底放入反应器中后，先生长缓冲层。温度为５００－８００℃，然后升温至生长温度开始生长ＧａＮ，生长温度１０００－１１００℃。生长至合适的厚度后，停止生长；冷却后获得完整的...

改进氢化物气相外延生长ＧａＮ材料均匀性的方法，在ＨＶＰＥ生长过程中，将ＧａＣｌ或者ＮＨ３源气体通过石英喷淋头均匀喷洒在生长衬底的表面上。喷淋头由均匀分布的小孔组成石英板喷淋头，石英板喷淋头与生长衬底平行。本发明通过特别的设计控制源气体Ｇ...

本发明涉及一种可用于硅基光电集成器件的ＳｉＯｘ薄膜制备方法，属于光电子材料技术领域。该方法包括清洗硅片衬底并去除其表面自然氧化层后干燥、在电子束蒸发沉积装置中通入Ｏ↓［２］蒸发薄膜、制备器件电极各步骤。本发明的方法仅用氧气作为气源，成本...

具有磁电效应的复合薄膜异质结，由具有压电效应的材料和具有磁致伸缩效应的材料复合而形成，特征是：所述的具有磁致伸缩效应的材料为稀土铁合金ＲＦｅ↓［２］纳米薄膜，Ｒ为稀土元素；具有压电效应的材料为柔软的ＰＶＤＦ聚合物压电薄膜；两种薄膜的复合...

本发明公开了一种制备超薄ＨｆＯ↓［２］或ＺｒＯ↓［２］栅介质薄膜的软化学法，通过一种简便可行的工艺路线，成功地配制了具有较好稳定性与均匀性的氯化铪（锆）前体溶胶，此溶胶具有较长的保存寿命，使用此前体溶胶，通过软化学方法，在Ｓｉ衬底上室温...

本发明公开了一种在光电功能材料中作为可见光波段的吸光材料的稠合双环［２．２．２］辛二烯卟啉与稀土金属钆的三明治型夹心配合物的制备方法及其应用。它们的Ｓｏｒｅｔ谱带和Ｑ谱带相对于八乙基卟啉－钆配合物发生了明显的红移，表明卟啉环中π共轭体系...

半导体材料生长设备的独立ＭＯ源管路及应用，设有３－５路进气管路，其中一路为Ｖ族氮源管路，一路为Ⅲ族金属源混合管路，其余各路为独立的Ⅲ族金属源管路，各路不同的源管路直接在靠近到达反应腔时再和其它反应源混合。本发明通过单独设计ＴＭＡｌ源等易...

ＬｉＮｂＯ↓［３］／Ⅲ族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法，采用金属有机物化学气相淀积方法在（０００１）面蓝宝石衬底上先生长ＡｌＮ／ＡｌＧａＮ等异质结构材料作为缓冲层或复合衬底；然后在此缓冲层采用高纯５Ｎ的铁电材料作为靶材，用脉冲激光沉...

Ｆｅ掺杂生长ＧａＦｅＮ稀释磁性半导体薄膜材料合成方法是：采用ＭＯＣＶＤ生长方法，（１）在蓝宝石衬底上高温氮化处理衬底材料，在ＭＯＣＶＤ生长系统中通入Ｈ↓［２］、Ｎ↓［２］或Ｈ↓［２］和Ｎ↓［２］气体对蓝宝石衬底进行１０００－１１００℃温...

本发明公开了一种无铅压电陶瓷及其制备方法，无铅压电陶瓷化学式为０．９４Ｂｉ↓［０．５］Ｎａ↓［０．５］ＴｉＯ↓［３］－（０．０６－ｘ）ＢａＴｉＯ↓［３］－ｘＫ↓［０．５］Ｎａ↓［０．５］ＮｂＯ↓［３］，其中０＜ｘ＜０．０６。该无铅压电陶...

本发明采用金属有机物化学气相外延生长技术ＭＯＣＶＤ通过Ｍｎ掺杂，在蓝宝石衬底材料上生长ＧａＭｎＮ稀释磁性半导体，可获得多种浓度、具有明显的室温铁磁性的ＧａＭｎＮ稀释磁性半导体薄膜材料。该方法生长的Ｍｎ掺杂稀释磁性半导体材料ＧａＭｎＮ薄膜...

一种提高Ⅲ族氮化物ＬＥＤ发光效率的量子阱结构，包括蓝宝石衬底层（６），缓冲层（５），过渡层（４），Ｎ型导电层（３），量子阱结构层（２），Ｐ型导电层（１）以及电极层（７）；衬底层（６）上依次为ＧａＮ构成的缓冲层（５），ＧａＮ构成的过渡层（...

本发明公开了一种高介电系数栅电介质材料硅酸镧薄膜和制备方法及其应用，该薄膜的化学式为（Ｌａ↓［２］Ｏ↓［３］）↓［ｘ］（ＳｉＯ↓［２］）↓［１－ｘ］，其中ｘ的取值范围为０．４≤ｘ≤０．６，其制备方法是启动ＫｒＦ准分子激光器（１），使脉冲...

本发明公开了一种新型记忆材料固体电解质银锗氧薄膜，化学式为Ａｇ↓［ｘ］Ｇｅ↓［ｙ］Ｏ↓［１－ｘ－ｙ］，简称Ａｇ－Ｇｅ－Ｏ薄膜，使用其制备非挥发性记忆器件，可用于信息存储和其它种类的集成电路中。本发明的固体电解质薄膜Ａｇ－Ｇｅ－Ｏ的制备方...

本实用新型公开了一种晶体定向效率高的Ｘ射线晶体定向仪，包括Ｘ射线光源和Ｘ光相机，Ｘ光相机是采用一次性成像底片的Ｘ射线劳厄相机；Ｘ射线光源采用钨靶，钨靶产生的Ｘ射线是强度比较均匀的Ｘ射线谱，有利于劳厄斑点的成像。与现有技术相比，本实用新型...

类金刚石材料场电子发射阴极制备方法，利用团簇束流在基底上沉积高密度纳米针尖发射体从而实现高场发射电流和低发射阈值，在高真空室中，利用Ａｒ、Ｈｅ等气体碰撞射频磁控溅射产生的类金刚石材料蒸气产生纳米颗粒，并产生定向束流将其引到衬底，改变束流...

一种无定形二氧化锰／多壁碳纳米管复合物，其中碳纳米管的直径是２０－４０纳米，长度是２００纳米－５微米，无定形二氧化锰负载在碳纳米管表面形成复合物，无定形二氧化锰与碳纳米管的质量比为１∶０．４～２．０。本发明的复合物用作超级电容器电极材料...

一种聚（３，４－乙烯二氧噻吩）导电聚合物，它是由３，４－乙烯二氧噻吩单体电聚合、由１－甲基－３－丁基咪唑四氟硼酸盐作为电解液与掺杂剂，用恒电位法制备的ｐ型掺杂聚合物，其结构为多孔结构，表面由大量的８００纳米到２微米左右的颗粒堆积而成。它...

高稳定性的Ｆｅ／（ＳｉＯ↓［２］＋Ｃ）核／壳复合纳米颗粒，是以纳米铁颗粒为核心，表面包覆ＳｉＯ↓［２］和炭壳层组成的具有核／壳结构的复合纳米颗粒。制备方法是以铁盐为原料，柠檬酸或其它有机酸、有机胺为络合剂，无水乙醇为溶剂形成均匀非水溶胶...