改进氢化物气相外延（ＨＶＰＥ）生长ＧａＮ材料均匀性的方法和装置，在氢化物气相外延（ＨＶＰＥ）生长ＧａＮ薄膜材料电炉中，将单路金属镓源－ＨＣｌ－Ｎ↓［２］管道分成多路金属镓源－ＨＣｌ－Ｎ↓［２］管道，改善反应物ＧａＣｌ－Ｎ↓［２］的传输均...

离子注入法制备ＧａＮ基稀释磁性半导体薄膜的方法，将磁性离子如Ｍｎ及Ｆｅ、Ｃｏ或Ｎｉ等注入ＧａＮ半导体薄膜中，即用离子注入的方法以１５０～２５０ｋｅＶ的能量注入磁性离子，然后在８５０－９００℃、ＮＨ↓［３］气氛条件下退火处理。ＤＭＳ离子注...

利用溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）法制备ｐ型ＺｎＯ薄膜，先制备Ｇａ或Ｎ共掺杂的ＺｎＯ胶体溶液，在预先清洗好的Ｓｉ片或其他衬底（石英玻璃、蓝宝石等）上滴加胶体溶液，以旋转衬底的方式使胶体溶液均匀涂覆，然后将薄膜在室温～１００℃下放置一段时间...

横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法，用ＭＯＣＶＤ、ＭＢＥ或其他方法生长ＧａＮ籽晶层；在ＧａＮ籽晶层上沉积ＳｉＯ↓［２］、Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］、Ｗ等薄膜，利用光刻方法蚀刻出一定的图形，对于平行长条状，掩摸区宽度２－２０μｍ，ＧａＮ窗口区...

ＺｎＡｌ↓［２］Ｏ↓［４］／α－Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］复合衬底的制备及ＺｎＡｌ↓［２］Ｏ↓［４］衬底上ＧａＮ薄膜生长方法，先将清洗的α－Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］衬底送入脉冲激光淀积（ＰＬＤ）系统制备ＺｎＯ薄膜，生长腔内的氧气偏压气氛下生长...

本发明提供了一种应用于金属－氧化物－半导体场效应管的高介电系数栅电介质材料铝酸锆及其薄膜的制备方法。本发明的技术方案是利用脉冲激光沉积技术，在１２５０℃温度下，把氧化锆和氧化铝粉末经球磨混和后，再冷压成型成圆片然后烧结达６小时得铝酸锆陶...

本发明提供了一种应用于金属－氧化物－半导体场效应管的高介电系数栅电介质材料氮铝酸锆及其薄膜的制备方法。本发明的技术方案是利用脉冲激光沉积技术，在１２５０℃温度下，把氧化锆和氧化铝粉末经球磨混和后，再冷压成型成圆片然后烧结达６小时得铝酸锆...

耐熔微掩模法制备高温超导Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ结的方法，利用耐融微掩模法制备，选用常规或双晶或台阶基片，用原位制备法在基片上制备ＣｅＯ＃－［２］／ＹＢＣＯ双层膜，ＹＢＣＯ作为底层介质膜同时起到悬挂微掩模层的支撑作用，在上述双层膜上制备光刻胶...

本发明公开了一种高温超导材料本征结的制备方法，包括以下步骤：（１）手工剥离；（２）金属层保护；（３）固定；（４）光刻图形；（５）离子刻蚀；（６）绝缘保护；（７）超声清洗；（８）电极构造和连接；其特征是：在（５）中，采用低能离子刻蚀；在（...

本发明公开了一种应用于金属—氧化物—半导体场效应管的高介电系数栅电介质材料铝酸铪薄膜及其制备方法，该发明的技术方案是，把氧化铪和氧化铝粉末经球磨混合后，再冷压成片，然后在高温下烧结而制得铝酸铪陶瓷靶。并利用脉冲激光沉积技术，在高真空低氧...

木发明公开了一种应用于金属—氧化物—半导体场效应管（ＭＯＳＦＥＴ）的高介电系数栅电介质材料氮铝酸铪薄膜及其制备方法。该发明的技术方案是，把氧化铪和氧化铝粉末经球磨混合后，再冷压成片，然后在高温下烧结而制得铝酸铪陶瓷靶；并利用脉冲激光沉积...

本发明公开了一种氧化镁单晶基片上的氮化铝薄膜及其制备方法，采用射频磁控溅射方法在衬底不加热的情况下，在氧化镁单晶基片上生长氮化铝薄膜，该薄膜和单晶基片衬底间晶格匹配良好，薄膜质量高。本发明广泛应用于微电子和超导电子领域中的高温、高频、大...

构筑二维有序分布硅量子点图形化纳米结构的方法，超薄非晶硅（ａ－Ｓｉ）薄膜或ａ－ＳｉＮ＃－［ｘ］∶Ｈ／ａ－Ｓｉ∶Ｈ／ａ－ＳｉＮ＃－［ｘ］∶Ｈ结构薄膜上先制作移相光栅模版，然后以激光干涉晶化：激光束经二维移相光栅模版到达ａ－Ｓｉ薄膜或ａ－Ｓ...

一种磁电复合材料，它是一个矩形片（１），矩形片沿着长度方向被分成Ａ１和Ａ２两个区域，Ａ１区由磁致伸缩材料构成，Ａ２区由压电材料构成，Ａ１区与Ａ２区之间以粘结剂结合，在Ａ２区，具有一对平面电极（４ａ和４ｂ），压电材料沿着厚度方向（５）极化...

一种改变氢化物气相横向外延ＧａＮ薄膜中倾斜角的方法，其特征是在ＨＶＰＥ横向外延ＧａＮ过程中直接添加ＨＣｌ至衬底表面，通过ＨＣｌ对ＧａＮ的腐蚀作用等，使局域Ⅴ／Ⅲ比发生变化，从而改变倾斜角，改善薄膜的表面形貌和质量，直接添加至衬底的ＨＣｌ...

利用氢化物气相外延制备ＧａＭｎＮ铁磁性薄膜的方法，其特征是以氢化物气相外延生长ＧａＭｎＮ铁磁性薄膜材料，电炉中包括Ｎ↓［２］管道和ＮＨ↓［３］管道、设有金属镓源－ＨＣｌ－Ｎ↓［２］管道，包括一路金属镓源－ＨＣｌ－Ｎ↓［２］管道，并将反应...

引入氧化铝保护层制备稳定的稀土氧化物栅介电薄膜的方法，在半导体衬底材料上沉积稀土氧化物薄膜作为高介电栅介质材料，然后原位沉积氧化铝保护层，稀土氧化物薄膜材料：氧化钇（Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］），氧化镧（Ｌａ↓［２］Ｏ↓［３］），和镧系的其它...

本发明公开了一种低介电常数绝缘介质氧化硅薄膜，该薄膜由具有通式为ＳｉＯ↓［ｘ］Ｒ↓［ｙ］的材料制成；薄膜中的化学键是Ｓｉ－Ｏ键、Ｓｉ－Ｃ键和Ｃ－Ｈ键；薄膜含有纳米微孔。该薄膜的制备方法是：用单端基倍半硅氧烷有机物作为致孔模板与硅氧烷在有...

本发明公开了一种降低超快、特快、快速塑封小功率二极管反向恢复时间ｔ↓［ｒｒ］的方法，首先采用高能电子束对超快、特快、快速塑封小功率二极管进行扫描辐照；然后将经过辐照的超快、特快、快速塑封二极管在防氧化条件下进行热处理；最后将经过热处理的...

一种制备高质量非极性ＧａＮ自支撑衬底的方法，利用铝酸锂或镓酸锂衬底制备高质量非极性ＧａＮ自支撑衬底，铝酸锂或镓酸锂衬底的清洗和处理放入反应器中后，升温至生长温度在８００～９５０℃条件下，以ＮＨ↓［３］和ＨＣｌ为原料气生长，直到生长完成。...