铟镓氮表面势垒型太阳电池，选用半导体材料Ｉｎ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ（０≤ｘ≤１）为光吸收区和Ｉｎ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ　　ＭＳ或ＭＩＳ结构表面势垒型太阳电池，在蓝宝石衬底材料上生长２０－２００ｎｍ厚度的低温ＧａＮ缓冲层，退火后接...

本发明涉及一种硅基短波长发光二极管，同时还涉及其制备方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。本发明的发光二极管在Ｐ＋的硅基底上沉积有由相邻层氮组分有明显差异ａ－ＳｉＮｘ∶Ｈ薄膜构成的第一组光学微腔；在第一组光学微腔上构筑有所需层...

本发明涉及一种非晶碳膜半导体制备方法，属于非晶碳薄膜材料制备技术领域。该方法通过（１）在衬底上淀积氢化非晶碳（ａ－Ｃ：Ｈ）薄膜、（２）氢等离子体化学退火处理、（３）重复步骤（１）和（２）形成氢等离子体逐层化学退火处理的氢化非晶碳膜、（４...

ＧａＮ基共振增强紫外探测器，正照射式探测器结构是在（０００１）蓝宝石衬底上依次设有ＧａＮ缓冲层或者ＡｌＮ、Ａｌ↓［Ｕ］Ｇａ↓［１－Ｕ］Ｎ（０．１＜Ｕ＜０．９）缓冲层；ＡｌＮ／Ａｌ↓［Ｚ］Ｇａ↓［１－Ｚ］Ｎ（０≤Ｚ＜０．８）分布布拉格反射...

掺氧硅基氮化物薄膜黄绿波段发光二极管，在电阻率为４－２０Ωｃｍ的Ｐ型单晶硅片或ＩＴＯ玻璃衬底上淀积ａ－ＳｉＮ↓［ｘ］薄膜，薄膜厚度在４０－１００ｎｍ之间，在ａ－ＳｉＮ↓［ｘ］薄膜上再镀有薄膜金属电极；Ｐ型单晶硅片的背面镀有另一电极，ＩＴ...

本发明涉及一种半导体硅场电子发射材料，同时还涉及其制备方法，属于半导体材料技术领域。该材料包括沉积在衬底上的氢化非晶硅半导体薄膜，氢化非晶硅半导体薄膜的厚度在４－５０纳米，氢化非晶硅半导体薄膜上镶嵌有均匀分布的硅晶粒，硅晶粒的粒径在１－...

铟镓氮（ＩｎＧａＮ）ｐ－ｎ结型多结太阳电池的结构的设置方法，采用ｐ－ｎ结型太阳电池的电流－电压方程、Ｉｎ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ禁带宽度与Ｉｎ组分关系式和Ｉｎ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ材料的相关参数，计算ＩｎＧａＮ多结（含单结）太阳电...

太阳光紫外线指数监测的微型探测装置，是利用ＧａＮ基和ＡｌＧａＮ基微型紫外探测器、芯片尺寸小于２－３ｍｍ↑［２］，在２９０ｎｍ－４００ｎｍ波长的包含紫外线Ａ和紫外线Ｂ谱线范围的带宽内的响应特性；并由驱动电路对探测器人信号进行放大输出，驱动...

基于锗硅异质纳米结构的半导体非挥发性浮栅存储器，包括：半导体衬底；在半导体衬底中设有掺杂形成的源极和漏极，在源漏极间的沟道层正上方设有氧化形成隧穿氧化层；设有控制栅介电层和栅电极；在隧穿氧化层上是渐变锗硅异质纳米结构即晶粒；应用渐变锗硅...

本发明公开了一种非晶态薄膜相变记忆材料Ａｇ↓［１－ｘ－ｙ］Ｇｅ↓［ｘ］Ｓｅ↓［ｙ］（０．１＜ｘ＜０．３，０．３８＜ｙ＜０．６０，其中ｘ，ｙ为原子比，简称ＡＧＳ）的制备。基于其电阻开关效应设计和制备了一种非挥发相变存储器件。该器件单元总共...

提高掺氧硅基氮化物薄膜电致发光器件发光效率的方法，其步骤是１）在室温下生长富硅非晶氮化硅（ａ－ＳｉＮｘ）薄膜：利用等离子体增强化学汽相淀积方法，在室温下，采用硅烷（ＳｉＨ↓［４］）和氨气（ＮＨ↓［３］）作为反应气源，在ＩＴＯ玻璃衬底上淀...

本发明将导入原料气的二至四支喷管密封固定在真空沉积腔上方导入沉积腔，反应气体或与载气由气源导入喷管，喷管的喷口出口处附近设置一金属热丝，在喷管外壁设有由可产生等离子体的电源驱动的电感线圈，沉积腔内设生长薄膜的衬底平台，沉积腔的下部或下侧...

本发明公开了一种基于硫化亚铜（Ｃｕ↓［２］Ｓ）和酞菁铜（Ｃｕ－Ｐｃ）的双层薄膜非挥发性记忆器件的制备。该器件总共包含五层结构，在镀有铂金电极（２）的基底（１）表面溅射一层绝缘阻隔层（３），并通过ＦＩＢ工艺刻蚀圆孔，在绝缘层表面沉积一层酞...

谐振式高速高精度多工位转台是一种应用于工业自动化，特别是对速度和精度有高要求场合下的多工位转台，该多工位转台包括：基座（１）、电机（２）、金属轴（３）、弹簧（４）、安装孔（５）、主动轮（６）、从动轮左刹车（７）、从动轮右刹车（８）、第一...

ＩｎＮ材料作衬底或缓冲层制备ＩｎＮ／锗或ＩｎＮ／硅薄膜，ＩｎＮ材料作衬底或缓冲层，并在上面制备ＩｎＮ／锗或ＩｎＮ／硅薄膜，ＩｎＮ材料缓冲层的厚度为１００纳米以上，在其上制备单层或ｎ层锗或硅薄膜，每层锗或硅薄膜的厚度为５０纳米以上。本发明...

具有宽谱光发射功能的半导体发光器件结构和制备方法，包括衬底材料，直接生长在衬底上的过渡层和之上的ＧａＮ或ｎ－ＧａＮ，多层量子阱有源区：具有宽谱光发射功能的氮化物道题量子结构发光层是量子阱结构，由Ｉｎ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ阱层和Ｉｎ↓...

本发明公开了一种新型记忆材料，非晶固体电解质薄膜（ＡｇＩ）↓［ｘ］（ＡｇＰＯ↓［３］）↓［１－ｘ］，使用其制备非挥发性记忆器件，可用于信息存储和其它种类的集成电路中。非晶固体电解质薄膜（ＡｇＩ）↓［ｘ］（ＡｇＰＯ↓［３］）↓［１－ｘ］有...

本发明提供了首例β位有两种不同的芳环（菲环和苯环）共轭的卟啉衍生物，这类共轭卟啉化合物的强吸收谱带出现５４０ｎｍ以上，是迄今为止吸收波长最大的中心修饰卟啉化合物，可大大提高对可见光的吸收效率。这类化合物在分子天线、分子逻辑门、分子导线、...

本发明公开了一种用于敏化纳米晶太阳能电池用、在５００ｎｍ以上有良好吸收的敏化用染料，即中位苯基上有羧基或酯基取代的、β位为菲环共轭的中心修饰卟啉的制备方法及其应用。它的Ｓｏｒｅｔ谱带出现５０７ｎｍ，该卟啉带有羧基，可与半导体材料，如纳米...

本发明涉及一种制备绝缘层上硅量子线的方法，属于微纳电子学技术领域。该方法包括ＳＯＩ衬底顶层硅减薄、清洗衬底、涂敷电子束抗蚀剂、绘制设计由量子岛构成量子线图形、曝光、显影、蒸铝、剥离、刻蚀、去铝步骤，使衬底材料的顶层形成所需量子线。本发明...