InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜及制备方法技术

ＩｎＮ材料作衬底或缓冲层制备ＩｎＮ／锗或ＩｎＮ／硅薄膜，ＩｎＮ材料作衬底或缓冲层，并在上面制备ＩｎＮ／锗或ＩｎＮ／硅薄膜，ＩｎＮ材料缓冲层的厚度为１００纳米以上，在其上制备单层或ｎ层锗或硅薄膜，每层锗或硅薄膜的厚度为５０纳米以上。本发明专利技术在２００－１１５０℃生长温度范围内，采用ＭＯＣＶＤ、ＣＶＤ、ＨＶＰＥ或ＭＢＥ生长技术生长ＩｎＮ／锗或ＩｎＮ／硅薄膜。利用Ｇｅ（１１１）和ＩｎＮ之间不太大的晶格失配比（９％）以及带隙的细微差别（４０ｍｅＶ）得到异质结构。这种异质结构用于生产异质结双极型晶体管（ＨＢＴｓ）以及红外光探测器的优点很多。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及利用InN材料作缓冲层或衬底材料生长其它半导体材料或结构的方 法。尤其是在单晶或多晶InN半导体材料上利用CVD、 M0CVD或MBE生长方法生长单 层半导体材料或多层半导体结构材料。
技术介绍
随着半导体工业发展到如今的第三代半导体材料，由GaN、 IriN、 A1N及其三元合 金InxGai-xN、 Al、GahN组成的III族氮化物以其诸多独特的特性和广泛的应用前景， 成为了近年半导体光电子学研发的热点。2002年，美国Lawrence Berkeley国家实 验室的W. Walukiewicz和J. Wu发现InN的禁带宽度为0. 7eV ([l] J. Wu， W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager III, E. E. Haller， H. Lu, W. J. Schaff， Y. Saito, and Y. Nanishi， Appl. Phys. Lett. 80， 3967 (2002))，而不是之前报道 的2eV ( [2] T. L. Tansley and C. P. Foley, J. Appl. 本文档来自技高网...

【技术保护点】
ＩｎＮ材料作衬底或缓冲层制备ＩｎＮ／锗或ＩｎＮ／硅薄膜的制备方法，其特征是利用ＩｎＮ材料做衬底或先在其它衬底上生长的ＩｎＮ材料作缓冲层或支撑层材料，并在２００－１１５０℃生长温度范围内，采用ＭＯＣＶＤ、、ＣＶＤ、ＨＶＰＥ或ＭＢＥ生长技术生长ＩｎＮ／锗或ＩｎＮ／硅薄膜，以金属有机源，金属源或其它半导体材料为生长源，生长过程中通入一定流量的Ｎ↓［２］气或Ｈ↓［２］气作为载气。

【技术特征摘要】
1、InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜的制备方法，其特征是利用InN材料做衬底或先在其它衬底上生长的InN材料作缓冲层或支撑层材料，并在200-1150℃生长温度范围内，采用MOCVD、CVD、HVPE或MBE生长技术生长InN/锗或InN/硅薄膜，以金属有机源，金属源或其它半导体材料为生长源，生长过程中通入一定流量的N2气或H2气作为载气。2、 由权利要求1所述的生长其它半导体外延膜的方法，其特征是利用新型InN材料 做衬底或以先在其它衬底上生长的InN材料作缓冲层或支撑层材料。3、 采用MOCVD、 CVD、 HVPE或MBE等半导体材料生长方法。在200-115(TC生 长温度范围内，采用M0CVD、、 CVD、 HVPE或MBE等生长技术所需的金属有机 源，金属源或其它半导体材料生长源，利用新型InN材料做衬底或先在其它衬底 上生长的InN材料作缓冲层或支撑层反应合成生长其它半导体薄膜材料或半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢自力，张荣，韩平，王荣华，刘斌，修向前，赵红，郑有炓，顾书林，江若琏，施毅，朱顺明，胡立群，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]