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ＩｎＮ材料作衬底或缓冲层制备ＩｎＮ／锗或ＩｎＮ／硅薄膜，ＩｎＮ材料作衬底或缓冲层，并在上面制备ＩｎＮ／锗或ＩｎＮ／硅薄膜，ＩｎＮ材料缓冲层的厚度为１００纳米以上，在其上制备单层或ｎ层锗或硅薄膜，每层锗或硅薄膜的厚度为５０纳米以上。本发明在２...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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