低温多晶硅薄膜制作方法技术

一种低温多晶硅薄膜制作方法，其包括以下步骤：提供一基板，并在该基板上形成一缓冲层；在该缓冲层上沉积一第一非晶硅薄膜；通过一微影／刻蚀工艺，刻蚀该第一非晶硅薄膜，在该缓冲层上保留多个分散的非晶硅颗粒；在该缓冲层上沉积一覆盖该非晶硅颗粒的第二非晶硅薄膜；对该第二非晶硅薄膜进行再结晶工艺，使该第二非晶硅薄膜熔融后以该多个非晶硅颗粒为晶种再结晶，形成一多晶硅薄膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种。技术背景在薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display, TFT-LCD)的制造工艺中，低温多晶硅薄膜晶体管(Low Temperature PolySilicon TFT， LTPS-TFT)的应用已成为主流。低温 多晶硅薄膜晶体管相比传统的非晶硅薄膜晶体管 (Amorphous-Silicon Thin film Transistor, a-Si TFT)具有更高的电 子迁移率，其电子迁移率可达200cm2/V-sec以上，故LTPS-TFT 可以做得更小。LTPS-TFT应用于主动矩阵液晶显示器中作为像素 开关控制元件，可以提高开关速度，提高像素的开口率，增加液 晶显示器亮度以及减少液晶显示器能耗。另外，由于电子迁移率 较高，部分外围驱动电路可以随低温多晶硅薄膜晶体管工艺同时 制造在玻璃基板上，大幅度提高低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示 器的特性及可靠性，并降低成本，使产品更具有竟争力。因此， 用于制作低温多晶硅薄膜晶体管的低温多晶硅薄膜制造技术成为 薄膜晶体管液晶显示器制作的关键技术之一，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温多晶硅薄膜制作方法，其包括以下步骤：提供一基板，并在该基板上形成一缓冲层；在该缓冲层上沉积一第一非晶硅薄膜；通过一微影／刻蚀工艺，刻蚀该第一非晶硅薄膜，在该缓冲层上保留多个分散的非晶硅颗粒；在该缓冲层上沉积一覆盖该非晶硅颗粒的第二非晶硅薄膜；对该第二非晶硅薄膜进行再结晶工艺，使该第二非晶硅薄膜熔融后以该多个非晶硅颗粒为晶种再结晶，形成一多晶硅薄膜。

【技术特征摘要】
1. 一种低温多晶硅薄膜制作方法，其包括以下步骤提供一基板，并在该基板上形成一缓冲层；在该缓冲层上沉积一第一非晶硅薄膜；通过一微影/刻蚀工艺，刻蚀该第一非晶硅薄膜，在该缓冲层上保留多个分散的非晶硅颗粒；在该缓冲层上沉积一覆盖该非晶硅颗粒的第二非晶硅薄膜；对该第二非晶硅薄膜进行再结晶工艺，使该第二非晶硅薄膜熔融后以该多个非晶硅颗粒为晶种再结晶，形成一多晶硅薄膜。2. 如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜制作方法，其特征在 于该刻蚀的工艺为干式刻蚀法。3. 如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜制作方法，其特征在 于该刻蚀的工艺为湿式刻蚀法。4. 如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜制作方法，其特征在 于该相邻非晶硅颗粒的间距为0.5-3孩￡米。5. 如权利要求1所述的低温多...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶冠华，吴宏基，黄荣龙，
申请(专利权)人：群康科技深圳有限公司，群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]