本发明是有关于一种具有超级介面的功率晶体管的制作方法，其是先在成第一导电性的基板上形成沟渠，再以载子扩散令载子进入该基板而形成一个成第二导电性的第二部，及保持第一导电性且与该第二部以晶格连续面连接的第一部，接着移除第二部部分结构以界定第...

本发明是有关于一种具有厚底部介电层的沟槽式晶体管，包含依序层叠且导电性两两相异的第一、二、三层体及沟槽结构，沟槽结构包括延伸至第一层体的沟槽、介电层及导电材，沟槽具有与第三层体连接的周面及与周面底缘连接的底面，介电层附着于周面与底面且包...

本发明是有关于一种具有低栅/漏极间电容的沟渠式功率晶体管，包含漏极结构、井区、栅极沟渠结构，及源极结构，漏极结构包括成第一导电性的漏极区，及主要载子浓度小于漏极区且形成于漏极区中的袋状区，井区成第二导电性且形成于漏极区上，栅极沟渠结构形...

本发明是有关于一种具有低米勒电容的超级介面的功率晶体管及其制作方法。该具有低米勒电容的超级介面的功率晶体管的制作方法，是在具有第一电性的第一层体上，形成具有第二电性的第二层体，再在第二层体上形成介电层及导电层，接着自导电层向下间隔地形成...

本发明是有关于一种具有高运算反应速度的绝缘栅双载子晶体管，包含一集极结构、一实体接触该集极结构的漂移区，及一实体接触该漂移区的栅极结构、一第一射极结构与一第二射极结构，该第一射极结构包括一井区及一实体接触井区的源极区，该第二射极结构包括...

本发明公开了制作具有超接口的功率半导体组件的方法包含有：提供具有一第一导电类型的一基底；于基底上形成至少一栅极结构与设于栅极结构上的至少一掩膜层；于栅极结构与掩膜层的侧壁上形成一间隙壁，且暴露出部分基底；移除部分暴露出的基底，以形成至少...

本发明公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管与肖特基二极管的整合组件，包括一定义有一金属氧化物半导体场效应晶体管区与一肖特基二极管区的半导体基底；复数个设置于所述金属氧化物半导体场效应晶体管区内的第一沟渠与复数个设置于所述肖特基二极管区...

本发明公开了一种制作半导体组件的方法，于半导体基底中同时制作出沟渠式金属氧化物半导体晶体管组件以及嵌入式肖特基二极管组件。嵌入式肖特基二极管组件具有较低顺向偏压压降而可减少电力损耗。此外，嵌入式肖特基二极管组件仅需通过改变肖特基耐压掺杂...

本发明提供一种重叠沟槽式栅极半导体组件及其制作方法。重叠沟槽式栅极半导体组件包含一半导体基底、多个设置于半导体基底上的浅沟槽、一设置于浅沟槽中的第一导电层、多个分别设置于各浅沟槽中的深沟槽、一填满深沟槽的第二导电层、一源极金属层以及一栅...

本发明提供一种双导通半导体组件及其制作方法，使双导通半导体组件包括一具有一第一导电类型且具有一第一沟槽的外延层、一设置于第一沟槽内的一侧壁上的第一栅极导电层、一设置相对于第一栅极导电层的第二栅极导电层以及一具有第一导电类型的掺杂区。掺杂...

本发明公开了一种具有可调输出电容值的功率半导体组件包括一定义有一第一组件区以及一第二组件区的半导体基底、一设于第一组件区内的功率晶体管组件、一设于第二组件区的半导体基底内的重掺杂区、一设于重掺杂区上的电容介电层、一设于半导体基底的上表面...

本发明提供一种具备漏极电压保护的功率半导体组件包含有一半导体基底、一沟槽式栅极晶体管组件以及一沟槽式静电防护组件。半导体基底的上表面具有一第一沟槽与一第二沟槽。沟槽式栅极晶体管组件是设置于第一沟槽与半导体基底中，而沟槽式静电防护组件设置...

本发明公开了一种沟渠式半导体组件及其制作方法。沟渠式半导体组件包括一沟渠式金属氧化物半导体晶体管组件与一沟渠式静电防护组件，且沟渠式静电防护组件电性连接于沟渠式金属氧化物半导体晶体管组件的栅极与源极之间，借此提供优良的静电防护能力。沟渠...

本发明公开了制造功率半导体器件的方法，于衬底形成较宽沟槽及较窄沟槽，沉积第一栅极材料层，但较宽沟槽未被填满。进行各向同性回蚀刻或各向异性回蚀刻，将位于较宽沟槽内及衬底原始表面上方的第一栅极材料层移除。进行倾角离子注入，于衬底原始表面及较...

本发明是一种嵌制电源热插拔所造成电压突波的电路及相关芯片，用于一电子装置，该电压突波嵌制电路，用以嵌制热插拔所造成的一电压突波，包含有：一缓冲单元，耦接于一输入电源端，用来接收该电压突波的一突波电流；以及一嵌制单元，耦接于输入电源端与该...

本发明是一种具有低接面场效应晶体管区域阻值的半导体元件，其是一种高压金属氧化物半导体晶体管元件，包含有一基底；一半导体层，形成于该基底上；一栅极结构，形成于该半导体层上，具有一开口；一第一源极／漏极区及一第二源极／漏极区，形成于该栅极结...

本发明是一种改变输出电压以调整一马达的转速的马达驱动电路，该马达的一端耦接于一可变电压源，该马达驱动电路包含一马达驱动单元、一电路控制单元及一判断单元。马达驱动单元包含一第一端耦接于该马达的另一端、一第二端耦接于一接地端，及一第三端，用...

本发明为一种减震式风扇驱动电路，适用在一依据所取得电流信号运转的风扇，其特征在于：所述的减震式风扇驱动电路设有一电流缓冲单元，所述的电流缓冲单元取得一电力源的驱动电流，并将上述具有变动幅度较大的驱动电流分割为复数变动幅度较小的连续变动驱...

本实用新型是一种具有调整工作周期的脉冲宽度调变架构，所述的脉冲宽度调变架构包括一直流电源供应单元、一信号产生单元、一分压电阻单元、一基准电压单元与一比较单元，当所述的直流电源供应单元提供一电压信号给所述的分压电阻单元时，所述的分压电阻单...

本发明为一种马达保护装置及其方法，适用在一马达，上述马达保护装置包括一侦测马达运作状态以输出侦测讯号的侦测单元，一产生变动型基准讯号的基准单元，一比较所述的侦测讯号与所述的变动型基准讯号以判别所述的马达是否出现异常的判别单元，以及一取得...