本发明实施例公开一种切换式充电电路，包括第一开关、电流检测单元、切换电路与控制电路。电流检测单元检测流经第一开关的电流。切换电路透过第一开关连接至切换式充电电路的输入端，以接收输入电压，并透过电感器对应地提供输出电压至电池。控制电路连接...

本发明公开了一种电池充电电路以及电池充电方法，适用于对一电池充电。该电池充电电路包括一控制模块以及一充电模式调整模块。充电模式调整模块用于根据电池的一电压值或是一充电电流值调整充电模式。充电模式调整模块包括一充电单元以及一检测单元。充电...

本发明公开了一种电动机驱动装置，用以于一正常运转状态与一启动状态停止运转一电动机。电动机驱动装置通过一脉宽调制表调整相对应的开关，以逐渐增加开启相对应的开关的占空比。脉宽调制表为一参数与占空比的关系，且占空比随着参数的单调制化而增加。据...

本发明公开了一种发光二极管(LED)显示设备，其将每个LED模块分成多个单位模块，每个单位模块中的显示控制器在同一个时间下并行传输要处理的影像数据至对应的数据驱动器，且传输逻辑信号至对应的栅极驱动器，以驱动对应的栅极驱动器并导通对应的发...

本发明公开了一种马达控制电路，其利用一个霍尔传感器来感应三相马达磁极位置，并透过一启动控制器与一运转控制器来执行一相位切换机制，以由一启动状态驱动三相马达至一正常运作状态。于启动状态时，启动控制器控制切换时间并控制一存储器依序传送相位切...

本发明涉及马达关机方法及使用其的马达驱动电路。本发明提供一种马达关机方法。所述马达关机方法包括以下步骤：当供应电压下降造成储能电容的电压低于第一门槛电压时，关闭马达的上桥开关与下桥开关，使得储能电容因反电动势开始充电。反电动势随着时间而...

本发明提供一种电荷泵电路及使用其的马达。所述电荷泵电路包括电压输入模块以及开关晶体管模块。电压输入模块用以提供输入电压。开关晶体管模块用以接收供应电压与输入电压，并对第一电容与第二电容充电。供应电压与输入电压间具有电压差。在第一充电期间...

本发明提供一种风扇系统、单相直流马达控制电路及其控制方法，该单相直流马达控制电路包括逻辑电路、切换电路及驱动电路。逻辑电路输出第一、第二、第三及第四逻辑信号。切换电路依据脉宽调制信号及第一逻辑信号产生第一方向驱动信号，并且依据脉宽调制信...

本发明公开了一种沟渠式功率晶体管器件，包含有一半导体基底；一外延层，设于所述半导体基底上；至少一栅极沟槽，设于所述外延层中；一栅极氧化层，位于所述栅极沟槽内；一栅极，位于所述栅极沟槽中，所述栅极突出于所述外延层，且所述栅极上具有一凹陷结...

本发明公开了一种沟渠式功率半导体器件的制作方法。首先提供一基底；再于所述基底上形成一外延层；于所述外延层中形成至少一栅极沟槽；于所述栅极沟槽内形成一栅极氧化层；再于所述栅极沟槽中形成一栅极；然后进行一离子注入工艺，于所述外延层中形成一源...

本发明公开了一种半导体功率器件的制作方法，首先提供一半导体基底，其上形成有一外延层及一硬掩膜层；于硬掩膜层中形成一开口；于开口形成一侧壁子；经由开口刻蚀外延层，形成第一沟槽；再沉积一掺质来源层；再将掺质来源层的掺杂物驱入到所述外延层中，...

本发明公开了一种半导体功率器件的制作方法，首先提供一半导体基底，其上形成有外延层；于外延层表面形成硬掩膜层，其具有第一开口；再经由第一开口刻蚀外延层，形成第一沟槽；修整硬掩膜层，将第一开口增宽为第二开口，并显露出第一沟槽上缘的转角部位；...

本发明实施例提供一种输出级电路及其过电流保护方法与音频放大系统，所述输出级电路包括高侧输出驱动器、第一基极选择器、低侧输出驱动器、第二基极选择器与电感。当输出电流大于电流门坎值而使得低侧输出驱动器过电流，禁能受控于第二控制信号的低侧输出...

本发明公开了一种半导体功率器件的制作方法，包含有一晶胞区域，设于一半导体基底上；至少一晶体管器件，设于所述晶胞区域内；一周边耐压区域，环绕所述晶胞区域；多个岛状的第一外延层，设于所述周边耐压区域内；以及一格状的第二外延层，设于所述周边耐...

本发明公开了一种半导体功率器件的制作方法。先提供一半导体基底，其具有多个芯片区域以及芯片区域间的划线区域。再于半导体基底上形成第一外延层。再于第一外延层表面形成硬掩膜层，于硬掩膜层中形成至少一开口，经由开口刻蚀第一外延层，形成至少一沟槽...

本发明实施例提供一种散热系统、转速控制电路及其方法，转速控制电路包括温控电压占空产生器、脉宽信号占空产生器、乘法器与转速信号产生器。温控电压占空产生器将温控电压转换为数字温控电压，并且根据第一设定数据进行线性内插运算，藉此输出温控电压占...

本发明公开了一种功率半导体器件，包含有一具有第一导电型的半导体基底；一外延层，位于所述半导体基底上；一具有第二导电型离子阱，位于所述外延层中，其中所述离子阱具有一接面深度；一栅极沟槽，位于所述外延层中，且所述栅极沟槽的深度大于所述接面深...

本发明公开了一种功率半导体器件，包含有一半导体基底，具有第一导电型；一外延层，位于所述半导体基底上且具有所述第一导电型；一离子阱，具有第二导电型且位于所述外延层中，其中所述离子阱具有一接面深度；一栅极沟槽，位于所述离子阱中且所述栅极沟槽...

本发明公开了一种沟渠绝缘工艺。首先提供一基底，其上设有一垫层以及一硬掩膜层；于所述硬掩膜层上形成至少一开口、经由所述开口刻蚀基底，以形成一第一沟渠、于所述第一沟渠的侧壁上形成一侧壁子；经所述第一沟渠刻蚀基底，于所述第一沟渠下方形成一第二...

本发明公开了一种具有低密勒电容的半导体元件的制作方法，其步骤包含提供一第一导电型的半导体基底、于所述半导体基底上形成一外延层、于所述外延层中形成至少一栅极沟槽、于所述栅极沟槽的侧壁形成一侧壁子、刻蚀所述栅极沟槽的底部以形成一凹陷沟槽、进...