具有低接面场效应晶体管区域阻值的半导体元件制造技术

本发明专利技术是一种具有低接面场效应晶体管区域阻值的半导体元件，其是一种高压金属氧化物半导体晶体管元件，包含有一基底；一半导体层，形成于该基底上；一栅极结构，形成于该半导体层上，具有一开口；一第一源极／漏极区及一第二源极／漏极区，形成于该栅极结构两侧的该半导体层中，具有一第一导电性；一通道区，位于该第一源极／漏极区及该第二源极／漏极区之间，该通道区包含有具有该第一导电性的一掺质；以及一离子掺杂区，形成于该通道区中及该栅极结构的该开口下方，具有该第一导电性；其中，该离子掺杂区的掺杂浓度高于该通道区的掺杂浓度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高压金属氧化物半导体晶体管元件，尤指一种具有低导通电阻值及低栅漏电容值的高压金属氧化物半导体晶体管元件。
技术介绍
高压金属氧化物半导体(High-Voltage Metal-Oxide Semiconductor)晶体管元 件具有开关的特性，其广泛地应用于电源供应器、电源管理系统及消费性电子产品等领域。 对高压金属氧化物半导体晶体管元件来说，导通电阻(Rdson)与栅漏电容(Cgd，又称米勒 电容)的大小影响元件开关速度，因此，设计者皆期望制造出具有低导通电阻值及低栅漏 电容值，并且耐高压的元件。 请参考图1，图1为一已知n型金属氧化物半导体晶体管元件100的剖视图。n型金 属氧化物半导体晶体管元件100是一高压金属氧化物半导体晶体管，包含有一n型基底10、 一 n型半导体层12、一栅极结构14、一 p型阱区(Well) 16及一 n型源极/漏极区18。 p型 阱区(Well) 16是形成于栅极结构14两侧的n型半导体层12中，而n型源极/漏极区18则 形成于P型阱区16中。如本领域具通常知识者所知，金属氧化物半导体晶体管元件的导通 电阻是由源极扩散区、通道、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压金属氧化物半导体晶体管元件，包含有：一基底；一半导体层，形成于该基底上；一栅极结构，形成于该半导体层上，具有一开口；一第一源极／漏极区，形成于该栅极结构两侧的该半导体层中，具有一第一导电性；一第二源极／漏极区，形成于该栅极结构两侧的该半导体层中，具有该第一导电性；一通道区，位于该第一源极／漏极区及该第二源极／漏极区之间，该通道区包含有具有该第一导电性的一掺质；以及一离子掺杂区，形成于该通道区中及该栅极结构的该开口下方，具有该第一导电性；其中，该离子掺杂区的掺杂浓度高于该通道区的掺杂浓度。

【技术特征摘要】
一种高压金属氧化物半导体晶体管元件，包含有一基底；一半导体层，形成于该基底上；一栅极结构，形成于该半导体层上，具有一开口；一第一源极/漏极区，形成于该栅极结构两侧的该半导体层中，具有一第一导电性；一第二源极/漏极区，形成于该栅极结构两侧的该半导体层中，具有该第一导电性；一通道区，位于该第一源极/漏极区及该第二源极/漏极区之间，该通道区包含有具有该第一导电性的一掺质；以及一离子掺杂区，形成于该通道区中及该栅极结构的该开口下方，具有该第一导电性；其中，该离子掺杂区的掺杂浓度高于该通道区的掺杂浓度。2. 根据权利要求1所述的高压金属氧化物半导体晶体管元件，其特征在于还包含一第 一阱区及一第二阱区形成于该半导体层中，具有一第二导电性，且该第一源极/漏极区及 该第二源极/漏极区是分别形成于该第一阱区及该第二阱区中。3. 根据权利要求2所述的高压金属氧化物半导体晶体管元件，其特征在于还包含有一 第一基体区及一第二基体区分别形成于该第一阱区及该第二阱区中，该第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：林伟捷，陈和泰，徐信佑，
申请(专利权)人：茂达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]