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本发明是一种具有低接面场效应晶体管区域阻值的半导体元件，其是一种高压金属氧化物半导体晶体管元件，包含有一基底；一半导体层，形成于该基底上；一栅极结构，形成于该半导体层上，具有一开口；一第一源极／漏极区及一第二源极／漏极区，形成于该栅极结构两...
该专利属于茂达电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过茂达电子股份有限公司授权不得商用。

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