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卡尔蔡司SMT有限责任公司专利技术
卡尔蔡司SMT有限责任公司共有751项专利
用于微光刻的照明光学单元制造技术
一种包括反射镜聚光器的照明光学单元,在该照明光学单元工作期间,该反射镜聚光器产生施加到第一分面光学元件的偏振分布,其中存在至少两个施加了具有不同偏振的辐射的第一分面元件,并且第一分面光学元件具有至少一个第一状态,在第一状态中,选择第一分...
反射光学元件和用于操作EUV光刻设备的方法技术
为了减小由EUV光刻设备中的二氧化硅、碳氢化合物和/金属构成的污染物对反射率的不利影响,提出一种用于极紫外波长范围的具有反射表面(59)的反射光学元件(50),其中该反射表面(59)的多层镀膜具有由氟化物构成的顶端层(56)。在EUV光...
用于浸入式光刻的光学装置及包含该装置的投影曝光设备制造方法及图纸
本发明涉及用于浸入式光刻的光学装置,其包含:施加了疏水性涂层(6,7)的至少一个组件(1),该疏水性涂层(6,7)在操作投影镜期间暴露于紫外辐射,而该至少一个组件(1)在操作投影镜期间至少部分地被浸渍液润湿。该疏水性涂层(6,7)包含至...
用于微光刻投射曝光设备中的反射镜制造技术
本发明涉及用于微光刻投射曝光设备中的反射镜,包括基底和反射涂层,其中反射涂层本身依次包括第一和第二层组。此情况中,第二层组布置在基底和第一层组之间。此外,第一和第二层组都包括多个彼此上下布置的交替的第一和第二层,其中第一层包括第一材料,...
低表面外形变形的光学元件制造技术
本发明公开一种具有主体的反射光学元件,该主体具有高精度几何形状的第一反射表面(750),用于在EUV光刻投射曝光系统中,反射波长范围小于50nm的光。该主体包括第一非反射表面(741)及第二非反射表面(742)。此外,该主体包括在该第一...
在像场中成像物场的成像光学系统和照明物场的照明光学系统技术方案
一种具有多个反射镜的成像光学系统,该多个反射镜将物平面(11)中的物场(9)成像到像平面(14)中的像场(13)中。至少一个所述反射镜的反射面被构造为不能通过旋转对称函数描述的自由形状面。所述物场的纵横比大于(x/y)1,物场的最小和最...
抗辐射性的氟化物晶体的生产工艺制造技术
本发明涉及对于紫外辐射具有高抗辐射性的氟化物晶体,特别是钙氟化物晶体的生产工艺,该工艺包括:提供包含碱金属氟化物或碱土金属氟化物的晶体粉末(6)以形成原料晶体块(14);在晶体生长单元(11)中熔融原料晶体块(14);以及通过冷却而固化...
极紫外微光刻的基底与反射镜以及制造它们的方法技术
本发明涉及一种反射镜,其包含基底以及用于EUV波长区的反射涂层,其中基底的表面区域在反射涂层之下沿着反射涂层均匀地延伸,并且从基底的表面观察起,该表面区域具有最深达5μm的深度。这里,该表面区域具有比其余基底高2%的密度。此外,本发明涉...
用于EUV波长范围的反射镜、包括这种反射镜的用于微光刻的投射物镜、以及包括这种投射物镜的用于微光刻的投射曝光设备制造技术
本发明涉及一种用于EUV波长范围的反射镜(1a;1b;1c),所述反射镜包括基底(S)和层布置,其中所述层布置包括多个层子系统(P”、P”’),每个层子系统由单独层的至少两个周期(P2、P3)的周期序列构成,其中所述周期(P2、P3)包...
微光刻投射曝光设备以及测量有关包含在其中的光学表面的参数的方法技术
一种微光刻投射曝光设备包括光学表面(46;M6)以及测量装置(90),该测量装置(90)测量在所述光学表面上的多个分开区域的关于光学表面的参数。所述测量装置包括照明单元(92),其朝向所述光学表面的所述区域指引单独测量光束(94)。每个...
成像光学部件以及具有此类型的成像光学部件的用于微光刻的投射曝光设备制造技术
一种成像光学部件(36)具有将物平面(5)中的物场(4)成像到像平面(9)中的像场(8)中的多个反射镜(M1至M6)。第一个反射镜(M1)在成像光的成像光束路径中布置在物场(4)之后,最后一个反射镜(M6)在成像光束路径中布置在像场(8...
包括光学校正布置的用于半导体光刻的投射曝光设备制造技术
本发明涉及一种光学校正布置,包括:至少一个光学元件(2);至少一个辐射装置,其利用用于目标性地局部加热所述光学元件(2)的电磁加热辐射(7),目标性地局部辐射所述光学元件(2),其中,存在用于消散由所述至少一个辐射装置引入到所述光学元件...
用于微光刻的照明光学系统与光学系统技术方案
一种用于微光刻的照明光学系统被用于照明物场(12)。照明光学系统具有第一传输光学系统,用于引导由光源发出的照明光(3)。具有多个照明预设微面(25)的照明预设分面镜(7)布置在第一传输光学系统的下游。照明预设分面镜(7)通过照明预设分面...
测量双折射的测量方法和测量系统技术方案
在用于测量光学测量对象的双折射的测量方法中,产生具有规定的输入偏振态的测量光束,该测量光束被引导到测量对象上,并检测测量光束在与测量对象相互作用之后的偏振特性,以产生表示测量光束在与测量对象相互作用之后的输出偏振态的偏振测量值。根据角度...
接合物体的方法和组合体技术
本发明涉及一种接合方法和组合体。该接合方法在彼此相对放置的接合表面将第一物体接合到平板状第二物体。要被接合的所述物体形成为定位台的一部分,具体地用于微光刻的晶片台或掩模母版台。第二物体在至少一个方向上突出超过第一物体的边缘。所述方法包括...
用于EUV 波长范围的反射镜、包括这种反射镜的用于微光刻的投射物镜、以及包括这种投射物镜的用于微光刻的透射曝光设备制造技术
本发明涉及一种用于EUV波长范围的反射镜,所述反射镜包括施加在基底上的层布置,其中所述层布置包括多个层子系统(P”、P’”),每个层子系统由多个单独层的至少一个周期(P2、P3)的周期序列构成,其中所述周期(P2、P3)包括由不同材料构...
用于投射曝光系统的具有至少一个磁体的致动器、致动器的制造方法、以及具有磁体的投射曝光系统技术方案
本发明涉及包括至少一个磁体(22)的用于投射曝光系统的致动器,其中所述磁体被包封并且/或者被支撑在磁体支撑板(12)中,所述磁体支撑板(12)通过微技术制造方法制造,从而在没有附加连接材料的情况下,利用单体或接合连接将移动操纵器表面(2...
EUV微光刻的照明光学系统和这种照明光学系统的EUV衰减器、具有这种照明光学系统的照明系统和投射曝光装置制造方法及图纸
一种EUV微光刻的照明光学系统,用于将来自辐射源的照明光束导引到物场。至少一个EUV反射镜(13)包括反射面(29),为了形成该照明光束,反射面(29)具有非平面反射镜形貌。EUV反射镜(13)具有布置在其前面的至少一个EUV衰减器。面...
微光刻投射曝光设备的照明系统技术方案
一种微光刻投射曝光设备(10)的照明系统包括用于产生沿着光路传播的投射光的光源(30)。该系统还包括反射型或透射型光束偏转元件(Mij)的光束偏转阵列(46)。每个光束偏转元件(Mij)用于偏转照射光束一偏转角,该偏转角响应于控制信号是...
微光刻投射曝光设备制造技术
一种微光刻投射曝光设备(10)包括由多个微反射镜(Mij)形成的光学表面以及配置来在多个位置处测量与所述光学表面相关的参数的测量装置。所述测量装置包括包含多个照明部件(104、118)的照明单元(92),每个照明部件具有光出射面(106...
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