反射光学元件和用于操作EUV光刻设备的方法技术

为了减小由EUV光刻设备中的二氧化硅、碳氢化合物和/金属构成的污染物对反射率的不利影响，提出一种用于极紫外波长范围的具有反射表面(59)的反射光学元件(50)，其中该反射表面(59)的多层镀膜具有由氟化物构成的顶端层(56)。在EUV光刻设备的操作期间沉积在反射光学元件(50)上的所提及的污染物通过添加以下所提及的至少一种物质而被转化为挥发性化合物：原子氢、分子氢、全氟化烷烃(例如四氟化甲烷)、氧、氮和/或氦。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于极紫外(EUV)波长范围的具有反射表面的反射光学元件。而且，本专利技术涉及一种用于操作EUV光刻设备的方法，该EUV光刻设备包括具有反射表面的反射光学元件。而且，本专利技术涉及一种包括反射光学元件的EUV光刻设备，涉及一种尤其用于 EUV光刻设备的包括反射光学元件的照明系统，还涉及一种尤其用于EUV光刻设备的包括反射光学元件的投射系统。
技术介绍
在EUV光刻设备中，用于极紫外(EUV)波长范围(例如大约5nm至20nm之间的波长)的反射光学元件用于半导体组件的光刻成像，该反射光学元件为光掩模或者多层反射镜的形式。由于EUV光刻设备通常具有多个反射光学元件，所以所述反射光学元件必须具有很高的反射率以确保足够高的总反射率。反射光学元件的光学使用的反射表面的污染可减少反射光学元件的反射率和寿命，这是由于工作环境中的短波辐射以及残留气体造成的。由于通常在EUV光刻设备中一个挨着一个布置多个反射光学元件，所以每个单独 (individual)反射光学元件上甚至相对较小的污染也在相对较大的程度上影响总反射率。例如，可以由于潮湿残留而发生污染。在这种情况中，EUV辐射离解本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：DH埃姆，A多科纳尔，G冯布兰肯哈根，
申请(专利权)人：卡尔蔡司SMT有限责任公司，
类型：发明
国别省市：