本发明提供了与以往相比具有更高ＭＲ比的磁阻元件。所述磁阻元件具有结晶性第一强磁性材料层、隧道阻碍层、结晶性第二强磁性材料层，这三层均具有由柱状晶的集合体形成的多晶结构，隧道阻碍层由含Ｂ原子与Ｍｇ原子且Ｂ原子含量为３０原子％以下的金属氧化...

一种等离子处理设备具有：被保持在预定电势的腔室、用于将基板保持在腔室内的基板台架、用于通过施加交流电力在腔室内产生等离子的电极、导电部件和粘接防止屏蔽，所述导电部件被构成为使得在形成等离子时所述部件包围基板台架和电极之间的等离子空间，由...

公开的是一种具有高介电常数和高温耐热性的介电膜。在一个实施方案中的介电膜（１０３）包括含有元素Ａ、元素Ｂ以及含有Ｎ和Ｏ的复合氮氧化物，元素Ａ由Ｈｆ构成，元素Ｂ由Ａｌ或Ｓｉ构成，该介电膜（１０３）中元素Ａ、元素Ｂ和Ｎ的摩尔分数根据Ｂ／（Ａ...

本发明提供一种频率转换器，其包括频率转换器件，该频率转换器件能够通过使用磁阻元件来适应Ｓｉ系ＭＭＩＣ和ＧａＡｓ系ＭＭＩＣ。根据本发明实施例的频率转换器包括：频率转换器件，其包括具有磁化自由层、中间层和磁化固定层的磁阻元件；磁场施加机构，...

本发明提供能够缩短清洁步骤的时间的多层膜的制造方法、磁致电阻效应器件的制造方法以及基板处理设备。在本发明的一个实施方式中，在加工之间，可以用含有氢气和氧气的混合气体的等离子体清洁蚀刻设备的内部。这缩短了清洁时间，从而提高了生产性。

本发明提供控制基板温度的方法，其使用基板保持装置，该控制基板温度的方法在工艺开始前具有第1步骤，在第1步骤中，不将封闭气体供给到保持装置和静电吸盘之间的间隙中，用静电吸盘内的加热部件加热基板，使基板升温到设定温度，恒定地保持在设定温度直...

在线型晶圆输送装置包括：装载室(51)，其用于从外部输入晶圆；卸载室(53)，其用于将晶圆输出到外部；以及多个输送室(54a、54b、54c)和多个处理模块(52a、52b)，所述输送室和所述处理模块在装载室和卸载室之间串联连接。输送室...

本发明提供一种磁控溅射装置以及溅射方法，该磁控溅射装置的磁铁单元具有：内侧磁铁、外侧磁铁、将这些固定的非磁体、以及将内侧磁铁和外侧磁铁的磁极连接的磁轭。磁轭具有板状的形状，被与矩形状地排列的外侧磁铁的长度方向正交的面分割为多个，且被分割...

真空处理设备和真空处理方法。本发明涉及一种真空处理设备(1)，其包括交替地串联连接的两个处理室(PC1，PC2)和三个装载锁定室(LL1，LL2，LL3)、以及转移装置，所述转移装置仅在彼此相邻的处理室(PC1或PC2)和装载锁定室(L...

本发明提供一种托盘式基板输送系统、成膜方法和电子装置的制造方法，即使在移动载置基板时将基板向托盘移动载置的基板移动载置机构的精度低的情况下，也能够使托盘始终稳定地保持基板，能抑制在输送基板时基板自托盘偏移、破损、脱落的产生。在本发明的一...

本发明涉及一种包括用于衬底转移的机械手的真空处理设备以及一种衬底转移方法。根据本发明的机械手包括驱动机构、可转动地连接到驱动机构的第一臂、可转动地连接到第一臂的第二臂、和可转动地布置在第二臂的远端处的Ｘ状的端部执行器。在端部执行器的四个...

本发明提供基板保持设备、掩模定位方法以及真空处理设备，以及能够减少粒子的产生并且以高精度定位掩模的掩模定位机构，其中，真空处理设备包括该掩模定位机构。根据本发明的一个实施方式的掩模定位机构包括：基板保持件，当基板被传送时，该基板保持件能...

本发明涉及一种气体供给装置，其包括：室框架；门，其附装到室框架以便使门能够打开和关闭，并具有阴极；门侧引入块，其附装到门，并且具有用于供给放电气体到阴极的气体流动路径；和室侧引入块，其附装到室框架，并具有用于将从室框架外部引入的放电气体...

提供一种磁传感器层叠体、成膜方法、成膜控制程序以及记录介质，使磁阻元件的相对的两个接合壁面附近的磁性层的结晶ｃ轴对齐于与接合壁面大致垂直的方向。磁传感器层叠体（１）在衬底（３１）上具有磁阻元件（１０）和场区域（２２），该磁阻元件（１０）...

本发明涉及介电膜、使用该介电膜的半导体器件的制造方法和半导体制造设备。提供制造具有高介电常数的介电膜的方法。在本发明的实施方案中，在基板上形成ＨｆＮ／Ｈｆ层压膜，其上形成薄氧化硅膜，通过退火处理制造由Ｈｆ、Ｓｉ、Ｏ和Ｎ的混合物制成的金属...

驱动装置及真空处理装置。磁性螺杆驱动装置（９）通过连结于电动机的驱动轴（１３）使轴支承于壳体（１７）的螺旋状磁体轴（１１）旋转。驱动轴（１３）及螺旋状磁体轴（１１）分别设有插有驱动轴（１３）及螺旋状磁体轴（１１）并气密地安装的圆筒状的轴...

本发明提供一种表面处理设备，其中，尽管经由导入孔向处理室供给在等离子体生成室中生成的ＨＦ衍生自由基并且在自由基导入孔附近供给作为处理气体的ＨＦ气体分子、从而抑制激发能量并由此提高Ｓｉ的选择性以去除自然氧化膜的干法处理，但可以实现能够实现...

在线型晶圆输送装置具有如下结构：用于从外部输入未处理晶圆以及将处理后晶圆输出到外部的装载锁定室（５１）、被连接到装载锁定室的第一端输送室（５４ａ）、至少一个中间输送室（５４ｂ）、被设置成彼此相邻并且能够独立处理的多组处理模块对（５２ａ、...

在线型晶圆输送装置包括：装载室（５１），其用于从外部输入晶圆；卸载室（５３），其用于将晶圆输出到外部；以及多个输送室（５４ａ、５４ｂ、５４ｃ）和多个处理模块（５２ａ、５２ｂ），所述输送室和所述处理模块在装载室和卸载室之间串联连接。输送室...

一种在线型晶圆输送装置，在该晶圆输送装置的结构中包括：用于输入和输出晶圆的装载锁定室（５１）、具有第一输送机构（５４ａ）的第一输送模块（５３ａ）、第一处理模块（５２ａ）、具有第二输送机构（５４ｂ）的第二输送模块（５３ｂ）、以及第二处理模...