一种衬底加热设备包括真空容器，该真空容器的内部被壁体分离成第一空间和第二空间，第一空间被第一排气装置抽空成真空并容纳待加热的衬底，第二空间被第二排气装置抽空成真空并包括用于加热容纳在第一空间中的衬底的加热装置，缩短了由第一排气装置把第一...

一种磁控管单元包括：多个第一磁体元件，每个第一磁体元件都包括具有相同极性且设置在由磁性材料制成的轭板的两端部分上的第一磁体、以及具有与第一磁体的极性不同的极性且布置在轭板的中间部分上的第二磁体；基板，在所述基板上设置有运动装置以使所述多...

抑制由承载件引起的沉积膜的剥离并且延长承载件的更换周期。在包括滑座（７）的承载件（１）中，在基板保持件（３）的两个表面上安装能够覆盖基板保持件（３）并且具有等于或大于形成有膜的基板（２）的开口的沉积遮蔽件（２０ａ，２０ｂ），该滑座（７）...

经由导入孔将等离子体生成室中的自由基供给到处理室，并且从自由基导入孔附近供给作为处理气体的ＨＦ气体。去除掺有杂质的ＩＶ族半导体的基板表面的自然氧化膜，并且具有等于湿清洁的良好的表面粗糙度。对表面处理后的基板沉积金属材料，并且进行通过热处...

本发明涉及一种衬底热处理设备，在该设备中，衬底支架单元布置在真空腔中并可竖直地运动，所述衬底支架单元包括由具有高辐射率的碳或覆盖有碳的材料制成的衬底台架。包括与衬底台架相对的散热表面的加热单元在真空腔中设置在衬底台架上方。衬底台架运动接...

本发明提供一种皮拉尼真空计，其中改进了对急剧的压力升高的响应，并消除了对容器在待测量压力的腔室上的安装方向的限制。该皮拉尼真空计包括：金属丝制的热细丝和用于将热细丝支撑在容器中的支撑单元，其中，基于由与热细丝碰撞的气体分子从热细丝导离的...

提供一种用于制造使用硼镧化合物薄膜的高强度电子发射装置的方法和设备。在设置有电子发射基体构件的第二基板中露出电子发射基体构件区域，并且利用掩模遮蔽其它区域，从而溅射沉积低功函数物质靶材的溅射粒子。利用密封剂密封溅射沉积过的第二基板和设置...

提供了一种使用硼镧化合物薄膜制造高强度电子发射装置的方法和设备。在布置有电子发射基础构件的第二基板上累积低功函数物质靶的溅射粒子。通过使用用于遮蔽电子发射基础构件区域并开放其它区域的掩模，对第二基板上的低功函数物质的沉积物进行蚀刻，之后...

本发明提供隧道磁阻薄膜及磁性多层膜制作装置。在维持用作交换耦合用非磁性层的Ｒｕ层为薄膜的状态下，改良耐热性，即使经过高温退火，Ｒｕ层也良好地呈现交换耦合磁场，ＭＲ比高。在隧道磁阻薄膜中，将夹着交换耦合用非磁性层（５）层叠的第一磁化固定层...

提供一种能够沉积具有均一的表面电阻值的薄膜的溅射沉积设备。该溅射沉积设备在膜沉积室内配置有至少两个磁控溅射单元。在至少两个磁控溅射单元当中，在设置在配置于基板输送方向（４３）上的最上游侧的磁控溅射单元上的靶材护罩（５５）的基板输送方向（...

本发明提供一种真空输送装置，其增加输送物的铅直方向的输送量、且削减用于设置真空输送装置所需要的体积，从而谋求真空输送装置的小型化。本发明的真空输送装置包括：用于沿水平方向输送基板（１００）的水平输送机构（１１１）、用于沿铅直方向输送基板...

本发明提供基板处理装置、磁性设备的制造装置及制造方法。该基板处理装置能够根据形成的膜的材质来切换是否对基板施加磁场，从而能够在同一个室内形成磁性层和非磁性层这两者。溅射装置（１００）包括：基板保持架（１０２），支承基板（Ｗ）；磁铁保持架...

本发明提供一种氧化方法和氧化装置，其中，通过具有若干通孔的隔离物连接具有氧化气体供给端口的等离子体产生室和具有排放端口并在内部具有衬底基座的衬底处理室，产生供给到等离子体产生室中的氧化气体的等离子体，并且通过将产生的活性物种供给到衬底上...

本发明涉及一种溅射设备，该溅射设备包括附装有靶的可旋转的旋转构件、连接端子和馈电端子。连接端子布置在旋转构件的沿着旋转构件的旋转轴线的方向的端部上并且电连接至靶。馈电端子经由连接端子向靶供应电力。当旋转构件在馈电端子与旋转构件的该端部接...

一种电容式隔膜真空计，其包括被配置成检测所述电容式隔膜真空计的倾斜角的倾斜角传感器。在电容膈膜计以第一倾斜角（＋９０°）、第二倾斜角（０°）、第三倾斜角（－９０°）安装在真空装置上时，所得到的电容和电压的相关性事先存储在存储单元中。压力...

本发明涉及线内真空处理设备及其控制方法，以及信息记录介质制造方法。该线内真空处理设备，包括沉积单元、工艺执行单元、确定单元以及控制单元。沉积单元使第一沉积腔室和第二沉积腔室中的一个沉积腔室执行沉积工艺。工艺执行单元使另一沉积腔室执行对于...

本发明涉及一种沉积设备，其包括：真空室；等离子体枪，其适于将等离子体发射到容纳在真空室中的沉积材料上；和适于将放电气体供应到等离子体枪的放电气体供应单元。该沉积设备包括适于改变放电气体的流量的质量流控制器和连接至质量流控制器的控制电路，...

本发明涉及一种衬底处理设备，其包括：能够被抽空的室；适于安装衬底的衬底台；加热单元，其适于设置在衬底台的衬底安装面上方，面对安装在至少衬底安装面上的衬底，并且在不与衬底接触的情况下通过辐射热加热衬底；挡板，其适于可收回地插入加热单元与安...

本发明涉及一种真空容器，其包括一对弯曲构件，这对弯曲构件通过将金属板弯曲成预定形状而形成并相互结合以在弯曲构件内形成封闭空间。真空容器还包括密封构件和立方格子结构，该密封构件密封弯曲构件之间的结合部分中的间隙，该立方格子结构抵靠两个弯曲...

本发明涉及质谱分析方法及使用其的质谱仪。本发明保持来自发射体的稳定发射量。在本发明的实施方案中，加热固体样品或液体样品，从而使包含于所述固体样品或液体样品中的待测对象气化，由此形成中性气相分子，从具有氧化表面的发射体发射的金属离子被附着...