一种真空处理设备，其使用磁性材料的掩模膜状平面和磁性材料的掩模框架来处理被处理物体，该真空处理设备的特征在于，由永电磁体吸引磁性材料的掩模，永电磁体被配置在相对于安装有被处理物体的表面与掩模相反的一侧。

本发明提供具有高介电常数的介电膜的制造方法。本发明的实施方式是在基板上制造包括包含由Ｈｆ或Ｈｆ和Ｚｒ的混合物构成的元素Ａ、由Ａｌ构成的元素Ｂ、以及Ｎ和Ｏ的金属氮氧化合物的介电膜的方法。所述制造方法包括以下步骤：形成具有非晶态结构的金属氮...

一种沉积设备包括：挡板收纳单元，其经由开口连接到处理室，并且将收回状态中的挡板收纳到排气室中；和遮蔽构件，其围绕挡板收纳单元的开口形成，并且遮盖排气室的排气口。遮蔽构件在挡板收纳单元的开口与沉积单元之间的预定高度的位置处具有第一排气路径...

公开了一种溅射设备，其设有：靶保持器，其放置在真空容器中并保持用于在衬底上沉积膜的靶；其上安装衬底的衬底保持器；第一遮蔽构件，其布置在衬底保持器附近，并形成衬底保持器和靶保持器之间彼此遮蔽的关闭状态或者衬底保持器和靶保持器之间彼此开放的...

公开了制造磁阻元件的方法，其包括隧道势垒形成步骤。所述隧道势垒形成步骤包括：形成具有第一厚度的金属层的金属层形成步骤，进行等离子体处理的等离子体处理步骤，其中将所述金属层暴露于惰性气体的等离子体中以蚀刻所述金属层从而具有比第一厚度小的第...

通过由势垒层形成步骤形成隧道势垒层来制造磁性隧道结器件的方法，包括：沉积第一金属层的步骤；在该第一金属层上形成氧表面活性剂层的氧表面活性剂层形成步骤；在第一氧表面活性剂层上方沉积第二金属层的步骤；以及通过氧化第一金属层和第二金属层以形成...

一种真空处理设备包括：可抽空的真空室；设置在真空室中的衬底保持器，其具有竖直地面朝下的衬底卡紧面，并包括通过静电卡紧衬底的静电卡紧机构；衬底支撑构件，其设置在真空室中以保持衬底与衬底卡紧面平行并且将衬底支撑在允许衬底卡紧面卡紧衬底的方位...

本发明涉及一种衬底保持设备，其包括：构造成保持衬底的衬底保持机构；加热机构；以及热传导构件，该热传导构件插入衬底保持机构和加热机构之间以与它们接触，并将由加热机构产生的热传导至衬底保持机构，其中热传导构件具有向衬底开口的凹进的截面。

本发明提供一种磁铁单元和磁控溅射装置。该磁铁单元不增加靶的长度、宽度就能够使成膜在基板上的薄膜的膜厚分布均匀。磁铁单元（１０）包括：环状外周磁铁（３０），其沿着靶（６）的轮廓配置在阴极电极背面侧的磁轭（２０）上；内部磁铁（４０），其配置...

一种质谱分析装置包括由引入的待检测的气体产生待检测的无碎片的离子的电离室（１００）和设有质谱分析计（１６０）的质谱分析室（１４０），该质谱分析计按照质量来分离从电离室传输来的待检测的离子并且检测离子，质谱分析装置还包括探头（１１１）和气...

一种能在包括电极的线路上产生谐振的表面处理设备。所述表面处理设备包括：容纳晶片（４）并且能够被抽真空的真空腔（１）；和被布置成在真空腔（１）中以彼此面对的上电极（３）和下电极（５）。所述表面处理设备还包括：通过匹配电路（１７）给上电极（...

本发明提供了一种频率变换装置，其使用磁阻装置并由此能够与硅基ＭＭＩＣ和ＧａＡｓ基ＭＭＩＣ相对应。根据本发明的频率变换设备包括：频率变换装置，其包括具有磁化自由层、中间层和磁化固定层的磁阻装置；磁场施加机构，用于向频率变换装置施加磁场；本...

本发明提供溅射用靶、单晶性薄膜的制造方法以及显示装置。在通过磁控溅射来成膜ＬａＢ６薄膜时，改善所得到的ＬａＢ６薄膜的广域畴方向的单晶性。使用含有硼原子（Ｂ）、镧原子（Ｌａ）以及碳原子（Ｃ）的溅射用靶。

本发明提供一种基板保持件保持装置，该基板保持件保持装置紧凑并且具有简单的结构。根据本发明的基板保持件保持装置设置有：第一和第二保持机构（５，７），其被收纳在室中，并且分别被构造成能够沿着列保持多个基板保持件；列方向驱动装置，其使第一保持...

一种静电夹具（８）包括电介质板（１４）、在电介质板（１４）内形成的电极（１５）、和向电极（１５）施加电压的外部电源（１５），所述电介质板（１４）具有其上形成有用于在顶表面上支撑基板的多个凸起（１７ａ）和包围所述凸起（１７ａ）的凹陷（１７...

提供一种兼具高ＭＲ比和低磁致伸缩的隧道磁阻薄膜。所述隧道磁阻薄膜为具有磁化固定层、隧道势垒层、磁化自由层的隧道磁阻薄膜，所述隧道势垒层为具有（００１）取向的氧化镁晶粒的氧化镁膜，所述磁化自由层为第一磁化自由层与第二磁化自由层的层叠结构，...

一种沉积设备，其通过用从等离子体发生器（２）供应到室（１）中的等离子体辐射来将从沉积材料（４）分离的材料粒子沉积在沉积对象物（１０）上而形成薄膜，其特征在于包括：容纳沉积材料（４）的炉床（３）；和在向着沉积对象物（１０）运动的材料粒子的...

本发明提供溅射设备和成膜方法，能够在诸如Ｖ形槽等具有倾斜壁的槽中形成高品质的膜。本发明的溅射设备包括可转动的阴极（１０２）、可转动的台架（１０１）和可转动的遮蔽板（１０５）。所述溅射设备控制阴极（１０２）、台架（１０１）和遮蔽板（１０５...

本发明提供用于改进金属掩模的作为较薄区域的图案区域到基板的附着性的基板处理设备和基板处理方法。根据本发明的一个实施方式，在用于使用磁体（００７）将金属掩模（００６）固定成与基板（００５）的待处理表面紧密接触的方法中，金属掩模（００６）具...

一种基板处理装置，包括：真空处理容器；分隔件，其由导电材料制成并且将所述真空处理容器的内部分隔成用于产生等离子体的第一空间以及用于通过等离子体处理基板的第二空间；安装在所述第一空间中的用于等离子体产生的高频电极，以及安装在所述第二空间中...