溅射用靶、薄膜的制造方法以及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供溅射用靶、单晶性薄膜的制造方法以及显示装置。在通过磁控溅射来成膜ＬａＢ６薄膜时，改善所得到的ＬａＢ６薄膜的广域畴方向的单晶性。使用含有硼原子（Ｂ）、镧原子（Ｌａ）以及碳原子（Ｃ）的溅射用靶。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种由含有微量碳原子的硼化镧化合物的烧结体形成的靶、单晶性薄 膜的制造方法、电子源以及显示装置。
技术介绍
如专利文献1、2以及3所记载那样，作为二次电子产生膜已知LaB6等硼化镧化合 物的薄膜。另外，如专利文献1、2以及3所记载那样，还已知使用溅射法来成膜硼化镧化合 物的结晶性薄膜。并且，如专利文献4所记载那样，还已知作为上述溅射法所使用的靶，使 用LaB6等硼化镧化合物的烧结体。专利文献专利文献1 日本特开平1-286228号公报专利文献2 日本特开平3-232959号公报专利文献3 日本特开平3-101033号公报专利文献4 日本特开平6-248446号公报然而，在将利用以往的使用了靶的溅射装置、溅射方法来成膜的硼化镧化合物薄 膜应用于二次电子源膜时，作为二次电子源膜的电子产生效率不充分。特别是，现状是，在将由LaB6等硼化镧化合物形成的薄膜使用于FED(Field Emission Display 场发身寸显不器)、SED (Surface-Conduction Electron-emitter Display 表面传导电子发射显示器)的情况下，作为显示装置得本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种溅射用靶，其特征在于，其为含有硼原子（Ｂ）、镧原子（Ｌａ）以及碳原子（Ｃ）的烧结体。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2008-5-22 2008-133796一种溅射用靶，其特征在于，其为含有硼原子(B)、镧原子(La)以及碳原子(C)的烧结体。2.一种薄膜的制造方法，其特征在于，具有以下工序通过使用了含有硼原子(B)、镧 原子(La)以及碳原子(C)的溅射用靶的溅射法，成膜含有硼原子(B)、镧原子(La)以及碳 原子(C)的结晶性薄膜。3.一种薄膜的制造方...

【专利技术属性】
技术研发人员：栗林正树，
申请(专利权)人：佳能安内华股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]